【《Si基ZnO异质结二极管的制备方法和改进分析案例》4200字】_第1页
【《Si基ZnO异质结二极管的制备方法和改进分析案例》4200字】_第2页
【《Si基ZnO异质结二极管的制备方法和改进分析案例》4200字】_第3页
【《Si基ZnO异质结二极管的制备方法和改进分析案例》4200字】_第4页
【《Si基ZnO异质结二极管的制备方法和改进分析案例》4200字】_第5页
已阅读5页，还剩2页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

Si基ZnO异质结二极管的制备方法和改进分析案例目录TOC\o"1-3"\h\u7807Si基ZnO异质结二极管的制备方法和改进分析案例 图1.7所示。从XRD图谱可以看出，所有样品中只观察到[002]衍射峰，这种情况证实了所得样品都是六方纤锌矿晶体结构。当反应中的N2增加时，[002]衍射峰向角度小的方向产生了非常小距离的移动，这段微小距离的产生表明了薄膜外表的应力出现了变动。随着N2流量变大，ZnO薄膜的晶粒尺寸逐渐变小，这可能是由于ZnO晶格中Zn原子被N原子取代所致。通过电导率的变化，观察了制备样品的紫外检测性能。与其他样品相比，NZ2样品获得了高的光电流，这可能是由于其高结晶度所致。由于结晶度较高，薄膜中产生的光生电子较多。射频溅射技术适合于制备具有不同N2反应气体流量的异质结构，并可用于薄膜的紫外检测。观察得到所有样品均为纤锌矿结构，表明氮气流量对其晶体结构无影响。观察到，随着N2流量的增加（从5到8sccm），光学带隙开始减小，但随着N2流量的持续增加（从15到18sccm），光学带隙增大。光电二极管表现出快速切换紫外光响应行为。结果表明，n-ZnO/p-Si异质结是一种很好的光电传感器[13]。图STYLEREF1\s4.SEQ图\*ARABIC\s17(NZ1

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 工业设计

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论