CN119462163A 一种高熵陶瓷粉体及其制备方法和应用 （广州大学）

2ZrCl4率升至1500_2200℃,然后在1500_2200℃下保持0.5_9.一种高熵陶瓷粉体，其特征在于，根据权利要求1_8任一项所述的制备方法制备得10.权利要求1_8任一项所述的制备方法制备得到的高熵陶瓷粉体或权利要求9所述的3罗来纳州立大学Maria和杜克大学Curtarolo等人首次合成一种岩盐结构的(MgNiCoCuZn)O[0006]例如，骆建团队(High_EntropyMetalDiborides:ANewClassofHigh_EntropyMaterialsandaNewTypeofUltrahighTemperatureCeramics,ScientificReports,2016,6:37946)直接将5种硼化物商业粉体进行高能球磨，再进行放电等离子烧降低了硼化物陶瓷的多种性能。广东工业大学郭伟民等(Densehigh_entropyborideceramicswithultra_highhardness,ScriptaMaterialia,2019,164:135－139)以金属4可有效防止单体自聚和液体的偏聚；然后依次加入碳源和硼源制备纯度较高的前驱体溶ZrOCl25[0031]图1为本发明1500℃热处理后所得(Ta0.25Nb0.25Zr0.25Ti0.25)B2高熵陶瓷粉体的XRD[0032]图2为本发明1600℃热处理后所得(Ta0.25Nb0.25Zr0.25Ti0.25)B2高熵陶瓷粉体的XRD[0033]图3为本发明1700℃热处理后所得(Ta0.25Nb0.25Zr0.25Ti0.25)B2高熵陶瓷粉体的XRD[0034]图4为本发明1800℃热处理后所得(Ta0.25Nb0.25Zr0.25Ti0.25)B2高熵陶瓷粉体的XRD[0035]图5为本发明2000℃热处理后所得(Ta0.25Nb0.25Zr0.25Ti0.25)B2高熵陶瓷粉体的XRD[0036]图6为本发明2200℃热处理后所得(Ta0.25Nb0.25Zr0.25Ti0.25)B2高熵陶瓷粉体的XRD6术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范[0047]S1、称取0.015molTaCl5、0.015molNbCl5、0.015molC12H28O4Zr、0.015mol[0053]S1、称取0.015molTaCl5、0.015molNbCl5、0.015molC12H28O4Zr、0.015mol7[0061]S3、向金属源的聚合物溶液中加入0.025mol酚醛树脂，搅拌均匀后，再加入[0071]S1、称取0.015molTaCl5、0.015molNbCl5、0.015molC12H28O4Zr、0.015mol[0073]S3、向金属源的聚合物溶液中加入0.015mol酚醛树脂，搅拌均匀后，再加入[0076]S1、称取0.015molTaCl5、0.015molNbCl5、0.015molC12H28O4Zr、0.015mol8四羟基二硼烷，搅拌均匀后，得到前驱体溶液；将前驱体粉末以6℃/min的升温速率升至[0093]本发明使用氮氧分析仪测定上述实施例和对照例所得高0.7790.770.650.650.790.872.06—