CN119438837A 可靠性测试系统和方法 （华为技术有限公司）

试系统中实现了多个测试模式，提高了测试效本申请提供的可靠性测试系统能够准确地测试2所述第一电应力施加模块用于向所述第一端口施加第所述第一测试模块用于测试所述第二端口与所述第一端口之间的阈所述第二电应力施加模块用于向所述第三端口施加第所述第二测试模块用于测试所述第二端口与所述第三端口之4.根据权利要求1至3中任意一项所述的可靠性测试系统5.根据权利要求1至4中任意一项所述的可靠所述第一电应力施加模块还用于，向所述第一端口施加测试电压所述第一测试模块具体用于，在所述测试电压满足预设条件的情况下，第三测试模块，与所述第二端口和所述第三端口连接，所述3第二测试模块，与所述第三端口和所述第二端口连接；通过所述第一电应力施加模块向所述第一端口施加第通过所述第一测试模块测试所述第二端口与所述第一端口之间的阈通过所述第一半桥电路向所述第一端口施加负电压或通过所述第二电应力施加模块向所述第三端口施加通过所述第二测试模块测试所述第二端口与所述第三端口之通过所述第一电应力施加模块向所述第一端口施加测试电压，所述测试电压线性增在所述测试电压满足预设条件的情况下，通过所述第一测试模块通过所述第三测试模块测试所述第二端口与所述第三端器中存储的指令，以使得所述计算设备执行如权利要求8至14中任意一项所述的可靠性测得所述计算设备执行如权利要求的8至14中任意一项所述的4指令由计算设备执行时，所述计算设备执行如权利要求8至14中任意一项所述的可靠性测5(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor，MOSFET)器件以其优异的高频MOSFET器件的生产过程中，高温栅偏(hightemperaturegatebias，HTGB)和高温反偏[0007]第一方面，提供了一种可靠性测试系统，该可靠性测试系统用于对待测器件6[0008]本申请实施例提供的可靠性测试系统能够进行高温栅偏(hightemperature试接口可以通过板级电路分别与多个DUT连接，相比于采用多个测试接口分别单独与多个7二测试模块测试该第二端口与该第三端口之8使得该计算设备执行第二方面或者第二方面的任意一种可能的实现方式的可靠性测试方[0043]本申请实施例描述的业务场景是为了更加清楚的说明本9应晶体管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor，MOSFET)器件以其优[0047]在SiCMOSFET器件的生产过程中，高温栅偏(hightemperaturegatebias，件工作在高温大功率的应用环境时，往往处于高温高压反偏的状态。在此情况下，SiCMOSFET器件生产过程中引入的游移杂质离子有可能在强电场的作用下发生移动，使得SiC端口116可以是漏极。又例如，在绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolar和该第一端口112连接，第二电应力施加模块170与该第三端口116和该第二端口114连接，第二测试模块180与该第三端口116和该第二端112用于控制第二端口114和第三端口116之间导通或不导通。图1中用圆圈表示第一端口平信号和负电平信号，该第一脉冲的脉冲频率和/或占空比(dutyratio)由第一半桥电路[0069]热应力施加模块150用于通过热传导加热该DUT110。由于热应力施加模块1[0073]本申请实施例中的第一电应力施加模块120施加的是交变信号，能够真实地还原[0074]可以理解，在应力施加阶段210，第二端口114和第三端口116之间可以短接并接[0076]第一测试模块160用于测试该第二端口114与该第一端口112之间的阈值电压。总端口114和第三端口116之间有电流流动。在第一端口112施加测试电压，以开启第一端口[0077]在一些实施例中，可以由第二电应力施加模块170在第二端口114和第三端口116电压源在第二端口114和第三端口116之间施[0078]在第二端口114和第三端口116之间施加电压可以体现在图2上部分的检测阶段220，但是图2仅仅是示意性的，显然还可以采用其他电压波形在第二端口114和第三端口该测试电压线性增大；该第一测试模块160具体用于，在该测试电压满足预设条件的情况块160可以采集第二端口114与第一端口112之间[0082]第一测试模块160还可以包括运放电路(图1中未示出)，以控制测试电压逐渐增实施例提供的可靠性测试系统100能够精确地采集满足预设条件的阈值电压，从而使得可该第二端口114和该第三端口116连接，该第三测试模块用于测试该第二端口114与该第三[0087]基于上述方案，本申请实施例提供的可靠性测试系统100还能够在HTRB测试中确[0089]图3是本申请实施例提供的可靠性测试系统100运行时的另一种示意图。图3的示[0091]在应力施加阶段310中，第二电应力施加模块170用于向第三端口116施加第二脉[0094]在一些实施例中，第一半桥电路140还用于向第一端口112施加负电压或零电[0097]在一些实施例中，第一半桥电路140在检测阶段320仍然用于向第一端口112施加[0099]在一些实施例中，第二测试模块180可以向第二端口114和第三端口116之间施加[0105]可靠性测试系统100中需要连接的各个模块可以与测试接口410相连。图4仅示出[0106]基于上述方案，本申请实施例提供的可靠性测试系统100具[0109]在一些实施例中，每个测试模块可以对应一个陶瓷基板，陶瓷基板用于加热DUT[0112]基于上述方案，本申请实施例提供的可靠性测试系统100具各个测试接口410可以通过板级电路分别与多个DUT110连接，相比于采用多个测试接口[0114]第二半桥电路控制脉冲频率和/或占空比的方法可以参见第一半桥电路，此处不[0116]本申请实施例提供的可靠性测试系统100能够进行HTGB测试和HTRB测试，在一个[0118]可靠性测试装置500可以包括控制模块510，该控制模块510用于控制前述任意一号用于指示第一半桥电路140控制第一脉冲的脉冲频率或占空比，或者用于指示第一半桥复杂程序逻辑器件(complexprogrammablelogicaldevice，CPLD)、现场可编程门阵列600应用于可靠性测试系统100，该可靠性测试方法600可以由任何具有计算功能的设备执件的情况下，通过该第一测试模块160确定该第二端口114与该第一端口112之间的阈值电[0133]总线702可以是外设部件互连标准(peripheralcomponentinterco[0134]处理器704可以包括中央处理器(centralprocessingunit，CPU)、图形处理器[0135]存储器706可以包括易失性存储器(volatilememory)，例如随机存取存储器(randomaccessmemory，RAM)。存储器706还可以包括非易失性存储器(non_volatile计算设备能够存储的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质的数据中心等数据存器件(例如继电器)进行测试。DSP芯片可以通过模拟数字转换器(analog_to_digital接的电路)，第一脉冲的脉冲频率或占空比由半桥电路控制，该半桥电路包括栅偏(gate恒压源DC3在DUT的第二端口114和第三端口116之间施加电压，恒流源DC2可以通过运算放th采样模块采集第一端口112和第二端口114之间的阈值电压。第二端口114和第三端口116之间施加第二脉冲。包括