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文档简介

本公开提供一种掩模版和制造该掩模版的的第一面和/或第二面，以保证基板沿第一方向23.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述工艺膜包括第一工艺膜和第二工艺4.如权利要求3所述的掩模版，其特征在于，所述第一工艺膜形成在所述基板的第一8.如权利要求4或5所述的掩模版，其特征在于9.如权利要求4或6所述的掩模版，其特征在于，13.如权利要求10或12所述的掩模版，其特征在于，在所述基板的第一面的外围区域测量所述基板的形变曲率半径，根据所述形变曲率半径和345[0017]在本公开的一个示例性实施例中，工艺膜仅形成在基板的第一面的外围区域和/[0018]在本公开的一个示例性实施例中，在基板的第一面的外围区域和/或第二面的外[0019]在本公开的一个示例性实施例中，工艺膜仅形成在基板的第一面的核心区域和/以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方6[0038]工艺膜2，形成在基板1的第一面或第二面，以保证基板1沿第一方向恢复水平状的基板1的第一面先涂覆一层金属膜(通常使用铬或铂等金属)，使用电子束蒸发或物理气7[0051]设工艺像素点10距离第一面S1的距离(也称工艺像素点10的高度)为H，则最终形[0054]步骤1.1：首先使用待补正基板曝光，收集晶圆曝光CDU(CriticalDimension[0055]步骤1.2：根据晶圆曝光CDU图数据计像素(工艺像素点10)的数量，生成像素数量图。其中，CDC像素数量与CD(Critical89缩膜A对基板1的第一面提供校正应力，但是在将紧缩膜A的膜厚设置为其对应的最小膜厚B的厚度和紧缩膜A的厚度之和小于最大膜厚的[0082]在另一种情况下，也可以选用两种单位应力不同的紧缩[0083]在工艺膜的种类可选范围有限的情况下，如果单位应力较大的A膜受限于某种原[0089]除了调整膜的种类，还可以通过设置不同的形成区域来调整工艺膜对基板1的形[0099]无论使用哪种方式形成工艺膜，均需要根据基板1在设置工艺像素点之后的实际工艺膜的厚度，参见公式(1)～(3)。其率半径R时，首先可以对基板1按照理想的高度H(无需考虑基板1的形变)添加工艺像素点[0121]形成在第二面S2的工艺膜2和图8A所示实施例中形成在第一面S1的工艺膜2的厚[0122]与图8A所示实施例相比，图8B的工艺膜2在形成过程中不会触及第一面S1的图案[0124]由于此时保护结构3仍然能够安装在基板1的第一面，因此只需对基板1的第二面[0125]设置有工艺膜2的基板1能够恢复平整，克服由于设置工艺像素点10而导致的弯块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识

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