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文档简介
课程名称:电力电子学(专升本)
1.(单选题)关于单相桥式全控整流电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相桥式全控整流电路简单,但整流变压器存在直流磁化现象。
B.单相桥式全控整流电路中的整流变压器不存在直流磁化现象。
C.单相桥式全控整流电路简单,在电阻性负载时,整流变压器存在直流磁化现象。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
2.(单选题)MOSFET和IGBT并联运行,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.型号相同的MOSFET可以并联运行,而IGBT不可以并联运行。
B.型号相同的MOSFET可以并联运行,IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数,也可以并联使用。
C.型号相同的MOSFET不可以并联运行,而IGBT可以并联运行。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
3.(单选题)关于相控电路的驱动电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.相控驱动电路要有同步环节,同步信号频率与主电路电源的频率相同,其相位关系则随外加控制信号的变化而变化。
B.相控驱动电路要有同步环节,同步信号频率与主电路电源的频率相同且相位关系确定。
C.相控驱动电路不需要同步环节,其相位关系由外加控制信号确定。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
4.(单选题)晶闸管正向特性表述正确的是:()。(本题1.0分)
A.随着门极电流幅值的增大,正向转折电压增大。
B.只要门极电流幅值大于1mA,晶闸管承受正向电压时就导通。
C.随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低。
学生答案:C.
标准答案:C.
解析:无.
得分:1.0.
5.(单选题)有关GTR的二次击穿现象表述正确的是:()(本题1.0分)
A.虽然GTR存在二次击穿现象,但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。
B.GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。
C.GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。
学生答案:C.
标准答案:C.
解析:无.
得分:1.0.
6.(单选题)晶闸管的结构为:()(本题1.0分)
A.晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。
B.晶闸管具有PNPN四层半导体结构
C.晶闸管具有PNP和或NPN三层半导体结构。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
7.(单选题)三相桥式全控整流电路导通晶闸管数量,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通,但不能肯定是否共阴极组的和共阳极组的各1个导通。
B.三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通,共阴极组的和共阳极组的各1个,且不能为同一相的晶闸管。
C.三相桥式全控整流电路每个时刻仅需1个晶闸管导通。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
8.(单选题)规则采样法与自然采样法,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时,自然采样法比规则采样法更容易实现。
B.用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时,规则采样法比自然采样法更容易实现。
C.用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时,自然采样法与规则采样法是一样的,只是称谓不同而已。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
9.(单选题)PWM跟踪控制技术中的三角波比较方式,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.三角波比较方式可以使开关频率固定。
B.三角波比较方式的开关频率与环宽的大小有关。
C.三角波比较方式的开关频率与误差大小有关。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
10.(单选题)关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR慢。
B.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比电力MOSFET快。
C.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR快。
学生答案:C.
标准答案:C.
解析:无.
得分:1.0.
11.(单选题)斩波电路有三种控制方式:()(本题1.0分)
A.斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM);频率调制;占空比控制。
B.斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM);频率调制;混合型。
C.斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM);周期数通断比控制;占空比控制。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
12.(单选题)开环控制的晶闸管直流电动机系统的机械特性,表述正确的()(本题1.0分)
A.无论电流断续还是电流连续,晶闸管直流电动机系统的机械特性曲线是一条直线。
B.晶闸管直流电动机系统当电流断续时,电流小,则电动机的理想空载转速变小,机械特性变硬。
C.晶闸管直流电动机系统当电流断续时,电动机的理想空载转速抬高,机械特性变软。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
13.(单选题)有源逆变时的直流电动势,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.要有直流电动势,其值应大于变流器直流侧的平均电压,其极性须和晶闸管的导通方向一致。
B.要有直流电动势,其值应大于变流器直流侧的平均电压,其极性没有特别的规定。
C.要有直流电动势,其值应小于变流器直流侧的平均电压,其极性须和晶闸管的导通方向一致。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
14.(单选题)关于单相全波整流电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相全波整流电路只用2个晶闸管;但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥的2倍。
B.单相全波整流电路只用2个晶闸管;但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥的4倍。
C.单相全波整流电路只用2个晶闸管,晶闸管承受的最大电压与单相全控桥相等。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
15.(单选题)关于逆变角,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.限制逆变角的最小值,其目的是为了防止逆变失败。
B.限制逆变角的最大值,其目的是为了防止逆变失败。
C.限制逆变角的最小值,其目的是为了防止输出电压太小。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
16.(单选题)关于控制角,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.从SCR承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发延迟角,也称触发角或控制角。
B.晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度称为控制角。
C.晶闸管的控制角也称为导通角。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
17.(单选题)单相电压型逆变电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相电压型逆变电路的移相调压方式,改变滞后角就可调节输出电压的峰值。
B.单相电压型逆变电路的移相调压方式,改变滞后角就可调节输出电压的有效值。
C.单相电压型逆变电路的移相调压方式,改变滞后角不能调节输出电压的有效值。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
18.(单选题)单相桥式半控整流电路结构,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相桥式半控整流电路须有续流通路,其电路用续流二极管构成续流通路,电路拓扑只有一种形式。
B.单相桥式半控整流电路须有续流通路,电路拓扑不只有一种形式,也可以有其它形式。
C.单相桥式半控整流电路须有4个晶闸管组成。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
19.(单选题)降压型零电压开关准谐振电路开关管耐压,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.降压型零电压开关准谐振电路,谐振电压峰值高于输入电压的2倍,增加了对开关器件耐压的要求。
B.降压型零电压开关准谐振电路,谐振电压峰值与输入电压相等。
C.降压型零电压开关准谐振电路,谐振电压峰值低于输入电压的1/2。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
20.(单选题)什么是电力电子技术?()(本题1.0分)
A.用于电力领域的电子技术,即应用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
B.用于电力领域和信息领域的电子技术的总称。
C.用于电气领域和信息领域的电子技术的总称。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
21.(单选题)降压斩波电路与升压斩波电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.降压斩波电路与升压斩波电路是用于直流/直流变换的。
B.降压斩波电路与升压斩波电路是用于直流/直流变换和交流/交流变换的。
C.降压斩波电路与升压斩波电路是用于交流/交流变换的。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
22.(单选题)三相电压型逆变电路输出电压波形,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.三相电压型逆变电路负载相电压波形是3电平方波,线电压波形是5电平阶梯波。
B.三相电压型逆变电路负载相电压波形是5电平阶梯波,线电压波形是3电平方波。
C.三相电压型逆变电路负载相电压波形是5电平阶梯波,线电压波形也是5电平方波。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
23.(单选题)晶闸管是如何导通的?()(本题1.0分)
A.在晶闸管阳极——阴极之间无论加正向或反向电压,只要门极加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
B.在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压,门极加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
C.在晶闸管阳极——阴极之间加正向电压,门极也加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
学生答案:C.
