CN119493533A 数据处理方法、存储介质和电子设备 （苏州萨沙迈半导体有限公司）

储空间基于FLASH存储空间生成；将所述第一待预设于所述FLASH存储空间以外的存储空间中；通过周期性的执行针对所述缓冲队列的写入命2确定待写入模拟EEPROM存储空间的第一待处理数据；其中，所述通过周期性的执行针对所述缓冲队列的写入命令，将所述缓冲将所述目标数据的存储区域序号和校验码分别与缓冲队列中的第二待处理数据的存与所述模拟EEPROM存储空间中的已存储数据的存储区域序号和校验码对比，若均不相同，设置该模拟EEPROM扇区中的无效数据的存储空间作为下一个模拟EEPROM扇区的剩余若所述缓冲队列中第二待处理数据中存在与所述第三待处理数述模拟EEPROM存储空间中获取第三待对于所述缓冲队列中各项数据中的每一项数据，基于至少一个周期写的最小字节数的情况下，通过补充字节数将写入的字节数增加到不小于最小字节数的数若写入成功，则在预设的目录中查找是否存在与该项数据的存3若不存在，则设置该项数据的上一个存储区域的无效标志4[0003]在此情况下，可以采用FLASH模拟EEPROM，将频繁修改的业务数据存放于模拟的按照队列顺序写入的所述模拟EEPROM5才能给命令写入下一项数据，而本发明实施例提供的方案中，将所有需要写入模拟EEPROM（ElectricallyErasableProgrammablereadonlymemory，带电可擦可编程只读存储所配置的起始地址和大小所指定的范围内FLASH的存储空间就被设置为模拟EEPROM存储空[0017]缓冲队列预设于FLASH存储空间以外的存储空间中，使得缓冲队列的数据处理过程不会直接影响到FLASH存储空间中的存取过程。具体的，可以在SRAM（StaticRandom_据的缓冲队列。6过下发写入命令将要写入的第一待处理数据的块区序号以及通过第一待处理数据计算出缓冲队列的数据内容与FLASH存储空间中的已存储数据的校验数据作对比，在校验数据不7EEPROM扇区中的有效数据复制到下一个模拟EEP[0048]无效数据相对于有效数据而言，如果扇区中的数据无法正确反映实际存储的信8[0069]本发明的一个实施例中，将缓冲队列中的各项数据按照队列顺序写入的模拟9[0071]上述各项数据中的每一项数据可以指前述实施例中任意的第一、第二待处理数续在读取时会通过这个目录快速读取模拟EEPROM的信息，在将区块数据成功写入FLASH之[0076]以下通过图2所示的流程图说明将第一待处理数据写入缓冲队列的一种实施方数之后或者是有可能存不下下一条数据或者包文时,需要根据需要对存入不了的部分进行字节数和当前模拟EEPROM扇区剩余空间实际应用中收发器604不限于一个，该电子设备600的结构并不构成对本发明实施例的限（DigitalSignalProcessor，数据信号处理器ASIC（ApplicationSpecific等。（PeripheralComponentInterconnect，外设部件互连标准）总线或EISA（Extended线或一种类型的总线。[0102]存储器603用于存储与本发明上述实施例的数据处理方法对应的计算机程序，该位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必