半导体基础知识课件

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2)特性:

雜敏性、熱敏性、光敏性。1)半導體：導電能力介於導體和絕緣體之間的物質稱為半導體。大多數半導體器件所用的主要材料是矽（Si）和鍺（Ge）。半導體原子結構1.1.1半導體

1.半導體及特性11)

本征半導體:

純淨的、具有晶體結構的半導體稱為本征半導體。1.本征半導體結構與特性1.1.2半導體

晶體結構示意圖2)共價鍵

相鄰的兩個原子各有一個價電子在同一軌道上，形成共有的一對價電子。這樣組合稱為共價鍵。2

共價鍵中的電子受原子核的吸引力很強，稱為束縛電子。絕對零度即T=0K，或無外界激發時，半導體不能導電而成為絕緣體。2.本征半導體中的兩種載流子1)本征激發

共價鍵T=0K無載流子束縛價電子

部分價電子自由電子光、熱作用擺脫共價鍵{

獲得足夠能量空位—稱空穴3本征激發：指半導體在加熱或光照作用下，產生電子—空穴對的現象。

圖1-3本征半導體中的自由電子和空穴42)載流子的運動

電場作用自由電子定向運動形成電子電流

電場作用空穴填補空穴的價電子作定向運動形成空穴電流電流方向相同兩種載流子：帶負電荷的自由電子電場電子電流，帶正電荷的空穴電場空穴電流，運動方向相反53.本征半導體中載流子的濃度1）複合：運動中的電子重新被共價鍵束縛起來，電子空穴對消失。

2）本征半導體特點：

一是：導電能力弱二是：熱不穩定性熱敏元件、光敏元件在一定溫度下，本征激發與複合運動達到動態平衡。61.1.3雜質半導體1.N型半導體

在本征半導體中摻入少量五價元素原子，稱為電子半導體或N型半導體。多數載流子：電子少數載流子：空穴

n>>p在本征半導體中摻入微量的雜質元素，成為雜質半導體。圖1-4N型半導體中的晶體結構7

在本征半導體中摻入少量三價元素原子，稱為空穴半導體或P型半導體。多數載流子：空穴

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