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光电技术试题及答案解析一、单项选择题(每题2分,共20分)1.光电效应中,当入射光频率ν大于阈值时,逸出电子的最大初动能与ν的关系是A.与ν无关B.与ν成正比C.与ν成反比D.与ν2答案B2.光电探测器响应度R的定义是A.RB.RC.RD.R答案A3.CCD中电荷转移效率η通常接近A.0.9B.0.99C.0.9999D.0.5答案C4.单模光纤中传输的模式数为A.0B.1C.2D.任意多个答案B5.激光器纵模间隔ΔνA.谐振腔长度LB.增益介质种类C.泵浦功率D.输出镜透射率答案A6.PIN光电二极管中I层的主要作用是A.增加光吸收深度B.提高量子效率C.减小结电容以提高响应速度D.增大暗电流答案C7.阶跃光纤中发生全反射时,纤芯内的入射角θ必须满足A.sinB.sinC.sinD.cos答案A8.波长λ=A.1.24eVB.2.48eVC.3.72eVD.4.96eV答案B9.下列探测器中内部无增益机制的是A.光电倍增管B.PIN光电二极管C.雪崩光电二极管D.光电导探测器答案B解析PIN光电二极管工作于光电模式时无内部放大;光电倍增管、雪崩光电二极管及光电导探测器均具有一定的内部增益。10.对于电光调制晶体,半波电压Vπ与晶体长度LA.VB.VC.VD.V答案B解析半波电压Vπ=λ二、填空题(每题2分,共20分)1.光电效应的爱因斯坦方程为Ek=h答案逸出功(或功函数)2.光纤通信中常用的低损耗窗口波长有850nm、1310nm和______nm。答案15503.激光器产生激光必须满足的三个条件是:粒子数反转、谐振腔和______。答案阈值条件4.光电探测器的响应度常用单位是______。答案A/W5.CCD的中文全称是______。答案电荷耦合器件6.利用泡克尔斯效应制成的电光调制器中,使输出光强从最大变为最小所需的电压称为______。答案半波电压(或Vπ7.光在介质中的折射率n与光速v的关系为n=c/v,其中答案介质中的光速8.半导体本征吸收的波长阈值λg与禁带宽度Eg满足关系λg答案急剧下降(或很小)9.光电导探测器的时间常数主要取决于光生载流子的______。答案寿命10.多模光纤中,限制传输带宽的主要因素是______。答案模式色散三、简答题(每题6分,共30分)1.简述光电效应与光热效应的主要区别。答案(1)光电效应是光子直接与电子作用,使电子逸出(外光电效应)或跃迁至导带(内光电效应),产生电信号;响应速度快,对波长敏感。(2)光热效应是材料吸收光能后温度升高,导致电阻、热电电动势等物理性质变化;响应速度较慢,输出与光强相关,与波长关系较小(宽带响应)。解析光电效应通常用于快速光探测,而热释电、热电偶等属于光热效应器件。2.说明PIN光电二极管的工作原理及其相对于普通PN结光电二极管的优点。答案PIN光电二极管在P型区和N型区之间插入一本征(I)层,形成较宽的耗尽层。优点:(1)耗尽层宽,光吸收区大,量子效率高;(2)结电容小,响应速度快;(3)暗电流小,线性度好。解析普通PN结耗尽层窄,高频性能较差,PIN管针对这些弱点做了改进。3.简述光在阶跃折射率光纤中的传输原理,并写出数值孔径NA的定义及表达式。答案光从高折射率纤芯射向低折射率包层,当入射角大于全反射临界角时发生全反射,光被约束在纤芯中沿锯齿形路径传输。数值孔径NA=n12−解析NA越大,光纤收集光的能力越强,但模式色散增大。4.比较半导体激光器(LD)与发光二极管(LED)在发光机制、光谱宽度和调制带宽方面的主要差异。特性LD(半导体激光器)LED(发光二极管)发光机制受激辐射自发辐射光谱宽度很窄(通常小于1nm)较宽(数十纳米)调制带宽高(可达GHz量级)较低(通常百MHz量级)阈值电流有阈值无阈值解析LD可用于高速长距离通信,LED则用于短距离低成本场合。5.阐述CCD的基本工作原理,并说明电荷转移的过程。答案CCD由一系列MOS电容组成,每个电容在栅极电压作用下形成势阱,可存储光生电荷。电荷转移是通过在相邻栅极上施加相位不同的时钟脉冲电压,使势阱依次变深或变浅,驱使电荷包逐步向输出端移动。常见的转移方式有两相、三相或四相时钟驱动。解析CCD的电荷转移效率需接近1,否则会丢失信息。四、计算题(每题10分,共30分)1.一光电探测器在入射光功率P=2 (1)求探测器的响应度R。(2)若负载电阻RL=50(3)若改用响应度R′答案(1)R(2)V(3)I解析响应度是描述光电转换效率的关键参数,数值越大表示灵敏度越高。2.一阶跃折射率多模光纤,纤芯折射率n1=1.48(1)计算数值孔径NA(2)求最大接收角θmax(3)若光纤浸入水中(折射率nw答案(1)N(2)θ(3)浸入水中时,光纤端面的有效数值孔径保持不变(纤芯‑包层相对折射率差未变),但集光能力受外部介质影响,实际耦合角度用外部折射率计算:NAwa解析数值孔径只取决于光纤结构,但外部介质改变可等效为系统数值孔径。3.一He‑

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