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任务2.1二输入与、或非门模块电路及版图设计与、或非门集成电路版图设计2.1.1二输入与非门模块电路

PMOSNMOSPMOS：低通高止NMOS：高通低止等效反相器设计法与非门中各MOS管的尺寸计算可采用等效反相器设计法，具体方法是：将与非门中的串联NMOS管等效为反相器中的NMOS管，将并联的PMOS管等效为反相器中的PMOS管。考虑到NMOS管是串联结构，为保持下降时间不变，M3和M4的等效电阻必须缩小一半，即它们的宽长比必须比反相器中的NMOS的宽长比增加一倍，即(W/L)M3，M4=2(W/L)N。考虑到二输入与非门的输入端A和B只要有一个为低电平，与非门输出就为高电平的实际情况，为保证在只有一个PMOS管导通的情况下，仍能获得所需的上升时间，要求M1和M2的宽长比与反相器中PMOS管相同，即(W/L)M1，M2=(W/L)P。2.1.2二输入与非门版图设计二输入与非门电路中NMOS管串联结构：(a)线路图(b)基本版图构造二输入与非门电路中NMOS管串联结构的版图：(a)源漏相连(b)相同端点合并（源-漏共用）2.1.2二输入与非门版图设计二输入与非门电路中PMOS管并联结构：(a)电路(b)版图二输入与非门电路中PMOS管(a)源漏对调(b)并联结构版图2.1.2二输入与非门版图设计其中PMOS晶体管长均为0.6μm，宽均为4μm；NMOS晶体管长均为0.6μm，宽均2μm2.1.3二输入或非门模块电路

低通高止高通低止2.1.4二输入或非门版图设计其中PMOS晶体管长

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