标准答案:C.
解析:无.
得分:1.0.
24.(单选题)门极可关断晶闸管GTO半导体结构式为:()(本题1.0分)
A.门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层半导体结构。
B.门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
C.门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
25.(单选题)关于触发电路的定相,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路,触发电路的定相指的是确定每相触发电路的频率。
B.晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路,则触发电路定相的关键是确定同步信号数量,其数量等于电源电压相数。
C.晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路,则触发电路定相的关键是确定同步信号与晶闸管阳极电压的关系。
学生答案:C.
标准答案:C.
解析:无.
得分:1.0.
26.(单选题)降压式变换器,输入电压为27V10%,输出电压为15V,则占空比的变化范围是()。(本题1.0分)
A.0.12—0.15
B.0.15—0.18
C.0.505—0.617
学生答案:C.
标准答案:C.
解析:无.
得分:1.0.
27.(单选题)变压器漏感对输出电压值的影响是:()(本题1.0分)
A.变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流输出电压平均值升高。
B.变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流输出电压平均值降低。
C.变压器漏感对整流电路的影响之一是波形变化了,但整流输出电压平均值不变。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
28.(单选题)关于升降压斩波电路、Cuk斩波电路电流,表述正确的是:()。(本题1.0分)
A.Cuk斩波电路和升降压斩波电路的输入电源电流和输出负载电流都是可以连续的,有利于对输入、输出进行滤波。
B.Cuk斩波电路的输入电源电流和输出负载电流都是可以连续的,有利于对输入、输出进行滤波。
C.升降压斩波电路的输入电源电流和输出负载电流都是可以连续的,有利于对输入、输出进行滤波。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
29.(单选题)异步调制,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.只要载波比N是不变的调制方式称为异步调制。通常载波频率fc固定不变,信号波频率fr是变化的。
B.载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。通常载波频率fc、信号波频率fr都是变化的,载波比N是不变的。
C.载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。通常载波频率fc固定不变,信号波频率fr变化时,载波比N是变化的。
学生答案:C.
标准答案:C.
解析:无.
得分:1.0.
30.(单选题)关于单相半波可控整流电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相半波可控整流电路简单,但整流变压器存在直流磁化现象。
B.单相半波可控整流电路电感性负载时,整流变压器没有直流磁化问题。
C.单相半波可控整流电路电阻性负载时,电流是连续的。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
31.(单选题)关于缓冲电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.关断缓冲电路指的是di/dt抑制电路。
B.关断缓冲电路指的是du/dt抑制电路。
C.关断缓冲电路指的是di/dt抑制电路和du/dt抑制电路。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无..
得分:1.0.
32.(单选题)GTR典型输出特性分为:()(本题1.0分)
A.典型输出特性分三个区:截止区、放大区和非饱和区。
B.典型输出特性分三个区:截止区、放大区和饱和区。
C.典型输出特性分三个区:截止区、线性区和非饱和区。
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
33.(单选题)关于单相桥式半控整流电路的失控,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相桥式半控整流电路须有续流通路,否则在带电感负载时,会发生失控现象。
B.单相桥式半控整流电路,在有、没有续流通路的情况下,输出电压波形不一样,但不会发生失控现象。
C.单相桥式半控整流电路,不能有续流通路,否则,会发生失控现象。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
34.(单选题)关于单相桥式半控整流电路的失控,表述正确的是(本题1.0分)
A.单相桥式半控整流电路须有续流通路,否则在带电感负载时,会发生失控现象
B.单相桥式半控整流电路,在有、没有续流通路的情况下,输出电压波形不一样,但不会发生失控现象
C.单相桥式半控整流电路,不能有续流通路,否则,会发生失控现象
学生答案:B.
标准答案:A.
解析:无.
得分:0.0.
35.(单选题)双反星形可控整流电路整流变压器,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.双反星形为两组三相半波并联,且需用平衡电抗器,每组三相半波整流电路各承担负载平均电流的1/2,整流变压器不存在直流磁化现象。
B.双反星形为两组三相半波并联,且需用平衡电抗器,每组三相半波整流电路各承担负载平均电流的1/2,但整流变压器存在直流磁化现象。
C.双反星形为两组三相半波并联,且需用平衡电抗器,每组三相半波整流电路各承担负载平均电流的1/2,不需要整流变压器。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
36.(单选题)单相交流调压电路的输出电压,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.晶闸管单相交流调压电路对晶闸管的a进行控制,调节输出电压。
B.晶闸管单相交流调压电路对晶闸管的导通与关断周期数进行控制,调节输出电压。
C.晶闸管单相交流调压电路仅对晶闸管的导通周期数进行控制,调节输出电压。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
37.(单选题)晶闸管门极的控制作用,表述正确的是:()。(本题1.0分)
A.晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。
B.晶闸管导通后,门极一旦无电流,则晶闸管就立即关断。
C.晶闸管导通后,门极一旦加反向电压,则晶闸管就立即关断。
学生答案:无.
标准答案:A.
解析:无.
得分:0.0.
38.(单选题)MOSFET的输出特性分为:()(本题1.0分)
A.MOSFET的输出特性分三个区:截止区、放大区和非饱和区。
B.MOSFET的输出特性分三个区:截止区、放大区和饱和区。
C.MOSFET的输出特性分三个区:截止区、非饱和区和饱和区。
学生答案:A.
标准答案:C.
解析:无.
得分:0.0.
39.(单选题)电力变换通常包括那几类?()(本题1.0分)
A.AC/DC和DC/AC两大类。
B.AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类
C.AC/DC、DC/AC、DC/DC三大类。
学生答案:A.
标准答案:B.
解析:无.
得分:0.0.
40.(单选题)三相可控整流电路中的整流变压器,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.三相可控整流电路中的整流变压器一般采用△/Y或Y/△接法,避免产生3次谐波,如果为了得到零线,则采用△/Y接法。
B.三相可控整流电路中的整流变压器一般采用Y/Y或△/△接法,避免产生3次谐波,如果为了得到零线,则采用Y/Y接法。
C.三相可控整流电路中的整流变压器只能采用Y/Y。
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
41.(填空题)电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流,从大的方面,换流可以分为两类,即外部换流和___,进一步划分,前者又包括___和___两种换流方式,后者包括___和___两种换流方式。(本题5.0分)
学生答案:内部换流,电网,负载,器件,强迫.
