CN119452557A 半导体冷却装置、功率转换装置、半导体冷却装置的制造方法 （日立安斯泰莫株式会社）

2024.12.20PCT/JP2023/0152202023.04.14WO2024/009584JA2024.01.11第一制冷剂流路接触的各个散热面配置在与所述第一制冷剂流路的延伸方向和所述多个半导制冷剂流路具有能在所述交叉方向上变形的变2多个第一制冷剂流路，该多个第一制冷剂流路分多个所述半导体模块分别与多个所述第一制冷剂流多个所述半导体模块的与多个所述第一制冷剂流路接触的各个散热面配置在与所述第一制冷剂流路的延伸方向和所述多个半导体模块的配置方向所述第一制冷剂流路在与所述流路管连接的部分具有能在所述交叉方向上变形的变所述变形部设置在与所述第一制冷剂流路交叉的所述交所述半导体模块的一个面上配置所述第一制冷剂流路，在另一个面上配置所述第二制冷剂流路经由所述半导体模块与所述第一制冷剂流路相对配所述第二制冷剂流路对多个所述半导体模块进行单面冷却，具有比在多个所述第一制冷剂流路中，在靠近所述流路管的出口侧的管的所述第一制冷剂流路比在靠近所述流路管的入口侧的位置处连接到所述流路管的所在所述第一制冷剂流路和所述第二制冷剂流路中的分别与所述半导体模块相对的面所述基板具有多个布线层，该多个布线层分别连接到多个所述半导将多个第一制冷剂流路和一对流路管接合，该多个第一制冷剂流路3将接合后的多个所述第一制冷剂流路和一对所述流路管安装在所述半将多个第一制冷剂流路与多个半导体模块接合，该多个第一元件并且并排配置在基板上的多个所述半导体模将沿着多个所述半导体模块的配置方向延伸的一对流路管接合到多个所述第一制冷4[0003]下面的专利文献1中公开了一种冷却器的结构，其可以在不增加部件数量的情况降低，也存在由于这种高度差引起的散热面的偏差而降低作为冷却装置的可靠性的问题。路接触的各个散热面配置在与所述第一制冷剂流路的延伸方向和所述多个半导体模块的5图1(a)是表示将半导体冷却装置安装在设置于基板上的多个半导体模块上的整体立体图，图1(b)是半导体冷却装置的立体图。半导体冷却装置100(以下称为冷却装置100)包括将功率转换装置的用于承担功率转换部的多个半导体模块共同固定的印刷基板4多个第一制冷剂流路1在两端分别连接到一对流路管2。在多个第一制冷剂流路16冷却装置100包括内置有半导体元件的多个半导体模块10、与多个半导体模块10侧的第一制冷剂流路1b可以形成得比在靠近流路管2的入口侧的位置处连接到流路管2的[0017]第二制冷剂流路13经由半导体模块10与第一制冷剂流路1相对地设置，并且形成模块10和电导通的作用。基板4具有多个布线层，多个布线层分别连接到多个半导体模块一制冷剂流路1在与一对流路管2的连接部分上分别具有可在交叉方向上变形的变形部3。[0022]连接到第一制冷剂流路1的一对流路管2被板簧等水路固定部件9覆盖，水路固定7方向(图3的左右方向)和多个半导体模块10的配置方向(图3的前后方向)交叉的交叉方向在半导体模块10的配置方向上变形，所以吸收各个半导体模块10相对于第一制冷剂流路1图5(a)是图3的变形例2，图5(b)是图5(a)所示的变形例的结构的一部分的剖视冷却装置100的制造方法例如如下首先，将与内置半导体元件并且并排配置在基8与内置半导体元件并且并排配置在基板4上的多个半导体模块10对应地设置的多个第一制剂流路1与半导体模块10的每个相对应地6分割来吸收公差的上述结构变为将半导体模块制冷剂流路13成为与半导体模块10的每个相对应[0033](1)包括内置有半导体元件的多个半导体模块10、与多个半导体模块10分别对应流路1接触的各个散热面配置在与第一制冷剂流路1的延伸方向和多个半导体模块10的配[0037](5)第二制冷剂流路2经由半导体模块10与第一制冷剂流路1相对地配置，并且形的第一制冷剂流路1b比在靠近流路管2的入口侧的位置处连接到流路管2的第一制冷剂流[0040](8)在第一制冷剂流路1和第二制冷剂流路中的与半导体模块10相对的面上分别9体元件并且并排列配置在基板4上的多个半导体模块10分别对应地设置的多个第1制冷剂流路1、以及连接到多个第1制冷剂流路1并且沿着多个半导体模块10的配置方向延伸的一导体元件并且并排配置在基板4上的多个半导体模块10对应地设置的多个第一制冷剂流路