CN119447990A 一种光子晶体边发射激光器及其制备方法 （无锡市华辰芯光半导体科技有限公司）

司方向上包括矩形的第三目标区域和第三目标区第三目标区域形成电流注入区。与相关技术相比，本发明可以增强激光器在横向上的散热特2所述激光器基体在竖直方向上包括矩形的第三目标区域和所述第三目标区域长度方对所述第一目标区域的所述P型盖层一侧进行离子注入工艺，在所述第一目标区域形所述第一目标区域形成模式过滤区，所述第二目标区域形成所述离子注入区包括所述第一目标区域的所述P型盖层及其对应的部分所述P型包覆所述在所述第一目标区域和所述第二目标区域形成光子晶体在所述第一目标区域形成第一凹槽，在所述第二目标区域形成在所述第一凹槽暴露的所述P型包覆层形成多个第三开孔；所述第三开孔的宽度小于将所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三开孔向下刻蚀第二距离所述对所述第一目标区域的所述P型盖层一侧进行离子注入工艺，在所述第一目标区在所述P型盖层背向所述P型包覆层的一侧表在所述硬掩模层背向所述P型盖层的一侧表面形成第一图形化光刻胶层；所述第一图所述对所述第一目标区域的所述P型盖层一侧进行离子注入工艺，在所述第一目标区对所述第一目标区域的P型盖层对应的所述硬掩模层一侧进行离子注入工艺，所述第一目标区域的所述P型盖层的及其对应的部分所述P型包覆层3所述在所述第一目标区域形成第一凹槽，在所述第二目标区域形在所述硬掩模层背向所述P型盖层的一侧表面形成第二图形化光刻胶层；所述第二图形化光刻胶层暴露所述第一凹槽和所述第二凹槽对应的刻蚀所述第一凹槽和所述第二凹槽对应的所述硬刻蚀所述第一凹槽和所述第二凹槽对应的所述P型盖层，在所述第一目标区域形成第在所述硬掩模层背向所述P型盖层一侧表面形成绝缘层，所述绝缘层还填充所述第一在所述绝缘层背向所述硬掩模层的一侧表面形成金属种子层在所述金属种子层背向所述绝缘层的一侧表面在减薄后的所述衬底背向所述N型包覆层的一侧表面所述在所述第一目标区域形成第一凹槽，在所述第二目标区域形成第二凹槽的步骤所述在所述第一凹槽暴露的所述P型包覆层形成多个第三开孔在多个所述第一开孔暴露的所述P型包覆层形成多个第三开孔；每个第一开孔位置对所述在所述第一凹槽暴露的所述P型包覆层形成第三开孔的步骤中，所述第三开孔深4所述将所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三开孔向下刻蚀第二距述第三开孔的深度为第一距离；所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度为所述P型盖层的厚所述激光器基体在竖直方向上包括矩形的第三目标区域和所述第三目标区域长度方所述第一目标区域中包括离子注入区；所述第一目标区域为模所述离子注入区包括所述第一目标区域的所述P型盖层及其对应的部分所述P型包覆所述模式过滤区中包括第一光子晶体；所述第一光子晶体包括第一绝缘槽和空气柱；所述电流限制区中包括第二光子晶体；所述第二光子晶体为第二绝缘所述离子注入区的深度为0.5μm；所述离子注入区包括所述P型盖层和部分所述P型包所述电流注入区与最近的第一凹槽边缘的距离为5μm，所述电流注入区与最近的第二所述第一绝缘槽的深度和所述第二绝缘槽的深度为0.4μm；所述空5[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种光子晶体边发射激光器及其制备方激光器基体在竖直方向上包括矩形的第三目标区域和第三目标区域长度方向两对第一目标区域的P型盖层一侧进行离子注入工艺，在第一目标区域形成离子注6[0007]在一种可选的实施方式中，离子注入区包括第一目标区域的P型盖层及其对应的在第一凹槽暴露的P型包覆层形成多个第三开孔；第三开孔的宽度小于第一凹槽7在硬掩模层背向P型盖层的一侧表面形成第一图形化光刻胶层；第一图形化光刻对第一目标区域的P型盖层一侧进行离子注入工艺，在第一目标区域形成离子注对第一目标区域的P型盖层对应的硬掩模层一侧进行离子注入工艺，第一目标区域的P型盖层的及其对应的部分P型包覆层形成在硬掩模层背向P型盖层的一侧表面形成第二图形化光刻胶层；第二图形化光刻在减薄后的衬底背向N型包覆层的一侧表面[0015]在一种可选的实施方式中，在第一凹槽暴露的P型包覆层形成多个第三开孔的步在多个第一开孔暴露的P型包覆层形成多个第三开孔；每个第一开孔位置对应形8激光器基体在竖直方向上包括矩形的第三目标区域和第三目标区域长度方向两[0019]在一种可选的实施方式中，离子注入区包括第一目标区域的P型盖层及其对应的第二目标区域的P型盖层及部分P型包覆层中；第二绝缘槽的深度小于离子注入区的深度；电流注入区与最近的第一凹槽边缘的距离为5μm，电流注入区与最近的第二凹槽9[0022]图1是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法的流程示意[0023]图2是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中激光器基体[0024]图3是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中激光器基体[0025]图4是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中在图3基础[0026]图5是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法的具体流程示[0027]图6A是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中形成离子[0028]图6B是