CN119497443A 一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池 （晶澳（扬州）太阳能科技有限公司）

一种背接触太阳能电池的制备方法及背接本发明公开了一种背接触太阳能电池的制第一主表面由内至外依次制备包含有第一掺杂体厚度方向的第二主表面以及第一区域由内至外依次制备隧穿氧化层和包含有第二掺杂元素2步骤1，在硅基体(1)厚度方向的第一主表面由内至步骤2，对所述第一主表面上第一区域(11)的发射极(2)以及氧化层(3)进行去除并抛步骤3，在所述硅基体(1)厚度方向的第二主表面以及所述步骤11，在硅基体(1)厚度方向的第一主表面以及第二主表面由内至外依次制备发射步骤31，在所述硅基体(1)的第一主表面以及第二主表面由内至外依次制备隧穿氧化步骤33，利用碱溶液去除所述第二区域(12)上的改性后的硅玻璃层(7)以及掺杂多晶步骤5，利用酸溶液去除所述第一主表面上所述第二区域(12)以及所述第二主表面剩步骤6，在所述第一主表面以及所述第二主表面分所述第一区域(11)的面积与所述第二主表面的面积之比为0.所述激光改性工艺的激光波长为300nm～13所述激光改性工艺的扫描区域的宽度大于所述第二区域(12)的宽度，硅基体(1)；其中，所述硅基体(1)厚度方向的第一主表面上设置有第在所述第一区域(11)由内至外层叠设置的隧穿氧化层(4)以及包含有第二掺杂元素的所述高低结的掺杂浓度为1E18Atoms/cm3～5E20Atoms/cm3，且随着距离所述硅基体所述掺杂多晶硅层(5)的厚度为50nm～所述掺杂多晶硅层(5)的掺杂浓度为1E19～1E21A4[0002]现有的背接触电池通常需要在硅基体的背光面交叉设置P型掺杂区域和N型掺杂掺杂区域和N型掺杂区域都采用隧穿氧化层与掺杂多晶硅层层叠设置的结构进行制备，以厚度方向的第二主表面以及所述第一区域由内至外依次制备隧穿氧化层和包含有第二掺5直接扩散得到的发射极替换现有技术中部分区域中以隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的层叠[0020]图6是根据本发明实施例的经过步骤S502之后制备得到的硅基体剖面结构示意6[0033]步骤S101，在硅基体1厚度方向的第一主表面由内至外依次制备包含有第一掺杂[0035]步骤S103，在硅基体1厚度方向的第二主表面以及第一区域11由内至外依次制备一主表面进行了发射极2和氧化层3的整面制备，而后通过对第一区域11部分的发射极2以7[0041]步骤S201，在硅基体1厚度方向的第一主表面以及第二主表面由内至外依次制备即发射极2和氧化层3均制备在硅基体第一主表面和第二主[0045]一种可选的实施例中，可以采用氢氟酸溶液对发射极2以及氧化层3进行刻蚀处[0046]通过上述过程，即可得到只在第一主表面由内至外依次设置的发射极2和氧化层面6的保护层对第二主表面进行保护，以避免在对第一主表面上第一区域11进行选择性去主表面的保护层6在抛光过程中隔绝了抛光溶液与硅基体第二主表面之间的接触，从而保护了硅基体第二主表面的微绒面结构。其中，保护层6的厚度为10nm～100nm，例如10nm、8[0054]步骤S701，在硅基体1的第一主表面以及第二主表面由内至外依次制备隧穿氧化[0056]步骤S703，利用碱溶液去除第二区域12上的改性后的硅玻璃层7以及掺杂多晶硅副作用更小，尽可能降低激光工艺中产生的高热对发射极2中第一掺杂元素元素分布的影9二主表面以及第二区域12的表面会同步形成有掺杂元素相同但浓度存[0060]在一种可选的实施例中，不仅需要步骤S104中对第二主表面的隧穿氧化层4以及掺杂多晶硅层5进行去除，同时需要去除第一主表面中额外的隧穿氧化结构，因此在步骤[0061]步骤S1001，利用酸溶液去除第一主表面上第二区域12以及第二主表面剩余的硅面的第一区域11以及第二区域12对应制备留有由内至外层叠设置的隧穿氧化层4以及掺杂多晶硅层5，且第一区域11的发射极2和第二区域12的之间掺杂多晶硅层5之间存在高度差，保证了P型掺杂区域和N型掺杂区域之间元素直接扩散得到的发射极替换现有技术中部分区域中以隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的掺杂浓度随表面深度的变化趋势如图13所示，从图13可以看出，在表面深度为0.95μm~0.125μm的深度区间内，第二主表面一侧的高低结的掺杂浓度为5E18Atoms/cm3～1E20