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文档简介

ICS31.080.99

CCSL40

/CMEEEA

团体标准

T/CMEEEAXXXX—2026

高精度线性霍尔传感器芯片技术规范

Technicalspecificationforhigh-precisionlinearhallsensorchips

(征求意见稿)

2026-XX-XX发布2026-XX-XX实施

中国机电设备工程协会  发布

T/CMEEEAXXXX—2026

高精度线性霍尔传感器芯片技术规范

1范围

本文件规定了高精度线性霍尔传感器芯片的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与

贮存。

本文件适用于采用CMOS工艺制造、基于霍尔效应原理的线性输出传感器芯片,其工作温度范围覆盖

商业级(0℃~70℃)、工业级(-40℃~85℃)和汽车级(-40℃~150℃),主要应用于工业自

动化、汽车电子、新能源等领域的电流、位置、磁场测量系统。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,

仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本

文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T2423.1电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验A:低温

GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验B:高温

GB/T2423.5环境试验第2部分:试验方法试验Ea和导则:冲击

GB/T2423.10环境试验第2部分:试验方法试验Fc:振动(正弦)

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划

JB/T7490霍尔电流传感器

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

线性霍尔传感器芯片linearhallsensorchip

将霍尔元件、信号处理电路(如放大、温度补偿、失调校准)集成于同一半导体衬底,输出电压与

外加磁场强度呈线性关系的集成电路(以下简称“芯片”)。

3.2

灵敏度sensitivity

在额定工作电压下,芯片输出电压随外加磁场强度的变化率。

3.3

失调电压offsetvoltage

无外加磁场时,芯片的输出电压值。

3.4

线性度误差linearityerror

在规定磁场范围内,实际输出特性曲线与理想线性拟合曲线的最大偏差,以满量程输出的百分比表

示。

4技术要求

4.1外观

芯片表面应无裂纹、划痕、气泡、污染等缺陷,引脚无氧化或变形。

4.2电气性能

1

T/CMEEEAXXXX—2026

芯片在常温(25℃±2℃)、额定工作电压条件下,电气性能应符合表1的规定。

表1电气性能

序号项目技术要求测试条件

1工作电压3.0V~5.5VDC-

2静态工作电流≤5mA无磁场,VCC=5.0V

3失调电压≤±5mV无磁场,VCC=5.0V

50mV/mT~200mV/mT(可编

4灵敏度VCC=5.0V,B=±100mT

程)

5线性度误差≤±0.5%FSB=-200mT~+200mT

6灵敏度温度漂移≤±0.02%/℃-40℃~150℃,B=100mT

7失调电压温度漂移≤±0.5mV/℃-40℃~150℃,B=0mT

8输出电压0.1VCC~0.9VCCB=-200mT~+200mT

9响应时间≤1μs阶跃磁场变化10%~90%

4.3环境适应性

4.3.1工作温度

工作温度应符合下列规定:

a)商业级:0℃~70℃;

b)工业级:-40℃~85℃;

c)汽车级:-40℃~150℃。

4.3.2贮存温度

-55℃~150℃,无包装条件下贮存1000h后,性能应符合表1的规定。

4.3.3湿热性能

在40℃±2℃、相对湿度90%~95%条件下放置1000h后,电气性能变化量不应大于10%初始值,且

无物理损坏。

4.3.4耐振动

按GB/T2423.10的规定试验后,频率10Hz~2000Hz,加速度10g,三个轴向各振动10h,性能应

符合表1的规定。

4.3.5耐冲击

按GB/T2423.5的规定试验后,半正弦波,峰值加速度50g,持续时间11ms,三个轴向各6次,性

能应符合表1的规定。

5试验方法

5.1外观

在300Lx照度下,目距500mm,目视检查芯片外观及引脚状态。

5.2电气性能

5.2.1工作电压

试验应按下列步骤执行:

a)测试条件:常温25℃±2℃,供电电压调节范围3.0V~5.5VDC,无磁场环境(B≤1mT);

b)使用设备:可调直流稳压电源(精度±0.5%)、数字万用表(分辨率0.1mV);

c)将芯片接入测试电路,VCC引脚接可调电源,GND接地,输出端接万用表;

2

T/CMEEEAXXXX—2026

d)分别设置电源电压为3.0V、4.0V、5.0V、5.5V,记录各电压下芯片输出是否在0.1VCC~

0.9VCC范围内。

5.2.2静态工作电流

试验应按下列步骤执行:

a)测试条件:常温25℃±2℃,供电电压5.0V±0.05V,无磁场环境(B≤1mT);

b)使用设备:直流稳压电源(精度±0.1%)、1Ω高精度采样电阻(精度±0.01%)、数字万用

表(分辨率0.1mV);

c)在VCC回路串联采样电阻,测量电阻两端电压U,计算电流。

5.2.3失调电压

试验应按下列步骤执行:

a)测试条件:常温25℃±2℃,供电电压5.0V±0.05V,无磁场环境(B≤0.1mT);

b)使用设备:磁屏蔽箱(屏蔽效能≥80dB@100kHz)、高精度电压表(分辨率0.1mV,精度±

0.01%);

c)将芯片置于磁屏蔽箱内,施加5.0V电压,待输出稳定后,连续记录10组输出电压值,取平

均值作为失调电压

5.2.4灵敏度

试验应按下列步骤执行:

a)测试条件:常温25℃±2℃,供电电压5.0V±0.05V,磁场范围-100mT~+100mT(步长

20mT);

b)使用设备:亥姆霍兹线圈(均匀度±0.5%)、磁场控制器(精度±0.1mT)、高低温箱(控

温精度±1℃);

c)常温下,记录各磁场强度对应的输出电压,按公式(1)计算灵敏度。

···················································(1)

