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文档简介
高三物理知识点汇总
物理可以说是中学全部学科中最难的一科,因为中学物理不仅学问
点多,须要理解的学问也许多,中学物理分为必修和选修,接下来是
我为大家整理的高三物理学问点汇总,盼望大家喜爱!
高三物理学问点汇总
1.电流强度:l=q/t{l:电流强度(A),q:在时间t内通过导体横载面的电量
(C),t:时间⑸}
2.欧姆定律:l=U/R«:导体电流强度(A),U:导体两端电压(V),R:导体阻值
(。)}
3.电阻、电阻定律:R=PL/S{P:电阻率(Qm),L:导体的长度(m),S:导体
横截面积(m2)}
4闭合电路欧姆定律:I=E/(r+R)或E=lr+IR也可以是E=U内+U外{I:电路
中的总电流(A),E:电源电动势(V),R:外电路电阻(Q),r:电源内阻(Q)}
5.电功与电功率:W=Ult,P=UI{W:电功(J),U:电压(V),I:电流(A),t:时间(s),
P:电功率(W)}
6•焦耳定律:Q=l2Rt{Q:电热(J),I:通过导体的电流(A),R:导体的电阻值
(。)七通电时间[)}
7.纯电阻电路中:由于I二U/R,W二Q,因三此W二Q二Ult=l2Rt=U2t/R
8.电源总动率、电源输出功率、电源效率:P总=IE,P出=IU,n=P出
/P总{I:电路总电流(A),E:电源电动势(V),U:路端电压(V),n:电源效率}
9.电路的串/并联串联电路(P、U与R成正比)并联电路(P、I与R成反
比)
电阻关系(串同并反)R串=乱+区2+[^3+1/区并=1/R1+1/R2+1/R3+
电流关系I总=11=12=131并=11+12+13+
电压关系U总=皿+1)2+1]3+1)总二U1=U2=U3
功率安排P总=P1+P2+P3+P总:P1+P2+P3+
10.欧姆表测电阻
⑴电路组成⑵测量原理
两表笔短接后,调整R。使电表指针满偏,得
lg=E/(r+Rg+Ro)
接入被测电阻Rx后通过电表的电流为
lx=E/(r+Rg+Ro+Rx)=E/(R中+Rx)
由于lx与Rx对应,因此可指示被测电阻大小
⑶运用方法:机械调零、选择量程、欧姆调零、测量读数{留意挡位(倍
率)}、拨off挡。
⑷留意:测量电阻时,要与原电路断开,选择量程使指针在中心旁边,每
次换挡要重新短接欧姆调零。
11.伏安法测电阻
电流表内接法:
电压表示数:U=UR+UA
电流表外接法:
电流表示数:RR+IV
Rx的测量值=U/I=(UA+UR)/IR=RA+RxR真
Rx的测量值=U/I=UR/(IR+IV);RVRx/(RV+R)
选用电路条件RxRA[或Rx(RARV)l/2]
12.滑动变阻器在电路中的限流接法与分压接法
限流接法
电压调整范围小,电路简洁,功耗小
便于调整电压的选择条件RpRx
电压调整范围大,电路困难,功耗较大
便于调整电压的选择条件Rp
注:
⑴单位换算:lA=103mA=106UA;lkV=103V=106mA;lMQ=103kQ=106
Q
⑵各种材料的电阻率都随温度的改变而改变,金属电阻率随温度提升
而增大;
⑶串_阻大于任何一个分电阻,并_阻小于任何一个分电阻;
⑷当电源有内阻时,外电路电阻增大时,总电流减小,路端电压增大;
⑸当外电路电阻等于电源电阻时,电源输出功率一此时的输出功率为
E2/(2r);
⑹其它相关内容:电阻率与温度的关系半导体及其应用超导及其应用
(见其次册P127k
高三物理学问点归纳
1.电磁感应现象:利用磁场产生电流的现象叫做电磁感应,产生的电
流叫做感应电流。
⑴产生感应电流的条件:穿过闭合电路的磁通量发生改变,即AGW
Oo(2)产生感应电动势的条件:无论回路是否闭合,只要穿过线圈平
面的磁通量发生改变,线路中就有感应电动势。产生感应电动势的那
局部导体相当于电源。
⑵电磁感应现象的实质是产生感应电动势,假如回路闭合,那么有感
应电流,回路不闭合,那么只有感应电动势而无感应电流。
2.磁通量
定义:磁感应强度B与垂直磁场方向的面积S的乘积叫做穿过这个面
的磁通量,定义式:O=BSo假如面积S与B不垂直,应以B乘以在垂
直于磁场方向上的投影面积S',即①二BS1国际单位:Wb
求磁通量时应当是穿过某一面积的磁感线的净条数。任何一个面都有
正、反两个面;磁感线从面的正方向穿入时,穿过该面的磁通量为正。
反之,磁通量为负。所求磁通量为正、反两面穿入的磁感线的代数和。
3.楞次定律
⑴楞次定律:感应电流的磁场,总是阻碍引起感应电流的磁通量的改
变。楞次定律适用于一般状况的感应电流方向的判定,而右手定那么
只适用于导线切割磁感线运动的状况,此种状况用右手定那么判定
比用楞次定律判定简便。
⑵对楞次定律的理解
①谁阻碍谁一感应电流的磁通量阻碍产生感应电流的磁通量。
