CN119486395A 一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善Micro LED台面形貌的方法 （微玖(苏州)光电科技有限公司）

一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善Micro一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善MicroLED台面形貌的方法，属于半导体加工工艺技术备图形化SiO2掩膜层；以高Cl2/BCl3流量比刻蚀气体进行图形化铬金属膜层+外延层上部区域的2/BCl3流量比刻蚀气体进行图形化SiO2掩膜层+外延层下部区域的刻蚀；本发明通过调整两段刻蚀过程的时间与刻蚀气体的流量2图形化SiO2掩膜层，图形化铬金属膜层和图形化SiO2掩膜层共同构成MicroLED台面掩膜2/BCl3流量比刻蚀气体进行图形化铬金属膜层+外延层上部区域的刻蚀：使用ICP工艺对步骤（d）得到的图形化铬金属膜层和无图形化2/BCl3流量比刻蚀气体进行图形化SiO2掩膜层+外延层下部区域的刻蚀：量为Cl2流量的1.5~3倍，刻透图形化SiO2掩膜层和原来无图形化SiO2掩膜层覆盖的外延层2.如权利要求1所述的一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善MicroLED台面形貌的方法，2O+SiH43.如权利要求1所述的一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善MicroLED台面形貌的方法，4.如权利要求1所述的一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善MicroLED台面形貌的方法，5.如权利要求1所述的一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善MicroLED台面形貌的方法，其特征在于：步骤（d）中使用ICP工艺对S6.如权利要求1所述的一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善MicroLED台面形貌的方法，37.如权利要求1所述的一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善MicroLED台面形貌的方法，4[0002]目前较为主流的MicroLED台面（Mesa）刻蚀方案，是使用电感耦合等离子体al.ProcessOptimizationofPassiveMatrixGaN-BasedMicro-LEDArraysforAr常见被刻蚀材料为氮化22流程如图1所示，其中外延层为AlxGayIn1-x-yP或InxGa1-xN；首先在外延层表面制备SiO2掩膜光的基本单元。[0003]ICP工艺的原理是：射频电流流经线圈在腔室内产生电磁场激发气体产生等离子IonizationandPlasmaElectronics”，JohnWiley&Sons,1971，Chapman，“Glow5[0005]本发明的目的是提供一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善MicroLED台面形貌的方[0006]本发明对现有技术中的原有工艺流程进行改善，使用高Cl2/[0007]本发明所述的一种利用多层掩膜与分段刻蚀改善MicroLED台面形貌的方法，工时间为100~1000s；刻透无图形化铬金属膜层的下面得到图形化SiO2掩膜层，图形化铬金属膜层和图形化SiO2掩膜层共同构2/BCl3流量比刻蚀气体进行图形化铬金属膜层+外延层上部区域的刻62/BCl3流量比刻蚀气体进行图形化SiO2掩膜层+外延层下部区域的刻蚀掩膜与分段刻蚀实现MicroLED台面形貌的改善；对图形化SiO2掩膜层的刻蚀速率20~40被带入下层SiO2与Mesa表面但优势在于选择比较高，可以在合适厚度下对下外延层起到72/BCl3流量比刻蚀气体进行图形化铬金属膜层+外延层上部区域的刻使用ICP工艺对图形化铬金属膜层和无图形化铬金属膜层覆盖的外延层上部区域进行刻蚀，刻蚀气体为Cl2+BCl3+Ar，Cl2流量为40sccm，BCl3流量为20sccm，Ar流量02/BCl3流量比刻蚀气体进行图形化SiO2掩膜层+外延层下部区域的刻使用ICP工艺对图形化SiO2掩膜层和无图形化SiO2掩膜层覆盖的外延层下部区域原来无图形化SiO2掩膜层覆盖的外延层下部区域露出MicroLED台面之外的衬底材料，在