CN119497469A GaN基多光区LED芯片、照明灯具及制备方法 （佛山耐镭特光电技术有限公司）_第1页
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文档简介

道科睿路18号半导体产业园1栋车间穿GaN基发光体的上表面及下表面，在环形隔离2所述GaN基发光体上至少开设有一个环形隔离槽，所述环形隔离槽贯穿所述其中，所述透明导电层的上表面为所述GaN基发光体的上表面，所述金属电极中的正电极与所述透明导电层连接，所述金属电极中的负电极与所述N6.根据权利要求3或5所述的GaN基多光区LED芯片光功率密度最大的子发光区域的光功率密度大于6透镜设置在所述壳体上且所述GaN基多光区LED芯片出射光经所述10.一种用于如权利要求1－7任一项所述的GaN基多光区LED芯片的制备方法，其特征在所述GaN基发光体上开设环形隔离槽，所述环形隔离槽贯穿34上且所述GaN基多光区LED芯片出射光经在GaN基发光体至少设置有一个环形隔离槽，任一环形隔离槽的槽壁相邻的区域为一子发5基于附图所示的方位或位置关系、以特定的方位构造和操作，仅是为了便于描述本技术方202分别为与环形隔离槽201的槽壁相邻的两个区域；再例如，在开设两个环形隔离槽201隔离槽201的槽壁相邻的两个区域以及与最外圈的环形隔离槽201的槽壁相邻的区域(最内200的上表面与下表面的目的是使每一子发光区域202可槽201的槽壁相邻的区域为一子发光区域202，且每一子发光区域202被点亮时对应出射一[0034]在一些实施例中，GaN基发光体200可包括金属电极203以及自下而上设置在衬底6形隔离槽201贯穿透明导电层的上表面以及N形氮化镓层100上且与N形氮化镓层位于同一侧。本领域技术人员可根据实际情况确定金属电极203的在满足每一子发光区域202可被独立点亮的情况下，本领域技术人员可根据实际情况确定[0040]在本实施例中，由于光功率密度最大的子发光区域202是与环形隔离槽的内槽壁[0042]在本实施例中，由于光功率密度最大的子发光区域202为最内侧的环形隔离槽的此，在子发光区域202由内向外的光功率密度逐渐减小的情况下，点亮不同的子发光区域7[0052]该GaN基多光区LED芯片可包括衬底100以及设置在衬底100上的Ga201的槽壁相邻的区域为一个子发光区域202，且每一子发光区域202对应一个角度的出射光束，每一子发光区域202对应一个角度的出射光束指的是不同的子发光区域202被点亮202分别为与环形隔离槽201的槽壁相邻的两个区域；再例如，在开设两个环形隔离槽201隔离槽201的槽壁相邻的两个区域以及与最外圈的环形隔离槽201的槽壁相邻的区域(最内200的上表面与下表面的目的是使每一子发光区域202可槽201的槽壁相邻的区域为一子发光区域202，且每一子发光区域202被点亮时对应出射一8时，当需要照射远距离视场角度较小的前方目标时，点亮光功率密度最大的子发光区域据实际情况点亮不同的子发光区域202以满足照射需求；使应用该GaN基多光区LED芯片的上设置在衬底上的N形氮化镓层、多层量子阱层、P形氮化镓层以及透明导电层。可采用[0064]在环形隔离槽开设时，采用激光或离子蚀刻的方法在GaN基发光体刻蚀环形的贯

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