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文档简介

进行曝光；采用显影液对光刻胶膜进行显影处化的光刻胶层为掩膜采用显影液对阻挡膜进行刻蚀，使阻挡膜形成位于光刻胶层底部的阻挡2在所述阻挡膜背离所述半导体前制程结构的去除所述图形化的光刻胶层之后，以所述阻3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述阻挡层的宽度为位于所述上波导层背离所述有源层一侧的上限制层，位于3[0002]集成光子技术是光子技术的重要发展方向，其集成光子器件由于具有易集成化、层背离所述下限制层一侧的有源层；位于所述有源层背离所述下波导层一侧的上波导层；4成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜采用显影液对所述阻挡膜进行刻[0016]进一步的，对所述光刻胶膜的部分区域进行曝光的光源的波长为365n[0019]进一步的，所述阻挡膜的厚度与所述脊型区的半导体前制程结构的深度之比为5便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、阻挡膜形成位于所述光刻胶层底部的阻挡层，所述阻挡层的宽度小于所述光刻胶层的宽6[0042]在一个实施例中，所述光刻胶膜30的厚度为0.5um－2um，例如0.8um、1.0um、7[0050]在一个实施例中，对所述光刻胶膜的部分区域进行曝光的光源的波长为365nm-要延长显影液对所述阻挡膜刻蚀的时间，因此所述光刻胶膜仅需要满足曝光出需要的图[0053]在一个实施例中，以所述图形化的光刻胶层3为掩膜采用显影液对所述阻挡膜2089

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