CN119497391A 一种铁电存储单元、其制作方法、铁电存储器及电子设备 （华为技术有限公司）

本申请提供一种铁电存储单元、其制作方氧层可以吸附第一电极与铁电存储层之间形成减薄氧化物层的厚度，且抑制氧化物层继续形2对应的氧化物的吉布斯自由能小于所述第一电极对应的氧化物的吉布2.如权利要求1所述的铁电存储单元，其特征在于，所述导电缓冲层的制作材料包括3.如权利要求1或2所述的铁电存储单元，其特6.如权利要求1_5任一项所述的铁电存储单元，其特征在于，所述第二电极的厚度为9.如权利要求8所述的铁电存储单元，其特征在于，所述导电粘附层的制作材料包括在所述导电缓冲层之上形成导电吸氧层，所述导电吸在所述导电吸氧层之上形成第二电极，使得所述导电缓在形成所述导电吸氧层之后且在形成所述第二电极之前，在所所述存储阵列中包括多个如权利要求1_9任一项所述的铁电存储单元，所述多个铁电存储3材料与互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)工艺4储层之间的氧化物层的继续形成；当然第一电极对氧化物层可以起到一定的化学分解作理解，铁电存储层中的氧化物在热力学上的稳定性高于第一电极对应的氧化物的稳定性，并且，导电粘附层的厚度可以设置为1nm至20nm，将导电粘附层的厚度设置在合适的范围5作材料可以包括：锆掺杂的氧化铪(比如Hf0.5Zr0.5O2)、锆和镧掺杂的氧化铪(比如La掺杂作的铁电存储单元可以如上述第一方面及第一方面的任一种可能的实施方式中介绍的铁氧的传输通道，将氧从位于第一电极与铁电存储层之间的氧化物层中传输至导电吸氧层层之上形成导电粘附层。该导电粘附层可以增加导电吸氧层与第二电极之间的粘附强度，6以在形成复合电极中的任一层之后执行，只要能够使得铁电存储层呈现出铁电性能即可，一列的铁电存储单元可以与同一条位线连接，不同列的铁电存储单元与不同的位线连接，7具有其它功能(如读写功能)的电子设备。电子设备可以是(如智能手表)、或车载设备等。便携式电子设备的示例性实施例包括但不限于搭载其中，铁电存储器100可以是非易失性存储器。非易失性存储器可以是只读存储器(read_8择信号开启目标铁电存储单元所在的行对应的全部铁电存储单元，之后译码该读/写请求[0040]尽管图2中未示出，铁电存储器100还可以包括其它部件，如主存数据寄存器本申请实施例提供了一种铁电存储单元，如图3示例性地示出的本申请实施例中铁电存储[0042]参见图4所示的原理示意图，导电吸氧层22对应的氧化物的Gibs小于第一电极10对应的氧化物的Gibs，使得导电吸氧层22对氧的吸附能力高于第一电极10对氧的吸附能9图3中的d2所示)可以设置为1nm至20nm，从而在避免导电吸氧层22与铁电存储层30直接接作材料可以包括：锆掺杂的氧化铪(比如Hf0.5Zr0.5O2)、锆和镧掺杂的氧化铪(比如La掺杂厚度(如图3中的d3所示)可以设置为1nm至100nm，吸氧层22与第二电极23之间的粘附强度，另一方面可以避免铁电存储单元的整体厚度较极10和绝缘层m1可以沿着垂直于衬底40表面的方向(如图6中所示的z方向)交替堆叠设置第二电极23的堆叠方向(如图6中所示的x方向或y方向)与通孔T的延伸方向(如图6中所示也即填充层50位于第二电极23背离导电吸氧层22的一侧，填充层50可以采用绝缘材料制[0051]图8为示例性地示出的本申请实施例中铁电存储单元的第一种制作方法的示意应的氧化物(即氧化钇)的吉布斯自由能小于第一电极对应的氧化物(即氧化钨)的吉布斯[0060]图9为示例性地示出的本申请实施例中铁电存储单元的第二种制作方法的示意[0062]图10为示例性地示出的本申请实施例中铁电存储单元的第三种制作方法的示意[0065](3)上述步骤2至步骤5中的形成的各个膜层均制作在通孔T内，如图10中的(c)和[0067](5)上述步骤5中形成的第二电极如果未将通孔T内的剩余空间填满，那么需要在