②阻碍什么一阻碍的是穿过回路的磁通量的改变,而不是磁通量本
身。③如何阻碍一原磁通量增加时,感应电流的磁场方向与原磁场方
向相反;当原磁通量削减时,感应电流的磁场方向与原磁场方向一样,
即“增反减同”。④阻碍的结果一阻碍并不是阻挡,结果是增加的还
增加,削减的还削减。
⑶楞次定律的另一种表述:感应电流总是阻碍产生它的那个缘由,表
现形式有三种:
①阻碍原磁通量的改变;②阻碍物体间的相对运动;③阻碍原电流的改
变(自感)。
4,法拉第电磁感应定律
电路中感应电动势的大小,跟穿过这一电路的磁通量的改变率成止
比。表达式E=nA①/At
当导体做切割磁感线运动时,其感应电动势的计算公式为E二BLvsin。。
当B、L、v三者两两垂直时,感应电动势E二BLv。(1)两个公式的选用
方法E=n△⑦/At计算的是在At时间内的平均电动势,只有当磁通
量的改变率是恒定不变时,它算出的才是瞬时电动势。E=BLvsin。中
的v假设为瞬时速度,那么算出的就是瞬时电动势:假设v为平均速
度,算出的就是平均电动势。(2)公式的变形
①当线圈垂直磁场方向放置,线圈的面积S保持不变,只是磁场的磁
感强度匀称改变时,感应电动势:E=nSAB/Ato
②假如磁感强度不变,而线圈面积匀称改变时,感应电动势E=Nb»s/
△to
5.自感现象
⑴自感现象:由于导体本身的电流发生改变而产生的电磁感应现象。
⑵自感电动势:在自感现象中产生的感应电动势叫自感电动势。自感
电动势的大小取决于线圈自感系数和本身电流改变的快慢,自感电
动势方向息是阻碍电流的改变。
高三物理学问点梳理
1.光的直线传播
⑴光在同一种匀称介质中沿直线传播.小孔成像,影的形成,日食和
月食都是光直线传播的例证。
⑵影是光被不透光的物体拦住所形成的暗区.影可分为本影和半影,
在本影区域内完全看不到光源发出的光,在半影区域内只能看到光
源的某局部发出的光.点光源只形本钱影,非点光源一般会形本钱影
和半影,本影区域的大小与光源的面积有关,发光面越大,本影区越
小。
⑶日食和月食:
人位于月球的本影内能看到日全食,位于月球的半影内能看到H偏
食,位于月球本影的延长区域(即伪本影)能看到日环食;当月球全部进
入地球的本影区域时,人可看到月全食.月球局部进入地球的本影区
域时:看到的是月偏食。
2,光的反射现象一:光线入射到两种介质的界面上时,其中一局部光
线在原介质中变更传播方向的现象。
⑴光的反射定律:
①反射光线、入射光线和法线在同一平面内,反射光线和入射光线分
居于法线两侧。②反射角等于入射角。
(2)反射定律说明,对于每一条入射光线,反射光线是的,在反射现象
中光路是可逆的。
3.平面镜成像
(1)像的特点-----平面镜成的像是正立等大的虚像,像与物关于镜面
为对称。
⑵光路图作法------依据平面镜成像的特点,在作光路图时,可以
先画像,后补光路图。
⑶充分利用光路可逆一■一在平面镜的计算和作图中要充分利用光路
可逆。(眼睛在某点A通过平面镜所能看到的范围和在A点放一个点
光源,该电光源发出的光经平面镜反射后照亮的范围是完全一样的。)
4.光的折射-光由一种介质射入另一一种介质时,在两种介质的界面上
将发生光的传播方向变更的现象叫光的折射。
(2)光的折射定律一①折射光线,入射光线和法线在同一平面内,折射
光线和入射光线分居于法线两侧。
②入射角的正弦跟折射角的正弦成正比,即sini/sinr=常数。⑶在折射
现象中,光路是可逆的。
5.折射率一光从真空射入某种介质时,入射角的正弦与折射角的正弦
之比,叫做这种介质的折射率,折射率用n表示,即n=sini/sinr。
某种介质的折射率,等于光在真空中的传播速度c跟光在这种介质中
的传播速度v之比,即n=c/v,因cv,所以任何介质的折射率n都大于
1.两种介质相比拟,n较大的介质称为光密介质,n较小的介质称为光
疏介质。
6.全反射和临界角
⑴全反射:光从光密介质射入光疏介质,或光从介质射入真空(或空气)
时丁当入射角增大到某一角度,使折射角到达90。时,折射光线完全
消逝,只剩下反射光线,这种现象叫做全反射。
(2)全反射的条件
①光从光密介质射入光疏介质,或光从介质射入真空(或空气)。②入
射角大于或等于临界角
⑶临界角:折射角等于90°时的入射角叫临界角,用C表示sinOl/n
7.光的色散:白光通过三棱镜后,出射光束变为红、橙、黄、绿、蓝、
靛、紫七种色光的光束,这种现象叫做光的色散。
⑴同一种介质对红光折射率小,对紫光折射率大。
(2)在同一种介质中,红光的速度,紫光的速度最小。
⑶由同一种介质射向空气时,红光发生全反射的临界角大,紫光发生
全反射的临界角小。
高三物理学问点大全
对于实际气体,R与压力、温度、气体种类有
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