CN119447056A 半导体封装件、半导体封装件的制造方法和用于其的导热性组合物 （住友电木株式会社）

202080023193.62020.03.11有金属颗粒通过热处理产生烧结而形成的颗粒2所述导热性材料具有金属颗粒通过热处理产生烧结而形成的颗粒连结利用频率1Hz的动态粘弹性测定(DMA)测定的所述导热性材料的25℃时的储能模量为使用激光闪光法测定的所述导热性材料的25℃时的导热率为10W/mK以上。所述由金属构成的颗粒的体积基准的累积分布中的累积50％时的粒径D50为0.8μm以所述由金属构成的颗粒包含2种以上具有不同的粒径D5所述金属颗粒包含由树脂颗粒和形成在所述树脂颗粒的表面上的金属构成的金属涂所述金属颗粒包含由下述金属构成的颗粒，该金属由选自银、金和铜中的所述金属颗粒通过热处理产生烧结而形成颗粒连结花费60分钟将该导热性组合物从30℃升温至200℃,接着，在200℃热处理120分钟，获3使用该导热性组合物，按照下述步骤B测定的25℃的储能模量E为1GPa以上10.0GPa以花费60分钟将该导热性组合物从30℃升温至200℃,接着，在200℃热处理120分钟获得在基板的一面上，以半导体元件的另一面与所述基板的一面在所述半导体元件的一面侧的表面上涂敷含有金属颗粒的导热以与所述导热性组合物接触并且覆盖所述半导体元件的至少一面的方式配置散热器对包含所述基板、半导体元件、导热性组合物和所述散热器的结在所述进行加热处理的步骤中，经由包含所述金属颗在所述涂敷步骤之后且所述配置步骤之前包括使所述导热性组4[0004]在专利文献1中记载有一种安装于电子电路基板上的半导体元件(发热体)和散热片经由导热性双面胶(由粘接剂构成的导热性材料)粘接的半导体封装件(专利文献1的实硼、氧化铝或氧化锌的热塑性凝胶作为粘接半导体元件和散热器(heatspreader)等散热件和包围所述半导体元件的周围的散热器(heatspreader)，且所述半导体元件和所述散5物接触并且覆盖所述半导体元件的至少一面的方式配置散热器的步骤；和对包含所述基热处理的步骤中，经由包含所述金属颗粒产生烧结而形成的颗粒连结结构的导热性材料，[0026]在这种半导体封装件100中，导热性材料50具有通过热处理使金属颗粒产生烧结观察沿半导体元件20和散热器30的层叠方向切割导热性材料50时的6盖半导体元件20的侧面周围的方式设置于板状部件的[0041]导热性材料50设置在半导体元件20的一面和与该一面相对的散热器30的另一面热性材料50可以使用具有通过热处理使金属颗粒产生烧结而形成的颗粒连结结构的导热7闪光法以25℃在厚度方向上进行测定而获得。[0045]上述由金属构成的颗粒的平均粒径D50的下限例如为0.8[0046]上述由金属构成的颗粒的粒径的标准偏差的上限为2.0μm以下，优选为1.9μm以模量可以通过利用频率1Hz的动态粘弹性测定(DMA)进行8[0063]花费60分钟将该导热性组合物从30℃升温至200℃,接着，在200℃热处理120分[0064]使用该导热性组合物，按照下述步骤B测定的25℃的储能模量E的上限例如为[0069]上述金属涂敷树脂颗粒由树脂颗粒和形成在树脂颗粒的上述金属涂敷树脂颗粒可以为金属层包覆树脂颗粒的表也可以将2种以上组合使用。可以由使用这些的聚合物构成树脂颗粒。聚合物可以为均聚9[0083]上述金属颗粒的一个方式中，作为上述金属涂敷树脂颗粒包含银涂敷硅树脂颗[0086]上述由金属构成的颗粒的平均粒径D50的下限例如为0.8[0088]另外，金属颗粒的平均粒径D50例如可以通过使用希森美康株式会社(Sysmex~50质量优选为3质量45质量更优选为5质量40质量％。通过使金属涂敷树[0091]上述金属颗粒的含量，相对于导热性组合物整体(100质量％)为1质量98质量优选为30质量95质量更优选为50质量90质量％。通过使金属颗粒的含量该丙烯酸树脂在25℃可以为液态。[0102]作为上述烯丙基树脂，可以使用在1个分子内具有2个以上的烯丙基的烯丙基树方面，上述粘合剂树脂的含量的上限，相对于导热性组合物100质量份例如为15质量份以[0109]通过使用上述单体，能够调整进行了加热处理时的上述导热性组合物的挥发状缩合而得到的化合物的羟基中的氢原子被碳原子数1以上30以下的有机基团取代成为烷氧[0116]上述丙烯酸单体可以为在分子中仅具有1个(甲基)丙烯酸基的单官能丙烯酸单基)丙烯酰胺或1,4双((甲基)丙烯酰基)哌[0121]上述环氧单体可以为在分子中仅具有1个环氧基的单官能环氧单体，也可以为在[0125]上述马来酰亚胺单体可以为在分子中仅具有1个马来酰亚胺环的单官能马来酰亚[0135]上述固化剂的含量，相对于导热性组合物中的上述粘合剂树脂100质量份例如可[0147]上述硅烷偶联剂能够提高使用了导热性组合物的密合层与基材或半导体元件的3缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷等环氧硅烷；分子量的挥发性硅油或挥发性有机改性硅油等硅油类中的1种或2处理而获得的粘接层中产生孔隙。该高沸点溶剂的沸点例如可以为180℃~450℃,也可以为200℃~400℃。[0160]本实施方式的半导体封装件100的一个例子，可以使用上述的导热性组合物来制一面与基板10的一面相对的方式设置半导体元件20的步骤；在半导体元件20的一面侧(与另一面相反的一侧)的表面上涂敷含有金属颗粒的上述导热性组合物的步骤；以与导热性[0163]并且，半导体封装件100的制造方法可以在涂敷步骤之后且在配置步骤之前包括[0183]·硅烷偶联剂1：甲基丙烯酸3_(三甲氧基硅基)丙酯(信越化学工业株式会社1μm)5050[0200]花费60分钟将所获得的导热性组合物从30℃升温至200℃,接着，在200℃热处理[0206]花费60分钟将所获得的导热性组合物从30℃升温至200℃,接着，在200℃热处理120分钟获得