CN119452458A 电子装置、电子装置的制造方法 （日立安斯泰莫株式会社）

2024.12.26PCT/JP2023/0212192023.06.07WO2024/038665JA2024.02.22本发明的电子装置包括具有Ni基电极的第后的Sn基焊料的基体相中作为(Pd、Ni)Sn4化合2所述第一电子部件是具有多个所述Ni基电极的半导Sn5化合物层至少存在于多个所述Ni基电极中散热需要最长时间的所Sn5化合物层中的Ni含有率为5wt.％以下。5.一种电子装置的制造方法，该电子装置包括包含配置工序，该配置工序针对在所述Ni基电极的外周所述第一电子部件是具有多个所述Ni基电极的半导在所述配置工序中，至少在多个所述Ni基电极中散热需要最长时在所述接合部界面处形成厚度为所述第一电子部件的Ni电极上的Pd层的厚度的40倍Sn5化合物层。3[0002]由于RoHS指令和ELV指令对搭载在汽车上的电子控制装置中的铅的使用进行了限4认为是由于当形成在半导体元件的Ni基电极上的Pd进行焊料接合时，Pd扩散到熔融的Sn间的温度差较小的情况，图2的右侧示出了焊料凝固开始和凝固结束之间的温度差较大的设与半导体元件1的一侧相比从发射极侧引线2的一侧散发更多的热量的情况下，缩孔1015[0014]含有比共晶成分更多的Cu的加铜焊料24在焊料中含有较多用标号25[0015]此时，根据半导体元件1的Pd厚度来控制焊料中包含的Cu的含有量和焊料接合部Pd)6Sn5中的Pd为3.6重量因此关于Pd的重量下式1成[0021]图4是示出为了进行比较而使用了一般的焊料的结构的图。图示的左侧表示接合例如Sn_3Ag_0.5Cu那样的Sn基无6图5所示的半导体元件1被夹在图示下方的集电极侧引线12和图示上方的发射极侧引线2之的标号13的集电极侧接合部的冷却较快，而用标号3表示的发射极侧接合部的冷却速度较接合的半导体元件1的上表面的电极上配置发射极侧焊料24_1，并且在其上层叠并接合具量％的Ag且含有在3重量％以上且小于6重量％的C参考图9和图10来说明实施例7～9。图9所示的半导体装置100B的制造方法如下。7参考图9和图11来说明比较例3～4。仅基板上部焊料24_3和基板下部焊料24_4的组成与实施例7～9不同。比较例3～4也以同样的方式制作半导体装置并进行了评价。比较例3～4的基板上部焊料24_3和基板下部焊料24_4各自的组成如图11的“基板上部焊料”和(1)作为电子装置的半导体装置100包括具有Ni基电极的半导体元件1、和经由Sn5wt.％以下。[0034](4)包括具有Ni基电极的半导体元件1和经由Sn基焊料与Ni基电极接合的发射极侧引线2的半导体装置100的制造方法包括:对于在Ni基电极的外周形成有Pd层的半导体元件1，在Pd层的表面配置含有比共晶成分更多的Cu的加铜焊料24的配置工序。半导体装置Sn5化合物层形成于Ni基电极和Sn基焊料之间的接合部界面。图示上侧的Ni基电极和发射极侧引线31之间，配置含有比共晶成分更多的Cu的加铜焊料在上述实施方式1中，对用于抑制在作为半导体元件的功率模块的接合部中的缩89