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司一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS及其制本发明提供了一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀22.如权利要求1所述的一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：3.如权利要求1所述的一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述绝缘介质层下侧面与所述低阻区上侧面的距离为100_4.如权利要求1所述的一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述低阻区的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度，所述P型源区的掺杂浓度大于所述低5.如权利要求1所述的一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：6.一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在3[0003]本发明要解决的技术问题，在于提供一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS及其制采用第一方面所述的一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法制备得45[0026]本实施例地，优选地，所述绝缘介质层6下侧面与所述低阻区3上侧面的距离为6源极金属层8，所述源极金属层8分别连接所述P型源区4、P型阱区5以及N型源区掺杂浓度为1_5e16cm_3，N型低阻区3的掺杂浓度为1_5e17cm_3，P型阱区5的掺杂浓度为1_本发明通过将N型源区51和P型源区4进行分离，让P型源区4分布在器件P型阱区5续流通路实现了分离，体二极管续流通路为源极金属层8_P型源区4_N型低阻区3再分布_N型漂移层2_N型碳化硅衬底1_漏极金属层9，器件正常导通续流通路为源极金属层8_N型源区51_N型低阻区3再分布_N型漂移层2_N型碳化硅衬底1_漏极金属层9，这种分离可以避免789

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