CN119447024A 一种半导体结构的制备方法 （合肥晶合集成电路股份有限公司）_第1页
CN119447024A 一种半导体结构的制备方法 （合肥晶合集成电路股份有限公司）_第2页
CN119447024A 一种半导体结构的制备方法 （合肥晶合集成电路股份有限公司）_第3页
CN119447024A 一种半导体结构的制备方法 （合肥晶合集成电路股份有限公司）_第4页
CN119447024A 一种半导体结构的制备方法 （合肥晶合集成电路股份有限公司）_第5页
已阅读5页，还剩19页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

所述垫氮化层；对所述中间材料层进行氧化处22.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述中间材料层的材料包括无定型3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述3所述浅沟槽内形成绝缘介质层，直至所述浅沟槽内的所述绝缘介质层突出于所述垫氮化子体的注入剂量为1×1012ion/cm2_9×101545600和绝缘介质层504的化学性质和物理性质相近或相同后，再平坦化处理氧化材料层600672F2362的形成方法，例如可以通过高密度等离子体化学气相淀积（HighDensityPlasmaCVD，层504进行平坦化处理，直至暴露垫氮化层400。在本实施例中，例如通过化学机械研磨添加剂例如包括氯化钠和氯化铵等中的至少一种。由于绝缘介质层504和垫氮化层400的材行同时研磨，导致对垫氮化层400和绝缘介质层504的研磨速率存在较大差异，会使绝缘介绝缘介质层504的表面形成碟形凹陷。中，氧等离子体的注入能量例如为30keV_150keV，氧等离子体的注入剂量例如为1×8对氧化材料层600和绝缘介质层504具有相学机械研磨对垫氮化层400和绝缘介质层504进行平坦化处理，由于垫氮化层400和绝缘介构500的表面可以在氧化材料层600内，也可以在氧化材料层600和垫氧化层200的界面处，材料层600和绝缘介质层504的过程中，对氧化材料层600和绝缘介质层504的研磨速率相9

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 信息产业

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论