标准答案:自换流,电网换流,负载换流,器件换流,强迫换流.
解析:无.
得分:3.0.
42.(填空题)逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为___,当直流侧为电流源时,称此电路为___。(本题2.0分)
学生答案:有源逆变电路,无源逆变电路.
标准答案:电压型逆变电路,电流型逆变电路.
解析:无.
得分:2.0.
43.(填空题)单相电流型逆变电路采用___换相的方式来工作的,其中电容C和L、R构成___电路。(本题2.0分)
学生答案:负载,并联谐振电路.
标准答案:负载换流,并联谐振.
解析:无.
得分:2.0.
44.(填空题)型号为KS100-8的元件表示___晶闸管、它的额定电压为___V、额定电流为___A.(本题3.0分)
学生答案:双向,800,100.
标准答案:双向,800,100.
解析:无.
得分:3.0.
45.(填空题)晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于___电流前,如去掉___脉冲,晶闸管又会关断.(本题2.0分)
学生答案:门极,整流.
标准答案:擎住电流,触发.
解析:无.
得分:2.0.
46.(填空题)由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流ITn等于___倍IT(AV),如果IT(AV)=100A,则它允许的有效电流为___A。通常在选择晶闸管时还要留出___倍的裕量.(本题3.0分)
学生答案:4,3,8.
标准答案:1.57,157,2-3.
解析:无.
得分:0.0.
47.(填空题)根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况,PWM调制方式可分为___和___两种.(本题2.0分)
学生答案:异步调制,同步调制.
标准答案:同步调制,异步调制.
解析:无.
得分:2.0.
48.(填空题)三相半波整流电路的共阴极接法和共阳极接法,a、b两相的自然换相点在相位上相差___度.(本题1.0分)
学生答案:3.
标准答案:180.
解析:无.
得分:0.0.
49.(判断题)晶闸管的门极既可以控制它的导通,也可以控制它的关断.()(本题1.0分)
A.正确
B.错误
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
50.(判断题)某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压为700V,则该晶闸管的额定电压是700V。()(本题1.0分)
A.正确
B.错误
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
51.(判断题)输入接整流变压器的可控整流电路,变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路和单相半波整流电路。()(本题1.0分)
A.正确
B.错误
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
52.(判断题)并联谐振逆变电路,为实现负载换流,补偿后的总负载呈感性。()(本题1.0分)
A.正确
B.错误
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
53.(判断题)电压型逆变电路其交流侧电流波形为矩形波,电压波形接近三角波或正弦波。()(本题1.0分)
A.正确
B.错误
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
54.(判断题)有源逆变是将直流电逆变成与交流电网同频率的交流电回馈电网。()(本题1.0分)
A.正确
B.错误
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
55.(判断题)交流调压电路是既改变频率,又改变输出电压的幅值的电路。()(本题1.0分)
A.正确
B.错误
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
56.(判断题)IGBT是将MOSFET与GTR的优点集于一身。()(本题1.0分)
A.正确
B.错误
学生答案:A.
标准答案:A.
解析:无.
得分:1.0.
57.(判断题)晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是均流措施。()(本题1.0分)
A.正确
B.错误
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
58.(判断题)对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使输出电压平均值上升。()(本题1.0分)
A.正确
B.错误
学生答案:B.
标准答案:B.
解析:无.
得分:1.0.
59.(计算题)三相全控桥变流器,反电动势阻感负载,L=∞,U2=220V,β=45°,R=2Ω,LB=1mH,当EM=-450V,试求:Ud、Id的值,此时送回电网的有功功率是多少?(其中)(本题10.0分)
学生答案:.
标准答案:由题意可列出如下3个等式:.
解析:无.
得分:6.0.
60.(计算题)采用单相半控桥式整流电路,带续流二极管阻感负载。α=60°,U2=220V,R=4Ω,L足够大,试按要求完成下列各项:
(1)画整流电路图。(2)画输出电压、输出电流、晶闸管电流、续流二极管电流波形图。(3)计算输出电压平均值、输出电流平均值。(4)计算晶闸管电流的平均值和有效值。(5)计算续流二极管电流的平均值和有效值。(6)如果电压、电流裕量取2倍,试选择晶闸管型号。(本题10.0分)
学生答案:无.
标准答案:.
解析:无.
得分:0.0.
61.(计算题)升压斩波电路中,已知E=200V,R=10Ω,L值极大,=80V。采用脉宽调制控制方式,T=50μs,=30μs时,计算导通占空比和输出电压平均值、输出电流平均值。(本题10.0分)
学生答案:.
标准答案:占空比输出电压平均值输出电流平均值.
解析:无.
得分:0.0.
1.(单选题)门极可关断晶闸管的电流关断增益较小,一个1000A的GTO,关断时门极负脉冲电流的峰值达()(本题1.0分)
A.2A
B.5A
C.20A
D.200
学生答案:无
标准答案:D
解析:无.
得分:无
2.(单选题)在型号为KP10-12G中,数字12表示()(本题1.0分)
A.额定电压12V
B.额定电流12A
C.额定电压1200V
D.额定电流1000A
学生答案:无
标准答案:C
解析:无.
得分:无
3.(单选题)在变流装置中,三相变压器原、付边大多采用()联结,才能使电源线电流(原边电流)更接近正弦波。(本题1.0分)
A.△/△
B.△/Y
C.Y/Y
D.Y/Y0
学生答案:无
标准答案:B
解析:无.
得分:无
4.(单选题)单结晶体管触发电路的移相范围比锯齿波同步触发电路的移相范围()。(本题1.0分)
A.宽
B.窄
C.相等
学生答案:无
标准答案:B
解析:无.
得分:无
5.(单选题)单相半波可控整流电路电阻性负载时,电路功率因数COSφ最大为()(本题1.0分)
A.0.707
B.1
C.0.45
D.0.9
学生答案:无
标准答案:A
解析:无.
得分:无
6.(单选题)下述电路中,输出电压中谐波分量最小的是()(本题1.0分)
A.单相全控桥
B.三相半波整流电路
C.单相半波整流电路
D.三相全控桥
学生答案:无
标准答案:D
解析:无.
得分:无
7.(单选题)三相半波可控整流电路,电阻性负载,当控制角α为()时,整流输出电压与电流波形连续。(本题1.0分)
A.0°<α≤30°
B.30°<α≤150°
C.60°<α<180°
D.90°<α<180°
学生答案:无
标准答案:A
解析:无.
