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文档简介
高电压技术期末考试复习题及答案
1.原子吸收能量较小时,会发生()现象
_________________________________1答案:激发)
2.原子吸收能量较大时,会发生()现象
_________________________________1答案:游离)
3.气体带电质点的来源包括:
气体本身游离(正确答案)
杂质
金属表面游离(正确答案)
放电
4.空气在正常情况下()很小,为良绝缘体。
A、G(正确答案)
B、C
C、R
D、X
5.气体间隙上的()过高时,气体会由绝缘状态装变为良导体,这种现象称
为气体击穿。
A、I;(正确答案)
B、I
C、P
D、Q
6.气体放电方式包括:
A、辉光(正确答案)
B、电晕(正确答案)
C、火花(正确答案)
D、电弧(正确答案)
7.气体分子本身发生游离的方式有:
A、光游离(正确答案)
B、碰撞游离(正确答案)
C、热游离(正确答案)
D、激发
8.碰撞游离的碰撞主体是和—
空1答案:电子
空2答案:气体分子
9.什么样的质点不容易发生碰撞?
A、尺寸小(正确答案)
B、尺寸大
C、质量大
D、质量小
10.光子的来源包括:、
空1答案:外界
空2答案:反激发
空3答案:符合
11.热游离是____和的综合
空1答案:碰撞游离
空2答案:光游离
12.气体的击穿击穿过程,分为几类?
A、均匀电场、小6d(正确答案)
B、均匀电场、bd较大(正确答案)
C、不均匀电场、长间隙(正确答案)
D、不均匀电场、矩间隙(正确答案)
13.均匀电场、小bd间隙的击穿,我们用汤逊理论解释,击穿过程主要发生
了哪些现象?
A、碰撞游离(正确答案)
B、负极表面游离(正确答案)
C、热游离
D、电解
14.什么是电子崩?
15.电子崩向前发展过程中,正疡子可以看作
A、静止不动(正确答案)
B、匀速向前
C、加速运动
D、自由运动
16.什么是放电?
A、自由带电质点定向运动(正确答案)
B、电流(正确答案)
C、电压
D、自由电荷定向运动(正确答案)
17.均匀电场、小5d间隙的击穿理论中,6代表
空1答案:气体密度
18.均匀电场、小Bd间隙的击穿理论中,d代表o
空1答案:间隙距离
19.巴申定律与汤逊理论的关系是什么?
20.汤逊理论适用范围是3d
A、小于26nmi(正确答案)
B、大于26mm
C、等于26mm
D、不等于于26mm
21.对于均匀电场、较大bd间隙的击穿,我们用解释。
空1答案:流注理论
22.均匀电场、较大Bd间隙,其被击穿的主要因素是和
空1答案:碰撞游离
空2答案:空间光游离
23.均匀电场中,放电一旦发生____,气体就会击穿。
空1答案:自持
24.流注理论中,电场为什么畸变?
A、电子崩产生大量的空间电荷(正确答案)
B、电场不均匀
C、受到外界干扰
D、先导
25.流注理论中,崩头前方电场()
A、增强(正确答案)
B、减小
C、不变
26.流注理论中,正负电荷交界处的电场()
A、增强
B、减小(正确答案)
C、不变
27.流注理论中,崩尾前方电场()
A、增强(正确答案)
B、减小
C、不变
28.气体间隙上的()过高时,气体会由绝缘状态装变为良导体,这种现象
称为气体击穿。
A、1(正确答案)
B、I
C、P
D、Q
29.流注形成前,会出现
A、主电子崩(正确答案)
B、二次电子崩(正确答案)
C、初始电子崩(正确答案)
D、先导电子崩
30.二次崩头部的电子进入主电子崩头部后,大多成为负离子,上述情形出现
的原因是:
A、E很大(正确答案)
B、E很小
C、E畸变(正确答案)
D、电子运动速度快、自由行程长
31.流注是
A、等离子体(正确答案)
B、电子崩的头部
C、电子崩的尾部
D、内部正负离子大致相等(正确答案)
32.流注内部
A、E很大
B、G很大(正确答案)
C、£很大
D、内部正负离子大致相等(正确答案)
33.反激发和复合产生的光子,是否一定引起光游离?
A、是
B、否(正确答案)
34.流注头部是
A、二次崩留下的正电荷(正确答案)
B、二次崩留下的负电荷
C、二次崩留下的电子
D、二次崩产生的全部电荷
35.流注前方的电场被增强的原因是
A、二次崩留下的正电荷(正确答案)
B、电场畸变(正确答案)
C、新的二次崩
D、其他
36.流注发展的主要因素是
A、流注前方新的二次崩(正确答案)
B、流注后方新的二次崩
C、流注内部新的二次崩
D、其他
37.流注接近负极时,流注通道炽热,发生热游离,最终击穿时看到
A、火花(正确答案)
B、电弧(正确答案)
C、电晕
D、辉光
38.从正极向负极发
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