CN119421406A 半导体结构及其形成方法 （长鑫科技集团股份有限公司）

本公开提供了一种半导体结构及其形成方区和引出区包括沿第一方向延伸且沿第二方向剩余的阻挡层和位于引出区正上方的部分阻挡2执行第二刻蚀，去除位于所述阵列区正上方的剩余的所述阻挡层去除位于所述外围区正上方的所述阻挡层，且位于所述去除位于所述阵列区正上方的所述导电结构上的部分所述阻挡层以及位于相邻所述导电结构上的剩余的所述阻挡层的顶面以及位于相邻所述导电结构之间的所述阵列区正上方的剩余的所述阻挡层的顶面均低于所述外围区和所述引出区正上方的所述阻挡层的去除位于所述阵列区正上方的所述导电结构上的剩余的所述阻挡层3在所述阵列区的所述衬底中形成阵列排布的有源区和位于所述有源区之间的第一隔沿所述基底的厚度方向刻蚀所述有源区、所述第一隔离结构和在所述执行第二刻蚀之后，去除部分位于所述阵列区正上方的位于所述阵列区正上方的字线结构；所述字线结构沿所述第位于所述引出区正上方的字线引出结构；所述字线引出结构的位于所述字线引出结构正上方的阻挡层；所述阻挡层的顶面与所述外围区的顶面齐4[0002]动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是一种可以高速方向和所述第二方向相交且均与所述基底的剩余的所述阻挡层的厚度与位于所述外围区正上方的[0017]去除位于所述阵列区正上方的所述导电结构上的部分所述阻挡层以及位于相邻所述导电结构上的剩余的所述阻挡层的顶面以及位于相邻所述导电结构之间的所述阵列5区正上方的剩余的所述阻挡层的顶面均低于所述外围区和所述引出区正上方的所述阻挡[0022]利用光刻工艺去除部分所述光刻胶层，以暴露出所述阵列区正上方的所述阻挡[0029]在所述阵列区的所述衬底中形成阵列排布的有源区和位于所述有源区之间的第6线结构的顶面的字线引出结构的同时，避免在阵列区与引出区和外围区之间形成高度差，地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述术语相应地被解释。7膜之间也会存在高度差，此高度差的存在会导致这些薄膜在后续的制程中产生不良影响，区；所述阵列区和所述引出区包括沿所述第一方向延伸且沿第二方向排布的多个字线沟[0058]图2至图13为半导体结构的形成过程的结构示意图，下面将结合图1和图2至图13对本公开实施例提供的半导体结构的形成方法进行101中形成阵列排布的有源区102和位于有源区102之间的第一隔离结构103，并在衬底101等)、复合半导体材料衬底(例如为锗硅衬底等)，或绝缘体上硅(SOI)衬底、绝缘体上锗[0063]在一些实施例中，在衬底101中形成有源区102和第一隔离结构103以及第二隔离结构103包括第一子隔离结构1031和第二子隔离结构1032，第一子隔离结构1031在第一方89和外围区c正上方的阻挡层301会与位于阵列区a正上方相邻的两个字线结构205之间的基形成同时覆盖阵列区a、引出区b和外围区c的膜层时，在该膜层的表面也可能会形成高度[0079]在一些具体示例中，可以通过化学机械研磨工艺(ChemicalMechanical围区c的顶面以及位于阵列区a正上方的相邻的两个导电结构204之间的基底的顶面齐平，上方的阻挡层301的顶面与阵列区a的顶面之间存在高度差，位于阵列区a正上方的导电结构204的顶面与阵列区a的顶面和外围区c的顶面也存在高度差，因而研磨只能停止在一个[0082]在一些具体示例中，在执行第一刻蚀之后，位于阵列区a正上方的剩余的阻挡层[0083]在一些具体示例中，第一刻蚀可以为干法刻蚀，包括但不限于等离子体刻蚀(PlasmaEtching，PE)、溅射刻蚀(SputteringEtching，SE)、离子束刻蚀(IonBeam正上方剩余的阻挡层301的顶面与外围区c[0087]在另一具体示例中，在执行第一刻蚀之后，位于阵列区a正上方的剩余的阻挡层得位于阵列区a正上方的导电结构204上剩余的阻挡层301的顶面以及位于相邻导电结构204之间的阵列区a正上方的剩余的阻挡层301的顶面均低于外围区c和引出区b正上方的阻区b正上方的部分阻挡层301和位于外围区c正上方[0089]在本公开实施例中，沉积工艺包括但不限于化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)、低压化学气相沉积(LowPressureChemicalVaporDeposition，LPCVD)、等离子体增强化学的气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)、物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)和原子层沉积(AtomicLayer后，去除部分位于阵列区a正上方的导电结构204，位于阵列区a正上方的剩余的导电结构触结构可以形成在引出区b正上方并与字线引出结构206连接，以通过字线引出结构206与[0092]在本公开实施例中，首先通过执行第一刻蚀去除位于阵列区a正上方的部分阻挡的阻挡层301可以同时被去除，从而在保留引出区b正上方的阻挡层301以使得被部分阻挡层301覆盖的导电结构构成字线引出结构206的同时，避免在阵列区a与引出区b和外围区c[0101]在一些实施例中，阵列区a包括阵列排布的有源区102和位于有源区102之间的第个有源区102构成沿第一方向排布的多个晶体管结构，且有源区102中位于字线结构205正下方的部分构成晶体管结构的沟道区，在第三方向上位于沟道区两侧的有源区102分别构[0103]在一些实施例中，第一隔离结构103包括第一子隔离结构1031和第二子隔离结构个介质材料层；第二隔离结构104在第一方向上的尺寸大于第一子隔离结构1031在第一方[0104]在一些具体示例中，第一隔离结构103和第二隔离结构104的材料可以为氧化硅、线引出结构206的顶面高于字线结构205的顶面，在后续形成与字线结构205连接的接触结构与字线引出结构206之间可以具有较大的接触面积，从而可以减小接触结构与字线引出