得分:无
8.(单选题)为了保证逆变电路能正常工作,除了选用可靠的触发器不丢失脉冲外,同时对触发脉冲的最小逆变角βmin规定约为()。(本题1.0分)
A.15度
B.35度
C.60度
D.-30度
学生答案:无
标准答案:B
解析:无.
得分:无
9.(单选题)升压斩波电路中,已知T=50μs,=30μs采用脉宽调制控制方式,则升压比为()(本题1.0分)
A.0.2
B.0.4
C.2.5
D.6
学生答案:无
标准答案:B
解析:无.
得分:无
10.(单选题)三相桥式全控整流电路带电感性负载,,变压器二次侧相电压有效值U2=220V,折算到变压器二次侧的每相漏感为,则时输出直流电压()(本题1.0分)
A.47.77V
B.398.06V
C.220V
学生答案:无
标准答案:B
解析:无.
得分:无
11.(填空题)普通晶闸管具有___导电___特性。(本题2.0分)(本题2.0分)
学生答案:无
标准答案:单向,半控
解析:无.
得分:无
12.(填空题)额定电流为100安的晶闸管允许通过的额定有效电流为___安。若晶闸管断态重复峰值电压UDRM为800V,反向重复峰值电压URRM为880V,则额定电压为___。(本题2.0分)(本题2.0分)
学生答案:无
标准答案:157,800
解析:无.
得分:无
13.(填空题)IGBT是___和___的复合管。(本题2.0分)(本题2.0分)
学生答案:无
标准答案:GTR,P-MOSFET
解析:无.
得分:无
14.(填空题)逆变角和控制角的关系是___。逆变角必须___换相重叠角,否则会引起逆变失败。(本题2.0分)(本题2.0分)
学生答案:无
标准答案:α+β=π,大于
解析:无.
得分:无
15.(填空题)大功率晶闸管装置中,常用多个器件___联来承担较大的电流,这时就会分别因静态和动态特性参数的差异而存在___的问题。(本题2.0分)(本题2.0分)
学生答案:无
标准答案:并,均流
解析:无.
得分:无
16.(填空题)将负载与交流电源___几个整周波,再___几个整周波的控制电路叫调功电路。(本题2.0分)(本题2.0分)
学生答案:无
标准答案:导通,断开
解析:无.
得分:无
17.(填空题)在采样控制理论中有一个重要的结论:___相等而形状不同的___加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。(本题2.0分)(本题2.0分)
学生答案:无
标准答案:面积,窄脉冲
解析:无.
得分:无
18.(填空题)单相交流调压电路,纯阻性负载触发角调节范围是___;阻感负载触发角移相范围是___。
(本题2.0分)
学生答案:无
标准答案:0-π,φ-π
解析:无.
得分:无
19.(填空题)交交变频电路的缺点是:接线复杂;___;___;输入电流谐波含量大,频谱复杂。(本题2.0分)(本题2.0分)
学生答案:无
标准答案:输出频率较低,输入功率因数较低
解析:无
得分:无
20.(填空题)电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流,一般来说,换流方式可分为___、___、___、___四种。(本题4.0分)答案:器件,电网,负载,强迫.(本题4.0分)
学生答案:无
标准答案:器件,电网,负载,强迫
解析:无.
得分:无
21.(填空题)基本的直流斩波电路有___、___、___。(本题5.0分)(本题3.0分)
学生答案:无
标准答案:降压,升压,升降压
解析:无.
得分:无
22.(判断题)
晶闸管的门极无论施加何种大小、方向的电压,均不能使已经导通的普通晶闸管关断.()(本题1.0分)(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:无
标准答案:正确
解析:无.
得分:无
23.(判断题)对同一个晶闸管来说,通常其维持电流大于掣住电流.()(本题1.0分)(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:无
标准答案:错误
解析:无
得分:无
24.(判断题)在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路出故障时会出现失控现象.()(本题1.0分)(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:无
标准答案:正确
解析:无.
得分:无
25.(判断题)
在单相全控桥整流电路中,对角的两个晶闸管的触发脉冲相位相同.()(本题1.0分)(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:无
标准答案:错误
解析:无.
得分:无
26.(判断题)按工频50Hz计算,在三相半波可控整流电路中,电路输出电压波形的脉动频率为300Hz.()(本题1.0分)(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:无
标准答案:错误
解析:无.
得分:无
27.(判断题)三相可控整流与单相电路不同,它的自然换相点α=0°为相邻电压的交叉点,距相电压波形原点为30°,对应线电压的原点为60°.()(本题1.0分)(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:无
标准答案:正确
解析:无.
得分:无
28.(判断题)单结晶体管自激振荡电路之所以能产生振荡是因为静态工作点选在了饱和区.()(本题1.0分)(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:无
标准答案:错误
解析:无.
得分:无
29.(判断题)可控整流电路带有阻感负载时,负载电阻上电压平均值仍能等于晶体管导通时间内的电源电压平均值,而电感两端的电压平均值为零.()(本题1.0分)(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:无
标准答案:正确
解析:无
得分:无
30.(判断题)斩波式交流调压电路的位移因数为1.()(本题1.0分)(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:无
标准答案:正确
解析:无.
得分:无
31.(判断题)晶闸管串联使用时为解决均压问题,常在每只晶闸管两端并联相同的小电阻.()(本题1.0分)(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:无
标准答案:正确
解析:无.
得分:无
32.(简答题)同步信号为锯齿波的触发电路,可分为哪五个环节?(本题5.0分)(本题5.0分)
学生答案:无
标准答案:脉冲形成环节、锯齿波的形成和脉冲移相环节、同步环节、双脉冲形成环节、强触发环节。(拉一个扣1分).
解析:无.
得分:无
33.(简答题)实现有源逆变的条件?哪些电路不能实现有源逆变?(本题5.0分)(本题5.0分)
学生答案:无
标准答案:逆变产生的条件有二:一定要有直流电动势源,其极性须与晶闸管的导通方向一致,其值应稍大于变流器直流侧的平均电压;其次要求晶闸管的α>π/2,Ud为负值。两者必须同时具备才能实现有源逆变。(3分)半控桥或有续流二极管的电路不能实现有源逆变。(2分).
解析:无.
得分:无
34.(简答题)对晶闸管触发电路的基本要求是什么?(本题5.0分)(本题5.0分)
学生答案:无
标准答案:脉冲要有一定的宽度和强度,要有一定的移项范围,要有强触发,要和主电路同步.
解析:无.
