CN119495737A 一种碳辅助刻蚀多孔硅的制备方法及其应用 （武汉理工大学三亚科教创新园）_第1页
CN119495737A 一种碳辅助刻蚀多孔硅的制备方法及其应用 （武汉理工大学三亚科教创新园）_第2页
CN119495737A 一种碳辅助刻蚀多孔硅的制备方法及其应用 （武汉理工大学三亚科教创新园）_第3页
CN119495737A 一种碳辅助刻蚀多孔硅的制备方法及其应用 （武汉理工大学三亚科教创新园）_第4页
CN119495737A 一种碳辅助刻蚀多孔硅的制备方法及其应用 （武汉理工大学三亚科教创新园）_第5页
已阅读5页，还剩16页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

一种碳辅助刻蚀多孔硅的制备方法及其应用本发明公开了一种碳辅助刻蚀多孔硅的制括以下步骤1）将废旧光伏硅片通过超声处理理硅片和碳源材料进行反应，得到硅碳复合材2述蚀刻的方法为使用溶液法或者HF蒸汽法或HF_H2O2混合蒸汽法进行HNO37.根据权利要求4_6任一项所述的碳辅助刻蚀多孔硅的制备方法，其特征在于，步骤中，所述有机溶剂为乙醇或异丙醇，所述硅碳复合材料和有机溶剂的料液比g/mL为1:40~3[0001]本发明涉及电池材料领域，特别涉及一种碳辅助刻蚀多孔硅的制备方法及其应/脱锂过程中约400%的剧烈体积变化以及其低电子电导_3Sm_1成多孔结构是一种有效的方法。多孔硅内部的孔隙可以缓冲硅在嵌锂/脱锂过程中的体积学腐蚀和金属辅助刻蚀可以一步直接将硅刻蚀为多孔硅，得到的硅为稳定的单晶多孔结[0006]公开号为CN109755520A的中国专利申请公开一种多孔硅碳复合材料及其制备方[0007]公开号为CN115036216A的中国专利申请公开一种碳化硅纳米多孔刻蚀方法及刻[0008]因此，开发一种无需金属催化剂的非金属辅助刻蚀方法制备多孔硅具有重要意4目的在于提供一种使用上述方法制备的多孔硅材料作为锂离球磨过程使用二氧化锆球和球磨罐进行，二氧化锆球与材料的质量比为30~50:1，以300~2O235[0034]图8为实施例1中薄片的原子分辨率高角度暗场像和来自中标记区域1和2的放大[0038]图12为实施例1中pSi_C薄片的对锂半电池在0.2Ag_1下的循环性能和不同电流6球磨，球磨过程使用二氧化锆球和球磨罐进行，球与材料的质量比为40:1，球磨机以400[0048]图1为实施例1采用碳辅助蚀刻法所得的pSi_C薄片，从而呈现出具有明确纳米孔_114）。全电池在0.2C时还表现出137mAhg_1的高可逆容量，并且在100次循环后仍保留7本对比例在实施例1基础上，未加入碳。图6为对比例1未加入碳所得的硅薄片的89

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 信息产业

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论