�+100��−�−100��

式中:�=200��

S——灵敏度,单位为毫伏每豪特斯拉(mV/mT);

U+20Mt——+100mT磁场时的输出电压,单位为毫伏(mV);

U+20Mt——-100mT磁场时的输出电压,单位为毫伏(mV)。

5.2.5线性度误差

试验应按JB/T7490的规定执行。

5.2.6灵敏度温度漂移

试验应按下列步骤执行:

a)测试条件:温度点-40℃、25℃、150℃(各保温30min),供电电压5.0V±0.05V,磁

场强度100mT;

b)使用设备:高低温箱(控温精度±1℃)、亥姆霍兹线圈、高精度电压表;

c)分别测量各温度点的灵敏度S₋₄₀、S₂₅、S₁₅₀,按公式(2)计算温度漂移。

漂移率℃··········································(1)

|��−�25|

式中:=�25×(�−25)×100%/

ST——温度T时的灵敏度,单位为毫伏每豪特斯拉(mV/mT);

S25——25℃时的灵敏度,单位为毫伏每豪特斯拉(mV/mT);

T——测试温度,单位为摄氏度(℃)。

5.2.7失调电压温度漂移

3

T/CMEEEAXXXX—2026

试验应按下列步骤执行:

测试条件:温度点-40℃、25℃、150℃(各保温30min),供电电压5.0V±0.05V,无磁场环

境;

使用设备:高低温箱、磁屏蔽箱、高精度电压表(分辨率0.1mV);

测量各温度点的失调电压V₀₋₄₀、V₀₂₅、V₀₁₅₀,按公式(3)计算漂移量。

漂移量···················································(1)

|�0�−�025|

式中:=�−25

V0T——温度T时的失调电压,单位为毫伏(mV);

V025——25℃时的失调电压,单位为毫伏(mV);

T——测试温度,单位为摄氏度(℃)。

5.2.8输出电压

试验应按下列步骤执行:

a)测试条件:常温25℃±2℃,供电电压5.0V±0.05V,磁场范围-200mT~+200mT;

b)使用设备:亥姆霍兹线圈、磁场控制器、数字万用表;

c)分别施加-200mT和+200mT磁场,记录输出电压V₋₂₀₀和V₊₂₀₀。

5.2.9响应时间

试验应按下列步骤执行:

a)测试条件:常温25℃±2℃,供电电压5.0V±0.05V,阶跃磁场10%→90%;

b)使用设备:脉冲磁场发生器(上升时间不大于100ns)、数字示波器(带宽不小于100MHz,

采样率不小于1GS/s);

c)施加0→100mT阶跃磁场,记录输出电压从10%VFS到90%VFS的时间间隔,测试3次取平均

值。

5.3环境适应性

5.3.1工作温度

试验应按GB/T2423.1和GB/T2423.2的规定执行。

5.3.2贮存温度

试验应按GB/T2423.1和GB/T2423.2的规定执行。

5.3.3湿热性能

试验应按下列步骤执行:

a)测试条件:40℃±2℃,相对湿度90%~95%,持续1000h;

b)使用设备:恒定湿热试验箱(湿度控制精度±3%RH);

c)试验后恢复24h,检查外观及电气性能。

5.3.4耐振动

试验应按GB/T2423.10的规定执行。

5.3.5耐冲击

试验应按GB/T2423.5的规定执行。

6检验规则

6.1检验分类

检验应分为出厂检验和型式检验。

4

T/CMEEEAXXXX—2026

6.2检验项目

检验项目应符合表2的规定。

表2检验项目

序号检验项目出厂检验型式检验

1外观√√

2工作电压√√

3静态工作电流√√

4失调电压√√

5灵敏度√√

6线性度误差-√

7灵敏度温度漂移-√

8失调电压温度漂移-√

9输出电压-√

10响应时间-√

11工作温度-√

12贮存温度-√

13湿热性能-√

14耐振动-√

15耐冲击-√

注:“√”表示检验项目;“-”表示不检验项目

6.3出厂检验

出厂检验项目应符合表2的规定。

6.4型式检验

型式检验项目应符合表2规定,有下列情况之一时,应进行型式检验:

a)新产品或老产品转厂生产的试制定型鉴定时;

b)正常生产,每年检验一次;

c)设计、工艺、配方有改变可能影响产品质量时;

d)停产1年后,恢复生产时;

e)出厂检验结果与上次型式检验结果有较大差异时。

6.5组批和抽样

6.5.1组批

以同一生产批次(同一工艺、同一材料、同一生产日期连续生产的产品)为一个检验批,批量大小

应不超过10000只。

6.5.2抽样

6.5.2.1出厂检验:按GB/T2828.1的规定执行,采用正常检验一次抽样方案,检验水平Ⅰ,接收质

量限(AQL)为1.0。

6.5.2.2型式检验:从出厂检验合格的同一批产品中随机抽取样本,样本数量不少于

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