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文档简介

敬业创新勤奋求实模拟电子技术

1.4

晶体三极管1.4.1晶体管的结构及类型 1.4.2晶体管的伏安特性曲线

1.4.3晶体管的极限参数

1.4.1晶体管的结构及类型NPN型管子的结构和符号

PNP型管子的结构和符号

三个掺杂区：发射区（掺杂浓度很高）、基区（薄且掺杂浓度很低）、

集电区（掺杂浓度低面积大）。三个电极：发射极E、基极B、集电极C。两个PN结：发射结、集电结。三种工作状态：放大状态（发射结正偏导通，集电结反偏）、饱和状态（发射结正偏导通，集电结正偏）、截止状态（发射结零偏或反偏、集电结反偏）。1.4.1晶体管的结构及类型1.4.1晶体管的结构及类型1.放大状态（发射结正偏导通，集电结反偏）几个重要的关系式1.4.1晶体管的结构及类型2.饱和状态（发射结正偏导通，集电结正偏）

在饱和状态时，晶体管失去IB对IC的控制能力，IC主要受UCE控制，C、E之间压降很小，等效为

C、E间开关合上，对硅管，锗管UCES称为集电极与发射极之间的饱和压降。1.4.1晶体管的结构及类型3.截止状态（发射结零偏或反偏、集电结反偏）

当发射结电压小于开启电压，集电结反偏，晶体管处于截止状态，

IB、IC、和

IE近似为零，等效为

C、E间开关断开。

放大和饱和都属于导通状态，当UCE=UBE时，管子工作于临界饱和状态；当UCE>UBE时，NPN型管工作于放大状态；UCE<UBE时，NPN型管工作于饱和状态。放大和临界饱和时管子有电流放大作用，饱和和截止时晶体管没有电流放大作用。1.4.2晶体管的伏安特性曲线1.输入特性曲线输入特性描述当为某一常数时，输入电流

与

间的关系

增大，曲线右移，而时，输入特性曲线基本重合。1.4.2晶体管的伏安特性曲线2.输出特性曲线为某一常数时，与之间的关系（1）放大区：且，具有电流放大作用。（2）饱和区：且，不具有电流放大作用。但临界饱和时，，仍具有电流放大作用。（3）截止区：，1.4.2晶体管的伏安特性曲线

PNP型管工作电压极性的接法和电流流向均与NPN型管相反。

当温度升高时，导通电压减小，输入特性曲线左移，输出特性曲线上移。

温度每升高1oC，导通电压减小2~2.5mV，电流放大倍数增大0.5%~1%。1.4.3晶体管的极限参数

当晶体管工作点位于

的区域时，管子能正常工作，该区域成为安全工作区。

【例1.4.1】已知某放大器中晶体管电极电位分别为U1=3.5V，U2=2.8V，U3=12V，试确定B、E、C极，并判断是NPN型管还是PNP型管，是硅管还是锗管。解：电位值位于中

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