得分:无
35.(简答题)硬开关电路存在的主要问题是什么?软开关电路的特点?(本题5.0分)(本题5.0分)
学生答案:无
标准答案:硬开关电路存在的主要问题是开关损耗和开关噪声较大。开关损耗随着开关频率的提高而增加,使电路效率降低,阻碍了开关频率的提高;开关噪声给电路带来严重的电磁干扰问题,影响周围电子设备的正常工作。(3分)软开关电路在电路中增加了小电感、电容等谐振元件,在开关过程前后引人谐振,使开关条件得以改善,从而降低开关损耗和开关噪声。因此,软开关有时也被称为谐振开关。(2分).
解析:无.
得分:无
36.(简答题)三相半波整流电路的共阴极接法和共阳极接法,a,b两相的自然换相点是同一点吗?如果不是,他们在相位上相差多少度?(本题5.0分)(本题5.0分)
学生答案:无
标准答案:不是(2分),180度(3分).
解析:无.
得分:无
37.(计算题)采用单相半控桥式整流电路,带续流二极管阻感负载。α=60°,U2=220V,R=4Ω,L足够大,试按要求完成下列各项:(1)画整流电路图。(2)画输出电压、输出电流、晶闸管电流、续流二极管电流波形图。(3)计算输出电压平均值、输出电流平均值。(4)计算晶闸管电流的平均值和有效值。(5)计算续流二极管电流的平均值和有效值。(6)如果电压、电流裕量取2倍,试选择晶闸管型号。(本题10.0分)
学生答案:无
标准答案:
解析:无
得分:无
38.(计算题)三相桥式全控整流电路,相电压,反电动势阻感负载L=0.2H,Rd=2欧,,α=30°时,试按要求完成下列各项:
(1)画出整流电路主电路图。
(2)计算输出电压、电流平均值,晶闸管电流的平均值和有效值,变压器副边电流。(3)如果电压、电流裕量取2倍余量,试选择晶闸管型号。(4)电路的输入功率因数(本题10.0分)
学生答案:无
标准答案:
解析:无
得分:无
39.(计算题)画出三相桥式电压型逆变电路图,桉180°导电方式,Ud=200V。试求输出相电压的基波幅值UUN1m和有效值UUN1、输出线电压的基波幅值UUV1m和有效值UUV1。(本题10.0分)
学生答案:无
标准答案:输出相电压的基波幅值为=127(V)输出相电压基波有效值为=90(V)输出线电压的基波幅值为=220(V)输出线电压基波的有效值为=156(V)
解析:无
得分:无
1.(单选题)关于单相桥式全控整流电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相桥式全控整流电路简单,但整流变压器存在直流磁化现象。
B.单相桥式全控整流电路中的整流变压器不存在直流磁化现象。
C.单相桥式全控整流电路简单,在电阻性负载时,整流变压器存在直流磁化现象。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
2.(单选题)MOSFET和IGBT并联运行,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.型号相同的MOSFET可以并联运行,而IGBT不可以并联运行。
B.型号相同的MOSFET可以并联运行,IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数,也可以并联使用。
C.型号相同的MOSFET不可以并联运行,而IGBT可以并联运行。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
3.(单选题)关于相控电路的驱动电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.相控驱动电路要有同步环节,同步信号频率与主电路电源的频率相同,其相位关系则随外加控制信号的变化而变化。
B.相控驱动电路要有同步环节,同步信号频率与主电路电源的频率相同且相位关系确定。
C.相控驱动电路不需要同步环节,其相位关系由外加控制信号确定。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
4.(单选题)晶闸管正向特性表述正确的是:()。(本题1.0分)
A.随着门极电流幅值的增大,正向转折电压增大。
B.只要门极电流幅值大于1mA,晶闸管承受正向电压时就导通。
C.随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低。
学生答案:C
标准答案:C
解析:无
得分:1.0
5.(单选题)有关GTR的二次击穿现象表述正确的是:()(本题1.0分)
A.虽然GTR存在二次击穿现象,但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。
B.GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。
C.GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。
学生答案:C
标准答案:C
解析:无
得分:1.0
6.(单选题)晶闸管的结构为:()(本题1.0分)
A.晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。
B.晶闸管具有PNPN四层半导体结构
C.晶闸管具有PNP和或NPN三层半导体结构。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
7.(单选题)三相桥式全控整流电路导通晶闸管数量,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通,但不能肯定是否共阴极组的和共阳极组的各1个导通。
B.三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通,共阴极组的和共阳极组的各1个,且不能为同一相的晶闸管。
C.三相桥式全控整流电路每个时刻仅需1个晶闸管导通。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
8.(单选题)规则采样法与自然采样法,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时,自然采样法比规则采样法更容易实现。
B.用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时,规则采样法比自然采样法更容易实现。
C.用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时,自然采样法与规则采样法是一样的,只是称谓不同而已。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
9.(单选题)PWM跟踪控制技术中的三角波比较方式,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.三角波比较方式可以使开关频率固定。
B.三角波比较方式的开关频率与环宽的大小有关。
C.三角波比较方式的开关频率与误差大小有关。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
10.(单选题)关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR慢。
B.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比电力MOSFET快。
C.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR快。
学生答案:C
标准答案:C
解析:无
得分:1.0
11.(单选题)斩波电路有三种控制方式:()(本题1.0分)
A.斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM);频率调制;占空比控制。
B.斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM);频率调制;混合型。
C.斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM);周期数通断比控制;占空比控制。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
12.(单选题)开环控制的晶闸管直流电动机系统的机械特性,表述正确的()(本题1.0分)
A.无论电流断续还是电流连续,晶闸管直流电动机系统的机械特性曲线是一条直线。
B.晶闸管直流电动机系统当电流断续时,电流小,则电动机的理想空载转速变小,机械特性变硬。
C.晶闸管直流电动机系统当电流断续时,电动机的理想空载转速抬高,机械特性变软。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
13.(单选题)有源逆变时的直流电动势,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.要有直流电动势,其值应大于变流器直流侧的平均电压,其极性须和晶闸管的导通方向一致。
B.要有直流电动势,其值应大于变流器直流侧的平均电压,其极性没有特别的规定。
C.要有直流电动势,其值应小于变流器直流侧的平均电压,其极性须和晶闸管的导通方向一致。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
14.(单选题)关于单相全波整流电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相全波整流电路只用2个晶闸管;但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥的2倍。
