CN119486158A 一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法 （深圳市亚尔讯科技有限公司）

道水田社区水田居委祝龙田路17号五楼一种低正向压降的肖特基二极管及其制造本申请提供一种低正向压降的肖特基二极积采用增加势垒面积规则对待设计肖特基二极势垒金属采用肖特基二极管产品芯片生产工艺方法通过势垒金属选择设计保证了肖特基二极管这个产品最优的正向压降VF特性和反向漏电则在制造肖特基二极管过程中保证了肖特基二2获取待设计肖特基二极管的功率参数和结构面积，根据根据所述结构面积采用增加势垒面积规则对所述待设计肖特基二极管的结构进行设根据所述结构图和所述势垒金属采用肖特基二极管产品芯片生产工艺进行功率参数确定所述待设计肖特基二极管的势垒金属包括：若所述功率参数不大于功率阈4.根据权利要求3所述的低正向压降的肖特基二极管制造方法，其特征在于，所述NiPt5为金属镍Ni与金属铂Pt之间比例为19:1制作的5.根据权利要求3所述的低正向压降的肖特基二极管制造方法，其特征在于，所述NiPt1为金属镍Ni与金属铂Pt之间比例为17:3制作的6.根据权利要求1_5任意一项所述的低正向压降的肖特基二极管制造方法，其特征在根据所述结构面积获取所述待设计肖特基二极管根据所述结构图采用激光打标方式对所述外延片进行基区环处理，得到第一处理样在所述第一处理样件中注入P+环离子后采用光刻方式进行引线3意一项所述的低正向压降的肖特基二极管制造方法对所述外4[0006]第一方面，本申请的一个实施例提供一种低正向压降的根据所述结构面积采用增加势垒面积规则对所述待设计肖特基二极管的结构进根据所述结构图和所述势垒金属采用肖特基二极管产品芯片生产工艺进行制造，5根据所述结构面积获取所述待设计肖特基二极管[0013]可选的，在所述第一处理样件中注入P+环离子后采用光正向压降的肖特基二极管制造方法，包括获取待设计肖特基二极管的功率参数和结构面基二极管制造方法通过势垒金属选择设计保证了肖特基二极管这个产品最优的正向压降[0017]该低正向压降的肖特基二极管实现了在保证肖特基二极6[0020]图1为本申请的一个实施例提供的低正向压降的肖特基二极管制造方法的步骤流[0021]图2为本申请的一个实施例提供的低正向压降的肖特基二极管制造方法中肖特基[0022]图3为本申请的一个实施例提供的低正向压降的肖特基二极管制造方法中待设计程图，图2为本申请的一个实施例提供的低正向压降的肖特基二极管制造方法中肖特基二S100.获取待设计肖特基二极管的功率参数和结构面积，根据功率参数确定待设S200.根据结构面积采用增加势垒面积规则对待设计肖特基二极管的结构进行设S300.根据结构图和势垒金属采用肖特基二极管产品芯片生产工艺进行制造，得7属选择设计保证了肖特基二极管这个产品最优的正向压降VF特性和反向漏电流IR特性及[0031]图3为本申请的一个实施例提供的低正向压降的肖特基二极管制造方法中待设计正向压降的肖特基二极管制造方法根据基区环功率参数确定基区环待设计肖特基二极管[0035]进一步说明的是，NiPt5为金属镍Ni与金属铂Pt之间比例为19:1制作的金属。8[0038]在申请的发明实施例中，该低正向压降的肖特基二极管制造方法以势垒金属为NiPt5的SL340_70肖特基二极管产品和以势垒金属为NiPt1的SL3100_70肖特基二极管产品作为案例说明，如表1所示的试制工艺条件和参数采用肖特基二极管产品芯片生产工艺进艺生产肖特基二极管产品比该低正向压降的肖特基二极管制造方法生产肖特基二极管产9[0045]以上