CN119473169A Nand flash寿命预测与管理方法及相关设备 （深圳市芯存科技有限公司）

道高新社区高新南九道6号深圳湾科NANDFLASH寿命预测与管理方法及相关设备FLASH寿命预测与管理方法及相关设备。该方法和性能衰退计算以及多P/E循环尺度的性能预21.一种NANDFLASH寿命预测与管理获取目标NANDFLASH对应第一预测参数的第一多源原始参数数据和对应第二预测参分别对所述第一多模态参数数据和所述第二多模态参数征向量进行多种特征关联计算，得到所述目标NANDFLASH对应性能退化的多维度特征空对所述多维度特征空间中第一预测参数维度和第二参数预测维度对应的参数特征进行配对关联和特征组合，得到初始融合特征矩阵，并对所述初始融合特征矩阵进行NAND基于所述综合特征矩阵，对所述目标NANDFLASH进行多P/E循环尺度的性能预测和预基于所述NANDFLASH性能状态参数对应的性能状态参数关系式，对对所述健康状态评估结果进行阈值比对和等级划分，得到NANDFL对所述第一多源原始参数数据进行采样周期的统一转换，得提取出所述同步参数序列中对应温度与电磁干扰异常数据，并对所述稳态参数序列中进行数据量纲的归一化，得到归一化参数序列基于所述第一预测参数和所述第二预测参数，对所述特征参数序列进行对应P/E循环数数据包括温度变化数据和错误参数数据，所述第一参数特征向量包括电压分布偏移特3对所述闪存单元特征参数数据中对应的阈值电压分布数据进行概率密度计算和子带对所述电气参数数据中对应的读写电压窗口进行边界扫描，得到电对所述操作参数数据中对应的擦写速率数据进行差异计算，得到块对所述温度变化数据中对应的温度波动特征进行温度数值的计算，得到温度变化对所述错误参数数据中对应的原始错误比特进行统计计算，得到错误对所述电压分布偏移特征进行状态划分和重叠度计算，得到电压工作基于所述干扰特征维度，对电压裕度参数、编程速率参数和电基于所述操作特征维度，对所述温度变化序列特征和所述温度敏度特征空间中第一预测参数维度和第二参数预测维度对应的参数特征进行配对关联和特对多维度特征空间中的电压工作状态维度与错误特征维度进行电压与错误关系的关4基于所述初始融合特征矩阵，对所述温度特征维度进行温度与阈值基于所述性能与错误融合特征，对所述操作特征维度对应的P/E循环特征进行均衡度对所述综合特征矩阵中对应的电压与错误特征关联矩阵进行预设初次P/E循环的采样据，对所述性能与错误融合特征中对应的编程速率与读取时间数据进行方差和偏差计算，基于所述短期性能预测结果，对所述综合特征矩阵中对应的基于所述中期性能预测结果，对所述综合特征矩阵中对应的性基于预设的NANDFLASH性能状态参数，对所述寿命预测结果进行基于所述电压裕度值，对所述寿命预测结果进行电子陷阱积累的偏基于所述可靠状态裕度值，对所述寿命预测结果进行块8.一种NANDFLASH寿命预测与管理装置，其特征在于，所述NA预处理模块，用于获取目标NANDFLASH对应第一预测参数的第一多源关联计算模块，用于分别对所述第一多模态参数数据和所述第二5特征融合模块，用于对所述多维度特征空间中第一预测参数裕度计算模块，用于基于所述NANDFLASH性能状态参数对应的性能状态参数关系式，参数调整模块，用于对所述健康状态评估结果进行阈值比对和等级划分，得到NAND9.一种NANDFLASH寿命预测与管理设备，其特征在于，所述NAN所述至少一个处理器调用所述存储器中的所述指令，以使得所述NANDFL与管理设备执行如权利要求1_7中任一项所述的NANDFLASH寿命预测与管理方法的各个步所述指令被处理器执行时实现如权利要求1_7中任一项所述NANDFLASH寿命预测与管理方6[0004]本发明的主要目的在于解决现有的NANDFLASH的寿命预测与管理方法忽视了多7数时间序列，并对所述第一参数时间序列和所述第二参数时间序列进行时间戳对齐和插第二多模态参数数据进行多层次特征提取，得到第一参数特征向量和第二参数特征向量，8到所述目标NANDFLASH对应性能衰包括：对所述综合特征矩阵中对应的电压与错误特征关联矩阵进行预设初次P/E循环的采数据，对所述性能与错误融合特征中对应的编程速率与读取时间数据进行方差和偏差计始融合特征矩阵进行预设二次P/E循环的时序叠加和增量变化率计算，得到对应电子陷阱中期性能预测结果，对所述综合特征矩阵中对应的性能与错误融合特征进行预设三次P/E9第二多模态参数数据进行多层次特征提取，得到第一参数特征向量和第二参数特征向量，运行裕度，并对所述NANDFLASH安全运行裕度进行多层级运行状态评估，得到所述