B.单相全波整流电路只用2个晶闸管;但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥的4倍。
C.单相全波整流电路只用2个晶闸管,晶闸管承受的最大电压与单相全控桥相等。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
15.(单选题)关于逆变角,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.限制逆变角的最小值,其目的是为了防止逆变失败。
B.限制逆变角的最大值,其目的是为了防止逆变失败。
C.限制逆变角的最小值,其目的是为了防止输出电压太小。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
16.(单选题)关于控制角,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.从SCR承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发延迟角,也称触发角或控制角。
B.晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度称为控制角。
C.晶闸管的控制角也称为导通角。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
17.(单选题)单相电压型逆变电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相电压型逆变电路的移相调压方式,改变滞后角就可调节输出电压的峰值。
B.单相电压型逆变电路的移相调压方式,改变滞后角就可调节输出电压的有效值。
C.单相电压型逆变电路的移相调压方式,改变滞后角不能调节输出电压的有效值。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
18.(单选题)单相桥式半控整流电路结构,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相桥式半控整流电路须有续流通路,其电路用续流二极管构成续流通路,电路拓扑只有一种形式。
B.单相桥式半控整流电路须有续流通路,电路拓扑不只有一种形式,也可以有其它形式。
C.单相桥式半控整流电路须有4个晶闸管组成。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
19.(单选题)降压型零电压开关准谐振电路开关管耐压,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.降压型零电压开关准谐振电路,谐振电压峰值高于输入电压的2倍,增加了对开关器件耐压的要求。
B.降压型零电压开关准谐振电路,谐振电压峰值与输入电压相等。
C.降压型零电压开关准谐振电路,谐振电压峰值低于输入电压的1/2。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
20.(单选题)什么是电力电子技术?()(本题1.0分)
A.用于电力领域的电子技术,即应用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
B.用于电力领域和信息领域的电子技术的总称。
C.用于电气领域和信息领域的电子技术的总称。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
21.(单选题)降压斩波电路与升压斩波电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.降压斩波电路与升压斩波电路是用于直流/直流变换的。
B.降压斩波电路与升压斩波电路是用于直流/直流变换和交流/交流变换的。
C.降压斩波电路与升压斩波电路是用于交流/交流变换的。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
22.(单选题)三相电压型逆变电路输出电压波形,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.三相电压型逆变电路负载相电压波形是3电平方波,线电压波形是5电平阶梯波。
B.三相电压型逆变电路负载相电压波形是5电平阶梯波,线电压波形是3电平方波。
C.三相电压型逆变电路负载相电压波形是5电平阶梯波,线电压波形也是5电平方波。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
23.(单选题)晶闸管是如何导通的?()(本题1.0分)
A.在晶闸管阳极——阴极之间无论加正向或反向电压,只要门极加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
B.在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压,门极加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
C.在晶闸管阳极——阴极之间加正向电压,门极也加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
学生答案:C
标准答案:C
解析:无
得分:1.0
24.(单选题)门极可关断晶闸管GTO半导体结构式为:()(本题1.0分)
A.门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层半导体结构。
B.门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
C.门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
25.(单选题)关于触发电路的定相,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路,触发电路的定相指的是确定每相触发电路的频率。
B.晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路,则触发电路定相的关键是确定同步信号数量,其数量等于电源电压相数。
C.晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路,则触发电路定相的关键是确定同步信号与晶闸管阳极电压的关系。
学生答案:C
标准答案:C
解析:无
得分:1.0
26.(单选题)降压式变换器,输入电压为27V10%,输出电压为15V,则占空比的变化范围是()。(本题1.0分)
A.0.12—0.15
B.0.15—0.18
C.0.505—0.617
学生答案:C
标准答案:C
解析:无
得分:1.0
27.(单选题)变压器漏感对输出电压值的影响是:()(本题1.0分)
A.变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流输出电压平均值升高。
B.变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流输出电压平均值降低。
C.变压器漏感对整流电路的影响之一是波形变化了,但整流输出电压平均值不变。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
28.(单选题)关于升降压斩波电路、Cuk斩波电路电流,表述正确的是:()。(本题1.0分)
A.Cuk斩波电路和升降压斩波电路的输入电源电流和输出负载电流都是可以连续的,有利于对输入、输出进行滤波。
B.Cuk斩波电路的输入电源电流和输出负载电流都是可以连续的,有利于对输入、输出进行滤波。
C.升降压斩波电路的输入电源电流和输出负载电流都是可以连续的,有利于对输入、输出进行滤波。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
29.(单选题)异步调制,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.只要载波比N是不变的调制方式称为异步调制。通常载波频率fc固定不变,信号波频率fr是变化的。
B.载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。通常载波频率fc、信号波频率fr都是变化的,载波比N是不变的。
C.载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。通常载波频率fc固定不变,信号波频率fr变化时,载波比N是变化的。
学生答案:C
标准答案:C
解析:无
得分:1.0
30.(单选题)关于单相半波可控整流电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相半波可控整流电路简单,但整流变压器存在直流磁化现象。
B.单相半波可控整流电路电感性负载时,整流变压器没有直流磁化问题。
C.单相半波可控整流电路电阻性负载时,电流是连续的。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
31.(单选题)关于缓冲电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.关断缓冲电路指的是di/dt抑制电路。
B.关断缓冲电路指的是du/dt抑制电路。
C.关断缓冲电路指的是di/dt抑制电路和du/dt抑制电路。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无.
