半导体激光器基础试卷测试题及答案

半导体激光器基础试卷测试题及答案您的姓名：[填空题]*_________________________________一、单选题（5分/题）1、我们公司外延片的衬底片是用的什么材料（）[单选题]*A、砷化镓（GaAs）B、磷化铟（InP）(正确答案)C、氮化镓（GaN）D、碳化硅（SiC）2、半导体激光器的英文缩写是（）[单选题]*A.LEDB.PDC.LD(正确答案)D.APD3、LED与半导体激光器LD最核心的区别是（）[单选题]*A.颜色不同B.是否相干、是否有谐振腔(正确答案)C.功率不同D.电压不同4.半导体激光器工作时，必须满足的关键条件是（）[单选题]*A.粒子数反转(正确答案)B.常温环境C.高电压D.大电阻5.光通信PON系统中，OLT/ONU发光器件主要使用（）[单选题]*A.固体激光器B.气体激光器C.半导体激光器(正确答案)D.染料激光器6.FP激光器相比DFB激光器，最大缺点是（）[单选题]*A.功率太小B.多纵模、色散大、传输距离短(正确答案)C.电压高D.发热大7.DFB半导体激光器的特点是（）[单选题]*A.多波长输出B.单纵模、窄线宽、适合长距离传输(正确答案)C.只能短距使用D.无谐振腔8.常用PON下行波长1490nm、上行1310nm、CATV1550nm，全部属于（）[单选题]*A.可见光波段B.近红外波段(正确答案)C.紫外波段D.远红外波段9.半导体激光器存在阈值电流，其含义是（）[单选题]*A.电流小于阈值不发光B.电流达到阈值才产生激光相干输出(正确答案)C.阈值是最大电流D.阈值固定不变10.激光器外延层生长最主流的设备是（）[单选题]*A.PVD镀膜机B.MOCVD金属有机气相沉积设备(正确答案)C.光刻机D.刻蚀机11.半导体激光器晶圆结构的核心生长工艺是（）[单选题]*A.物理蒸发B.机械沉积C.湿法刻蚀D.外延生长(正确答案)12.标准光刻工艺流程的正确顺序是（）[单选题]*A.涂胶→曝光→显影→烘胶→对准B.显影→涂胶→曝光→坚膜C.烘胶→涂胶→对准曝光→显影→坚膜(正确答案)D.涂胶→显影→曝光→烘胶13.光刻对位偏差过大，会直接导致激光器芯片出现（）[单选题]*A.外延层脱落B.电极偏移、台面变形、器件失效(正确答案)C.镀膜厚度不足D.晶圆开裂14.半导体激光器制程中，刻蚀工艺的主要作用是（）[单选题]*A.沉积薄膜B.按照光刻图形去除多余半导体材料，形成芯片台面结构(正确答案)C.固化光刻胶D.生长量子阱15.激光芯片制程中四大工序的正确优先级是（）[单选题]*A.外延生长→光刻图形→刻蚀成型→蒸发镀膜(正确答案)B.光刻→刻蚀→外延→蒸发C.蒸发→光刻→刻蚀→外延D.刻蚀→外延→光刻→蒸发16.湿法刻蚀的主要缺点是（）[单选题]*A.精度过高B.各向同性、侧向腐蚀严重、微细图形失真(正确答案)C.污染小D.速度太慢17.激光器腔面增透膜、高反膜的制备工艺是（）[单选题]*A.光刻工艺B.外延工艺C.刻蚀工艺D.高精度蒸发镀膜工艺(正确答案)18.激光芯片P面、N面金属电极，最常用的制备方式是（）[单选题]*A.电子束蒸发(正确答案)B.湿法镀膜C.气相生长D.机械贴合19.干法刻蚀常用于激光芯片的哪种精细结构（）[单选题]*A.粗台面B.纳米级DFB光栅、微细波导结构(正确答案)C.大面积钝化层D.晶圆背面