目标工作状态等级集合进行多管理参数的映射关联，生成所述目标NANDFLASH的运行管理结标NANDFLASH对应第一预测参数的第一多源原始参数数据和对应第二预测参数的第二多和第二多模态参数数据进行多层次特征提取，得到第一参数特征向量和第二参数特征向量，并对第一参数特征向量和第二参数特征向量进行多种特征关联计算，得到目标NANDFLASH对应性能退化的多维度特征空间；对多维度特征空间中第一预测参数维度和第二参阵；基于综合特征矩阵，对目标NANDFLASH进行多P/E循环尺度的性能预测和预测时序组图2为本发明实施例中NANDFLASH寿图3为本发明实施例中NANDFLASH寿101、获取目标NANDFLASH对应第一预测参数的第一多源原始参数数据和对应第用高精度电流表监测漏电流变化，通过数据采集卡将模拟信号转换为数字信号进行记录；而将采集到的物理特性参数、电气特性参数和操作特性参数按照统一的时间标签进行组现对NANDFLASH存储设备全方位其中每个段落包含一定数量的P/E循环，段落的划分需要考虑FLASH存储单元的退化特性，能和操作特征的多个参数，这些参数从不同角度刻画了NANDFLASH的工作状态和性能变;[0029]103、对多维度特征空间中第一预测参数维度和第二参数预测维度对应的参数特征进行配对关联和特征组合，得到初始融合特征矩阵，并对初始融合特征矩阵进行NAND征，对所述操作特征维度对应的P/E循环特征进行均衡度的磨损计算，得到所述目标NAND线性耦合模型计算相邻存储单元之间的电场干扰强度，评估干扰效应对错误产生的贡献，;(i,j)与干扰单元(m,n)的耦合系数矩阵V(m,n)为干扰单元(m,n)的电压值，d(i,j,m,n)为目标单元(i,j)与干扰单元(m,n)之间的距离，以描述如相邻单元电压变化;中对应的初始融合特征矩阵进行预设二次P/E循环的时序叠加和增量变化率计算，得到对中对应的保持时间与纠错能力数据进行衰减速率和阈值偏移计算，得到中期性能预测结[0032]在实际应用中，首先对综合特征矩阵中的电压与错误特征关联矩阵进行初次P/E;;Weibull分布描述失效过程来计算块间磨损差异度的标准差和时序参数偏移量的离散程;有故障率为加速因子（描述不同环境或使用条件对失效寿命最终得到反映NANDFLASH整体寿命特征的预测结果。围进行比较，将电子陷阱积累裕度值与陷阱密度基准值进行比较，以及将块间磨损均匀度值与磨损差异阈值进行比较，通过这些单项阈值的比较计算，得到反映各项性能参数变化程度的运行状态变化指数；进而基于NANDFLASH性能状态参数中预设的各项参数权重关进行加权计算，综合评估各项性能参数对整体状态的影响程度，从而得到反映存储器件综标NANDFLASH的工作状态进行分级，即通过将运行状态指标与不同等级的阈值边界进行比通过这种多层级的评分机制，全面反映存储器件在不同性能维度上的健康状态；进而基于多层级的特征健康评分，对目标NANDFLASH的运行稳定性进行综合评估，即通过分析各项得分的分布特征和变化趋势，评估存储器件的性能稳定程度，同时考虑各项性能参数之间的相互影响和耦合效应，最终得到反映NANDFLASH整体运行状态的健康评估结果。通过运行状态变化指数、运行状态指标和特征健康评分的逐步计算，实现了对存储器件健康状态的精确评估。进行比对，得到每个指标的状态等级，然后根据不同指标的状态等级组合情况，将NAND明实施例中NANDFLASH寿命预测与管理装置进行描述，请参阅图2，本发明实施例中NAND预处理模块201，用于获取目标NANDFLASH对应第一预测参数的第一多源原始参关联计算模块202，用于分别对所述第一多模态参数数据和所述第二多模态参数特征融合模块203，用于对所述多维度特征空间中第一预测参数维度和第二参数裕度计算模块205，用于基于所述NANDFLASH性能状态参数对应的性能状态参数FLASH安全运行裕度进行多层级运行状态评估，得到所述目标NANDFLASH的健康状态评估[0041]上面图2从模块化功能实体的角度对本发明实施例中的NANDFLASH寿命预测与管[0042]图3是本发明实施例提供的一种NANDFLASH寿命预测与管理设备的结构示意图，该NANDFLASH寿命预测与管理设备300可因配置或性能不同而产生比较大的差异，可以包存储在存储介质330的程序可以包括一个或一个以上模块（图示没标出每个模块可以包以设置为与存储介质330通信，在NANDFLASH寿命预测与管理设备300上执行存储介质330人员可以理解，图3示出的NANDFLASH寿命预测与管理设备结构并不构成对NANDFLASH寿