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201811510321.02018.12.11本公开涉及一种半导体器件结构和制造半且金属层布置在所述电触点上并且电连接到所主体的侧表面并且至少部分地覆盖所述封装主2其中所述多个电触点暴露在所述封装主体的其中所述金属层延伸到所述封装主体的侧表面并且至少部分地覆盖所述封装主体的提供多个间隔开的半导体晶片，每个半导体晶片具有其上形成有一在每个所述封装主体的顶表面上形成金属层，其中所述金属层与所述电触点电接触，3[0003]晶元级封装件(WLP)形式的半导体器件对于需要具有改善的电气性能的小型器件[0005]图1b是WLP100的沿着图1a的线A_A的部分108的放大的示意性底部平面图。WLP这可能导致I/O焊盘102和WLP100的晶片[0009]可选地，所述金属层可以包括铜并且所述金属层可以涂覆有例如锡的可润湿材4[0017]图1b示出了图1a的传统的晶元级半导体器件沿着图1a的线A_A的放大的底部平面204具有形成在其上的一个或多个电触点206。半导体晶片202可以包括例如晶体管或二极管的一个或多个有源部件(未示出)以及一个或5顶部可以与模制材料210的顶部基本齐平。可替代地，触点的顶部可以布置成在模制材料[0034]分别电连接到电触点206的金属层218通过位于其间的间隙220彼此分开和隔离。金属层218在半导体器件200的金属电触点206和I/O焊盘222(下面讨论)之间形成金属间[0035]金属层218可以包括铜，并且金属层218通过例如电镀工艺涂覆有可润湿材料(例的顶表面204(除了如上所述的电触点的位置之外)被模制材料覆盖，所以封装的半导体晶伸跨越封装主体的顶表面的整个宽度并且还跨越封装主体的侧表面214的整个宽度。当半I/O焊盘222可以延伸部分地跨越封装主体的顶表面的宽度并且还部分地跨越封装主体的[0039]图4a至图4e示出了根据实施例的模制晶元级半导体器件的步骤。半导体晶片202模制工艺可以是薄膜辅助模制工艺，由此载带402防止模制材料212覆盖电触点206的顶表6如薄膜框架载台(FFC))，以在单个化期间将各个半导体器件202保持在适当位置(如下所[0043]在将半导体晶片202安装在FFC404上之后，在朝向FFC404的方向上对模制材料[0048]在所附独立权利要求中阐述了本发明的特定和优选方面。来自从属权利要求和/[0049]本公开的范围包括明确地或隐含地公开的任何新颖特征或特征的组合或其任何7[0050]在单独的实施例的上下文中描述的特征也可以在单个实89

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