标准解读

《GB/T 47239.2-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第2部分:柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法》是一项国家标准,旨在为评估柔性可拉伸半导体器件的关键电学性能提供统一的方法。该标准主要针对三类关键参数进行规范:电子迁移率、亚阈值摆幅以及阈值电压。

电子迁移率反映了载流子(如电子或空穴)在材料中移动速度与所施加电场强度的比例关系,是衡量半导体材料导电能力的重要指标之一。对于柔性器件而言,这一参数不仅影响其工作性能,还与其弯曲状态下保持良好导电性的能力密切相关。

亚阈值摆幅描述了当栅极电压低于阈值电压时,源漏电流随栅压变化的速度,通常用来表征晶体管开启特性的好坏。较低的亚阈值摆幅意味着更好的开关比和更低的功耗,这对于设计低功耗电子设备尤为重要。

阈值电压定义为使晶体管从截止状态转变为导通状态所需的最小栅极电压。它是决定晶体管工作点及电路逻辑功能实现的关键因素之一。准确测量并控制阈值电压有助于优化电路设计,提高系统整体性能。

本标准详细规定了上述三个参数的具体测试条件、实验步骤及数据分析方法,确保不同实验室间能够获得一致可靠的测试结果,促进科研成果共享与技术交流。通过遵循此标准,研究人员可以更加科学地比较不同材料或工艺条件下制备出的柔性可拉伸半导体器件之间的性能差异,从而推动相关领域技术创新与发展。


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....

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  • 即将实施
  • 暂未开始实施
  • 2026-08-28 颁布
  • 2027-03-01 实施
©正版授权
GB/T 47239.2-2026半导体器件柔性可拉伸半导体器件第2部分:柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法_第1页
GB/T 47239.2-2026半导体器件柔性可拉伸半导体器件第2部分:柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法_第2页
GB/T 47239.2-2026半导体器件柔性可拉伸半导体器件第2部分:柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法_第3页
GB/T 47239.2-2026半导体器件柔性可拉伸半导体器件第2部分:柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法_第4页
GB/T 47239.2-2026半导体器件柔性可拉伸半导体器件第2部分:柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法_第5页

文档简介

ICS3108099

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T472392—2026/IEC62951-22019

.:

半导体器件柔性可拉伸半导体器件

第2部分柔性器件的电子迁移率

:、

亚阈值摆幅和阈值电压评价方法

Semiconductordevices—Flexibleandstretchablesemiconductordevices—

Part2Evaluationmethodforelectronmobilitsub-thresholdswin

:y,g,

andthresholdvoltageofflexibledevices

IEC62951-22019IDT

(:,)

2026-08-28发布2027-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T472392—2026/IEC62951-22019

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验方法

4…………………2

概述

4.1…………………2

弯曲前电学特性测试

4.2………………2

弯曲中电学特性测试

4.3………………3

测试报告

4.4……………4

参考文献

………………………6

GB/T472392—2026/IEC62951-22019

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件是半导体器件柔性可拉伸半导体器件的第部分已经发

GB/T47239《》2。GB/T47239

布了以下部分

:

第部分柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法

———1:;

第部分柔性器件的电子迁移率亚阈值摆幅和阈值电压评价方法

———2:、;

第部分柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价

———3:;

第部分柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价

———4:;

第部分柔性材料热特性测试方法

———5:;

第部分柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法

———6:;

第部分柔性有机半导体封装薄膜阻挡特性测试方法

———7:;

第部分柔性电阻存储器延展性柔韧性和稳定性测试方法

———8:、;

第部分一晶体管一电阻式电阻存储单元性能测试方法

———9:(1T1R)。

本文件等同采用半导体器件柔性可拉伸半导体器件第部分柔性器件的

IEC62951-2:2019《2:

电子迁移率亚阈值摆幅和阈值电压的评价方法

、》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

删除了术语和定义中和术语数据库网址

———ISOIEC;

为保证标准各部分符号协调统一将亚阈值摆幅的符号由S更改为

———,“”“SS”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位工业和信息化部电子第五研究所浙江清华柔性电子技术研究院柔检嘉兴科

:、、()

技有限公司厦门大学中国电子科技集团公司第四十七研究所浙江工业大学上海交通大学中国计

、、、、、

量大学浙江迈沐智能科技有限公司厦门云天半导体科技有限公司

、、。

本文件主要起草人路国光牛皓杨晓锋韦覃如朱海斌何志峰彭光健陈思马丙戌田万春

:、、、、、、、、、、

赵鹤然高汭范剑峰王海建倪毅强石高明孙虎洪文晶马少鹏陈颖朱明敏周士潮吴文平

、、、、、、、、、、、、、

戴彬邢同振

、。

GB/T472392—2026/IEC62951-22019

.:

引言

柔性可拉伸半导体器件具有可拉伸可弯曲可变形质量轻形态可变等特点可在机器人皮肤可

、、、、,、

穿戴设备光电产品及储能类产品等领域应用随着半导体器件工艺的发展和柔性可拉伸半导体器件

、。

的广泛应用对产品的质量和可靠性水平提出了更高的要求半导体器件柔性可拉伸

,。GB/T47239《

半导体器件是柔性可拉伸半导体器件进行测试和试验的基础性标准对于评估柔性可拉伸器件的性

》,

能稳定性及可靠性起着重要的作用拟由个部分构成

、。9。

第部分柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法目的是规定柔性半导体基板上导电薄膜弯

———1:。

曲试验方法

第部分柔性器件的电子迁移率亚阈值摆幅和阈值电压评价方法目的是规定弯曲状态下

———2:、。

柔性薄膜晶体管器件的迁移率亚阈值摆幅和阈值电压等电参数评价方法

、。

第部分柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价目的是规定柔性基板在凸起状态

———3:。

下薄膜晶体管特性的评价方法

第部分柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价目的是规定柔性半导体器件基

———4:。

板上柔性导电薄膜的疲劳评价方法

第部分柔性材料热特性测试方法目的是规定柔性材料热特性的测试方法

———5:。。

第部分柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法目的是柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法

———6:。。

第部分柔性有机半导体封装薄膜阻挡特性测试方法目的是规定柔性有机半导体封装薄

———7:。

膜阻挡特性的测试方法

第部分柔性电阻存储器延展性柔韧性和稳定性测试方法目的是规定柔性电阻存储器的

———8:、。

术语和定义以及延展性柔韧性和稳定性的测试设备和测试流程

,、。

第部分一晶体管一电阻式电阻存储单元性能测试方法目的是规定一晶体管一电

———9:(1T1R)。

阻式电阻存储单元的术语和定义以及电阻存储单元性能参数的测试装置测试激励

(1T1R),、

和测试流程

所有部分均对应采用所有部分统一了柔性可拉伸半导体器件的测试

GB/T47239()IEC62951(),

和试验方法支撑柔性半导体器件产业的发展

,。

GB/T472392—2026/IEC62951-22019

.:

半导体器件柔性可拉伸半导体器件

第2部分柔性器件的电子迁移率

:、

亚阈值摆幅和阈值电压评价方法

1范围

本文件界定了用于评价和确定柔性薄膜晶体管器件性能特征的术语定义和符号描述了

(TFT)、,

评价方法本文件描述的评价方法和特征参数适用于准确评价柔性薄膜晶体管器件在实际弯曲状态下

的性能和可靠性

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

31

.

柔性薄膜晶体管flexiblethin-filmtransistorflexibleTFT

;

在机械柔性基板如聚合物和金属箔上制备的薄膜晶体管

()。

32

.

迁移率mobility

针对电子在电场方向上载流子电子平均速度的值除以电场强度的值所得的商

,

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