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中图6A的结[0029]图7A是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中形成第二[0030]图7B是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中图7A的结[0031]图8是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中形成第一硬[0032]图9A是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中形成第一[0033]图9B是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中第一凹槽[0034]图10是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中形成第三[0035]图11是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中形成第三[0036]图12是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中第三开孔[0037]图13是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中在图12基[0038]图14是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中在图13基[0039]图15是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中形成电极[0040]图16是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中形成金属[0041]图17是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中形成第一[0042]图18是根据本发明实施例的一种光子晶体边发射激光器的制备方法中形成第二差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形法腐蚀一定深度，主要用于提供横向折射率阶梯和控制电流注入。③在表面GaAs层刻蚀以及外延结构保护。④在Ridge上方通过一道光刻形成电流注入窗口(Pmetalwindow体在竖直方向上包括矩形的第三目标区域A3和第三目标区域A3长度方向两端的第二目标[0054]在一些可选的实施方式中，离子注入区包括第一目标区域A1的P型盖层17及其对在第一凹槽31暴露的P型包覆层16形成多个第三开孔33；第三开孔33的宽度小于[0057]在一些可选的实施方式中，对第一目标区域A1的P型盖层17一侧进行离子注入工在P型盖层17背向P型包覆层16的一侧表面形在硬掩模层20背向P型盖层17的一侧表面形成第一图形化光刻胶层81；第一图形对第一目标区域A1的P型盖层17一侧进行离子注入工艺，在第一目标区域A1形成对第一目标区域A1的P型盖层17对应的硬掩模层20一侧进行离子注入工艺，第一在硬掩模层20背向P型盖层17的一侧表面形成第二图形化光刻胶层82；第二图形化光刻胶层82暴露第一凹槽31和第二凹槽32掩模凹槽，第一硬掩模凹槽和第二硬掩模凹槽分别暴露第一凹槽31和第二凹槽32对应的P刻蚀第一凹槽31和第二凹槽32对应的P型盖层17，在第一目标区域A1形成第一凹露P型包覆层16的表面；第一凹槽31和第二凹槽32分别与第一硬掩模凹槽和第二硬掩模凹在硬掩模层20背向P型盖层17一侧表面形成绝缘层40，绝缘层40还填充第一硬掩在金属种子层60背向绝缘层40的一侧表面在减薄后的衬底11背向N型包覆层12的一侧表面形成第[0062]在一些可选的实施方式中，在第一凹槽31暴露的P型包覆层16形成多个第三开孔在多个第一开孔暴露的P型包覆层16形成多个第三开孔33；每个第一开孔位置对[0063]在一些可选的实施方式中，在第一凹槽31暴露的P型包覆层16形成第三开孔33的33的深度为第一距离；第一凹槽31和第二凹槽32的深度为P型盖层17的厚度与第二距离之电流注入区D与最近的第一凹槽31边缘的距离为5μm，电流注入区D与最近的第二[0065]如图5所示，本发明还提供一种光子晶体边发射激光器的制备方法的具体流程示意图，用于制备芯片为940nm12W大功率的边发射激光器，包括但不限于步骤S201至步骤13的组分为20~30%AIGaAs，有源层14的组分为InGaAs，P型波导层15的组分为20~30%[0071]步骤S204，对第一目标区域A1的P型盖层17对应的硬掩模层20一侧进行离子注入最近的第一开孔边缘的距离为5μm，第三目标区域A3与最近的第二开孔边缘位于第三目标区域A3两侧的第一开孔之间的最小距离为100μm。第一开孔和第二开孔的直[0083]具体实施时，首先在硬掩模层20背向P型盖层17的一侧表面形成第三图形化光刻激光器基体在竖直方向上包括矩形的第三目标区域A3和第三目标区域A3长度方向两端的第二目标区域A2，以及位于第三目标区域A3和第二目标区侧部的第一目标区域[0097]在一种可选的实施方式中，离子注入区包括第一目标区域A1的P型盖层17及其对模式过滤区B中包括第一光子晶体51；第一光子晶体51包括第一绝缘槽41和空气电流注入区D与最近的第一绝缘槽41边缘的距离为5μm，电流注入区D与最近的第本领域技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。地结合使用。