得分:1.0
32.(单选题)GTR典型输出特性分为:()(本题1.0分)
A.典型输出特性分三个区:截止区、放大区和非饱和区。
B.典型输出特性分三个区:截止区、放大区和饱和区。
C.典型输出特性分三个区:截止区、线性区和非饱和区。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
33.(单选题)关于单相桥式半控整流电路的失控,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相桥式半控整流电路须有续流通路,否则在带电感负载时,会发生失控现象。
B.单相桥式半控整流电路,在有、没有续流通路的情况下,输出电压波形不一样,但不会发生失控现象。
C.单相桥式半控整流电路,不能有续流通路,否则,会发生失控现象。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
34.(单选题)关于绝缘栅双极晶体管安全工作区,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.相同电压和电流定额时,IGBT安全工作区与GTR一样。
B.相同电压和电流定额时,IGBT安全工作区比GTR宽。
C.相同电压和电流定额时,IGBT安全工作区比GTR窄。
学生答案:A
标准答案:B
解析:无
得分:0.0
35.(单选题)双反星形可控整流电路整流变压器,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.双反星形为两组三相半波并联,且需用平衡电抗器,每组三相半波整流电路各承担负载平均电流的1/2,整流变压器不存在直流磁化现象。
B.双反星形为两组三相半波并联,且需用平衡电抗器,每组三相半波整流电路各承担负载平均电流的1/2,但整流变压器存在直流磁化现象。
C.双反星形为两组三相半波并联,且需用平衡电抗器,每组三相半波整流电路各承担负载平均电流的1/2,不需要整流变压器。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
36.(单选题)单相交流调压电路的输出电压,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.晶闸管单相交流调压电路对晶闸管的a进行控制,调节输出电压。
B.晶闸管单相交流调压电路对晶闸管的导通与关断周期数进行控制,调节输出电压。
C.晶闸管单相交流调压电路仅对晶闸管的导通周期数进行控制,调节输出电压。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
37.(单选题)晶闸管门极的控制作用,表述正确的是:()。(本题1.0分)
A.晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。
B.晶闸管导通后,门极一旦无电流,则晶闸管就立即关断。
C.晶闸管导通后,门极一旦加反向电压,则晶闸管就立即关断。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
38.(单选题)MOSFET的输出特性分为:()(本题1.0分)
A.MOSFET的输出特性分三个区:截止区、放大区和非饱和区。
B.MOSFET的输出特性分三个区:截止区、放大区和饱和区。
C.MOSFET的输出特性分三个区:截止区、非饱和区和饱和区。
学生答案:C
标准答案:C
解析:无
得分:1.0
39.(单选题)电力变换通常包括那几类?()(本题1.0分)
A.AC/DC和DC/AC两大类。
B.AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类
C.AC/DC、DC/AC、DC/DC三大类。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
40.(单选题)三相可控整流电路中的整流变压器,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.三相可控整流电路中的整流变压器一般采用△/Y或Y/△接法,避免产生3次谐波,如果为了得到零线,则采用△/Y接法。
B.三相可控整流电路中的整流变压器一般采用Y/Y或△/△接法,避免产生3次谐波,如果为了得到零线,则采用Y/Y接法。
C.三相可控整流电路中的整流变压器只能采用Y/Y。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
41.(填空题)电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流,从大的方面,换流可以分为两类,即外部换流和___,进一步划分,前者又包括___和___两种换流方式,后者包括___和___两种换流方式。(本题5.0分)
学生答案:自换流,电网换流,负载换流。器件换流,强迫换流。,,,,
标准答案:自换流,电网换流,负载换流,器件换流,强迫换流
解析:无
得分:1.0
42.(填空题)逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为___,当直流侧为电流源时,称此电路为___。(本题2.0分)
学生答案:电压型逆变电路,电流型逆变电路。,
标准答案:电压型逆变电路,电流型逆变电路
解析:无
得分:1.0
43.(填空题)单相电流型逆变电路采用___换相的方式来工作的,其中电容C和L、R构成___电路。(本题2.0分)
学生答案:负载换流,并联谐振。,
标准答案:负载换流,并联谐振
解析:无
得分:1.0
44.(填空题)型号为KS100-8的元件表示___晶闸管、它的额定电压为___V、额定电流为___A.(本题3.0分)
学生答案:双向,800,1007。,,
标准答案:双向,800,100
解析:无
得分:1.0
45.(填空题)晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于___电流前,如去掉___脉冲,晶闸管又会关断.(本题2.0分)
学生答案:擎住电流,触发。,
标准答案:擎住电流,触发
解析:无
得分:1.0
46.(填空题)由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流ITn等于___倍IT(AV),如果IT(AV)=100A,则它允许的有效电流为___A。通常在选择晶闸管时还要留出___倍的裕量.(本题3.0分)
学生答案:1.57,157,2-3。,,
标准答案:1.57,157,2-3
解析:无
得分:0.0
47.(填空题)根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况,PWM调制方式可分为___和___两种.(本题2.0分)
学生答案:同步调制,异步调制。,
标准答案:同步调制,异步调制
解析:无
得分:1.0
48.(填空题)三相半波整流电路的共阴极接法和共阳极接法,a、b两相的自然换相点在相位上相差___度.(本题1.0分)
学生答案:180
标准答案:180
解析:无
得分:1.0
49.(判断题)晶闸管的门极既可以控制它的导通,也可以控制它的关断.()(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:错误
标准答案:错误
解析:无
得分:1.0
50.(判断题)某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压为700V,则该晶闸管的额定电压是700V。()(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:错误
标准答案:错误
解析:无
得分:1.0
51.(判断题)输入接整流变压器的可控整流电路,变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路和单相半波整流电路。()(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:正确
标准答案:正确
解析:无
得分:1.0
52.(判断题)并联谐振逆变电路,为实现负载换流,补偿后的总负载呈感性。()(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:错误
标准答案:错误
解析:无
得分:1.0
53.(判断题)电压型逆变电路其交流侧电流波形为矩形波,电压波形接近三角波或正弦波。()(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:错误
标准答案:错误
解析:无
得分:1.0
54.(判断题)有源逆变是将直流电逆变成与交流电网同频率的交流电回馈电网。()(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:正确
标准答案:正确
解析:无
得分:1.0
55.(判断题)交流调压电路是既改变频率,又改变输出电压的幅值的电路。()(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:错误
标准答案:错误
解析:无
得分:1.0
56.(判断题)IGBT是将MOSFET与GTR的优点集于一身。()(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:正确
标准答案:正确
解析:无
得分:1.0
57.(判断题)晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是均流措施。()(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:错误
标准答案:错误
解析:无
得分:1.0
58.(判断题)对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使输出电压平均值上升。()(本题1.0分)
正确
错误
学生答案:错误
标准答案:错误
解析:无
得分:1.0
59.(计算题)三相全控桥变流器,反电动势阻感负载,L=∞,U2=220V,β=45°,R=2Ω,LB=1mH,当EM=-450V,试求:Ud、Id的值,此时送回电网的有功功率是多少?(其中)(本题10.0分)
学生答案:
标准答案:由题意可列出如下3个等式:
解析:无
得分:9.0
60.(计算题)采用单相半控桥式整流电路,带续流二极管阻感负载。α=60°,U2=220V,R=4Ω,L足够大,试按要求完成下列各项:(1)画整流电路图。(2)画输出电压、输出电流、晶闸管电流、续流二极管电流波形图。(3)计算输出电压平均值、输出电流平均值。(4)计算晶闸管电流的平均值和有效值。(5)计算续流二极管电流的平均值和有效值。(6)如果电压、电流裕量取2倍,试选择晶闸管型号。(本题10.0分)
学生答案:
标准答案:
解析:无
得分:9.0
61.(计算题)升压斩波电路中,已知E=200V,R=10Ω,L值极大,=80V。采用脉宽调制控制方式,T=50μs,=30μs时,计算导通占空比和输出电压平均值、输出电流平均值。(本题10.0分)
学生答案:
标准答案:占空比输出电压平均值输出电流平均值
解析:无
得分:9.0
