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文档简介
司一种基于AMB工艺的高温励磁线圈的制备方法本发明公开了一种基于AMB工艺的高温励磁600℃的使用环境中具有较好的可靠性和使用寿2S3:金属箔与氮化硅陶瓷真空烧结:在预覆钎焊膏S6:隔瓷片的制备:将瓷片按照单层氮化硅陶瓷2.根据权利要求书1所述的一种基于AMB工艺的高温励磁线圈的制备方法,其特征在3.根据权利要求书1所述的一种基于AMB工艺的高温励磁线圈的制备方法,其特征在4.根据权利要求书3所述的一种基于AMB工艺的高温励磁线圈的制备方法,其特征在5.根据权利要求书3所述的一种基于AMB工艺的高温励磁线圈的制备方法,其特征在6.根据权利要求书1所述的一种基于AMB工艺的高温励磁线圈的制备方法,其特征在7.根据权利要求书1所述的一种基于AMB工艺的高温励磁线圈的制备方法,其特征在8.根据权利要求书1所述的一种基于AMB工艺的高温励磁线圈的制备方法,其特征在9.根据权利要求书1所述的一种基于AMB工艺的高温励磁线圈的制备方法,其特征在310.根据权利要求书1所述的一种基于AMB工艺的高温励磁线圈的制备方法,其特征在4[0001]本发明涉及磁悬浮技术领域,具体为一种基于AMB工艺的高温励磁线圈的制备方能在180℃以下工作,其使用普通的绝缘漆硅陶瓷作为绝缘层基于AMB工艺制备的高温励磁线圈较传统的绕制励磁线圈将具有更高的[0005]本发明的目的在于提供一种基于AMB工艺的高温励磁线圈的制备方法,以解决现5步骤S7中,所述加压烧结过程中,温度为850~950℃,时间为0.5~1h,压力为0.01~[0027](1)本发明中金属线圈与氮化硅陶瓷的结合和隔瓷片与线圈瓷片的结合都是基于6属线圈与氮化硅陶瓷之间的结合层在550℃~600℃仍可以保持很高的结合强度,因此整个发明基于AMB工艺制备的励磁线圈在550℃~600℃的使用环境中具有更高的可靠性和使用[0028](2)本发明使用钎焊膏将金属箔高温钎焊固定在预开孔的陶瓷表面,并对金属箔[0029](3)本发明制备的励磁线圈中,单层氮化硅陶瓷上下面的金属线圈通过内部的通7[0040]S1:氮化硅陶瓷开孔:用激光切割设备在氮化硅陶瓷片上开设如图2所示的通孔表面处理后和隔磁片交错叠层烧结,成功制备了一种高温励磁线圈,在550℃~600℃的使以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。
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