1.(单选题)关于单相桥式全控整流电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相桥式全控整流电路简单,但整流变压器存在直流磁化现象。
B.单相桥式全控整流电路中的整流变压器不存在直流磁化现象。
C.单相桥式全控整流电路简单,在电阻性负载时,整流变压器存在直流磁化现象。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
2.(单选题)MOSFET和IGBT并联运行,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.型号相同的MOSFET可以并联运行,而IGBT不可以并联运行。
B.型号相同的MOSFET可以并联运行,IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数,也可以并联使用。
C.型号相同的MOSFET不可以并联运行,而IGBT可以并联运行。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
3.(单选题)关于相控电路的驱动电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.相控驱动电路要有同步环节,同步信号频率与主电路电源的频率相同,其相位关系则随外加控制信号的变化而变化。
B.相控驱动电路要有同步环节,同步信号频率与主电路电源的频率相同且相位关系确定。
C.相控驱动电路不需要同步环节,其相位关系由外加控制信号确定。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
4.(单选题)晶闸管正向特性表述正确的是:()。(本题1.0分)
A.随着门极电流幅值的增大,正向转折电压增大。
B.只要门极电流幅值大于1mA,晶闸管承受正向电压时就导通。
C.随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低。
学生答案:C
标准答案:C
解析:无
得分:1.0
5.(单选题)有关GTR的二次击穿现象表述正确的是:()(本题1.0分)
A.虽然GTR存在二次击穿现象,但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。
B.GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。
C.GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。
学生答案:C
标准答案:C
解析:无
得分:1.0
6.(单选题)晶闸管的结构为:()(本题1.0分)
A.晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。
B.晶闸管具有PNPN四层半导体结构
C.晶闸管具有PNP和或NPN三层半导体结构。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
7.(单选题)三相桥式全控整流电路导通晶闸管数量,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通,但不能肯定是否共阴极组的和共阳极组的各1个导通。
B.三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通,共阴极组的和共阳极组的各1个,且不能为同一相的晶闸管。
C.三相桥式全控整流电路每个时刻仅需1个晶闸管导通。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
8.(单选题)规则采样法与自然采样法,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时,自然采样法比规则采样法更容易实现。
B.用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时,规则采样法比自然采样法更容易实现。
C.用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时,自然采样法与规则采样法是一样的,只是称谓不同而已。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
9.(单选题)PWM跟踪控制技术中的三角波比较方式,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.三角波比较方式可以使开关频率固定。
B.三角波比较方式的开关频率与环宽的大小有关。
C.三角波比较方式的开关频率与误差大小有关。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
10.(单选题)关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR慢。
B.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比电力MOSFET快。
C.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR快。
学生答案:C
标准答案:C
解析:无
得分:1.0
11.(单选题)斩波电路有三种控制方式:()(本题1.0分)
A.斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM);频率调制;占空比控制。
B.斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM);频率调制;混合型。
C.斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM);周期数通断比控制;占空比控制。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
12.(单选题)开环控制的晶闸管直流电动机系统的机械特性,表述正确的()(本题1.0分)
A.无论电流断续还是电流连续,晶闸管直流电动机系统的机械特性曲线是一条直线。
B.晶闸管直流电动机系统当电流断续时,电流小,则电动机的理想空载转速变小,机械特性变硬。
C.晶闸管直流电动机系统当电流断续时,电动机的理想空载转速抬高,机械特性变软。
学生答案:C
标准答案:B
解析:无
得分:0.0
13.(单选题)有源逆变时的直流电动势,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.要有直流电动势,其值应大于变流器直流侧的平均电压,其极性须和晶闸管的导通方向一致。
B.要有直流电动势,其值应大于变流器直流侧的平均电压,其极性没有特别的规定。
C.要有直流电动势,其值应小于变流器直流侧的平均电压,其极性须和晶闸管的导通方向一致。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
14.(单选题)关于单相全波整流电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相全波整流电路只用2个晶闸管;但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥的2倍。
B.单相全波整流电路只用2个晶闸管;但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥的4倍。
C.单相全波整流电路只用2个晶闸管,晶闸管承受的最大电压与单相全控桥相等。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
15.(单选题)关于逆变角,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.限制逆变角的最小值,其目的是为了防止逆变失败。
B.限制逆变角的最大值,其目的是为了防止逆变失败。
C.限制逆变角的最小值,其目的是为了防止输出电压太小。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
16.(单选题)关于控制角,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.从SCR承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发延迟角,也称触发角或控制角。
B.晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度称为控制角。
C.晶闸管的控制角也称为导通角。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
17.(单选题)单相电压型逆变电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相电压型逆变电路的移相调压方式,改变滞后角就可调节输出电压的峰值。
B.单相电压型逆变电路的移相调压方式,改变滞后角就可调节输出电压的有效值。
C.单相电压型逆变电路的移相调压方式,改变滞后角不能调节输出电压的有效值。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
18.(单选题)单相桥式半控整流电路结构,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.单相桥式半控整流电路须有续流通路,其电路用续流二极管构成续流通路,电路拓扑只有一种形式。
B.单相桥式半控整流电路须有续流通路,电路拓扑不只有一种形式,也可以有其它形式。
C.单相桥式半控整流电路须有4个晶闸管组成。
学生答案:B
标准答案:B
解析:无
得分:1.0
19.(单选题)降压型零电压开关准谐振电路开关管耐压,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.降压型零电压开关准谐振电路,谐振电压峰值高于输入电压的2倍,增加了对开关器件耐压的要求。
B.降压型零电压开关准谐振电路,谐振电压峰值与输入电压相等。
C.降压型零电压开关准谐振电路,谐振电压峰值低于输入电压的1/2。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
20.(单选题)什么是电力电子技术?()(本题1.0分)
A.用于电力领域的电子技术,即应用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
B.用于电力领域和信息领域的电子技术的总称。
C.用于电气领域和信息领域的电子技术的总称。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
21.(单选题)降压斩波电路与升压斩波电路,表述正确的是:()(本题1.0分)
A.降压斩波电路与升压斩波电路是用于直流/直流变换的。
B.降压斩波电路与升压斩波电路是用于直流/直流变换和交流/交流变换的。
C.降压斩波电路与升压斩波电路是用于交流/交流变换的。
学生答案:A
标准答案:A
解析:无
得分:1.0
22.(单选题)三相电压型逆变
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