CN119517132A 一种lpddr芯片的emi值测试方法、系统、装置及存储介质 （深圳市晶存科技股份有限公司）

道福保社区市花路创凌通科技大厦三层本发明公开了一种LPDDR芯片的EMI值测试取第一EMI值和第二EMI值；根据第一EMI值和第二EMI值确定LPDDR芯片EMI值。通过全面且有针对性地检测整个LPDDR芯片中两个Rank的存储容量，并根据存储容量获取相应的第一EMI值和第准确初始化LPDDR芯片，提升LPDDR芯片的稳定2将所述第一存储容量和所述第二存储容量分别与预设存储容量进行比较得到第一比根据所述第一比较结果、第一存储表和第二存储表获取第一EMI值容量的关系表，所述第一EMI值表征所述第一Rank的EMI值，所述第二EMI值表征所述第二根据所述第一EMI值和所述第二EMI值确定LPDDR芯在所述第一比较结果表征所述第一存储容量大于所述预设存储在所述第一比较结果表征所述第二存储容量大于所述预设存储在所述第一比较结果表征所述第一存储容量小于或等于所述预设存储容量的情况下，在所述第一比较结果表征所述第二存储容量小于或等于所述预设存储容量的情况下，在所述第一比较结果表征所述第一存储容量和所述第二存储容量均小于或等于所述在所述第二比较结果表征所述第一存储容量和所述第二存所述第二存储表获取所述第一EMI值和所述第二在所述第二比较结果表征所述第一存储容量和所述过所述第一存储表获取所述第一EMI值和所述4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过所述第一存根据所述第一存储容量或所述第二存储容量在所述第一存储表获取所述第一参数值，通过所述第一参数值计算所述第一EMI值或所述第二根据所述第一存储容量或所述第二存储容量在所述第二存储表获取所述第二参数值，通过所述第二参数值计算所述第一EMI值或所述第二根据所述第一EMI值、所述第一加权系数、所述第二EMI值和第二加3根据所述第一存储容量或所述第二存储容量转换得到所述第一存储表的第一表格范将所述第一表格范围所对应的参数配置为所述第一参数值，所述第根据所述第一存储容量或所述第二存储容量转换得到所述第二存储表的第二表格范将所述第二表格范围所对应的参数配置为所述第二参数值，所述第在所述工作模式指示单通道模式的情况下，将不工作的所在所述工作模式指示双通道模式的情况下，获取所述第一Rank根据所述干扰系数修正所述第一EMI值和所述第第三模块，用于将所述第一存储容量和所述第二存储容量理器可执行的程序在由处理器执行时用于执行如权利要求1_7任一项所4只能测试12GB以下容量对应的EMI值，因此对不同Rank的EMI值的测试容易出现误差，导致获取LPDDR芯片的第一存储容量，所述第一存储容量表征第一Rank所对应的存储获取LPDDR芯片的第二存储容量，所述第二存储容量表征第二Rank所对应的存储将所述第一存储容量和所述第二存储容量分别与预设存储容量进行比较得到第根据所述第一比较结果、第一存储表和第二存储表获取第一EMI值和第二EMI值，根据所述第一EMI值和所述第二EMI值确定LPDDR芯5在所述第一比较结果表征所述第一存储容量小于或等于所述预设存储容量的情在所述第一比较结果表征所述第二存储容量小于或等于所述预设存储容量的情在所述第一比较结果表征所述第一存储容量和所述第二存储容量均小于或等于在所述第二比较结果表征所述第一存储容量和所述第二存储容量相等的情况下，通过所述第二存储表获取所述第一EMI值和所述第二在所述第二比较结果表征所述第一存储容量和所述第二存储容量不相等的情况根据所述第一存储容量或所述第二存储容量在所述第一存储表获取所述第一参根据所述第一存储容量或所述第二存储容量在所述第二存储表获取所述第二参[0009]在一些可选的实施例中，所述根据所述第一EMI值和所述第二EMI值确定LPDDR芯根据所述第一存储容量或所述第二存储容量转换得到所述第一存储表的第一表根据所述第一存储容量或所述第二存储容量转换得到所述第二存储表的第二表[0011]在一些可选的实施例中，所述根据所述第一EMI值和所述第二EMI值确定LPDDR芯6根据所述干扰系数修正所述第一EMI值和所述第效弥补现有测试方法的不足，通过全面且有针对性地检测整个LPDDR芯片中两个Rank的存储容量，并根据存储容量获取相应的第一EMI值和第二EMI值，从而准确测试LPDDR芯片的7图2是本发明实施例提供的LPDDR芯片的第面且有针对性地检测整个LPDDR芯片中两个Rank的存储容量，并根据存储容量获取相应的升LPDDR芯片的稳定性。同时通过分别对第一Rank和第二Rank进行存储容量检测后获取相S400、根据所述第一比较结果、第一存储表和第二存储表获取第一EMI值和第二8某一范围，就可以根据该范围在第一存储表中找到对应的第一参数值，进而得到第一EMI显然可以大于12GB，相对于整体测试LPDDR芯片，可以独立测试不同Rank的EMI值，不受造成LPDDR芯片的稳定性差。根据得到的第一EMI值和第二EMI值确定整个LPDDR芯片的EMI值，从而根据LPDDR芯片EMI值对LPDDR芯片进行初始化，由于综合了第一EMI值和第二EMIEMI值；在所述第一比较结果表征所述第一存储容量小于或等于所述预设存储容量的情况容性和数据传输性能稳定运行。当第一比较结果表明第一存储容量大于预设存储容量时，意味着第一Rank的实际存储能力超出了预期设定；这种情况下，芯片的数据存储和传输需求相对较高，需要与之适配的EMI值来满足大容量下的数据高效读写以及维持合理的电磁设值的情境中，通过在第一存储表中查找与第一存储容量对应的第一参数，便能获取到相应的第一EMI值。例如，当第一存储容量为8GB时，对应的第一EMI值包含时钟频率设定为1800MHz、数据位宽为32位、读写延迟为8ns等具体参数，这些参数组合起来就是满足第一9量状态下的第二EMI值，确保其能和系统中其他组件良好协作，实现稳定的数据读写等操EMI值适配这种相对较低的数据处理需求以及维持合适的电磁特性。第二存储表是针对存储容量处于相对较小范围的情况制定的，它记录了在此类容量条件下存储容量与EMI值的储容量和所述第二存储容量相等的情况下，通过所述第二存储表获取所述第一EMI值和所述第二EMI值；在所述第二比较结果表征所述第一存储容量和所述第二存储容量不相等的从哪个存储表获取相应EMI值的基础上，这里进一步考虑了第一存储容量和第二存储容量均小于或等于预设存储容量这一特定情况下，两个Rank容量之间的关系对获取EMI值的影[0032]当第一比较结果表明第一存储容量和第二存储容量均小于或等于预设存储容量通过第二存储表查找与该容量对应的第二参数，进而获取到适用于第一Rank的第一EMI值因为第一存储表所涵盖的容量范围以及对应的EMI值映射关系更能适应这种存在容量差异种相对较小容量配置下尽可能优化数据传输性能和维持良好的电磁兼容性，保障整个[0037]获取到第一参数值后，需要通过特定的计算方式来得出第一EMI值或第二EMI数设定；与数据传输带宽相关的系数则会参与到计算实际的数据传输速度等关键EMI参数满足其在该容量下的数据传输需求并控制电磁[0038]与第一存储表类似，第二存储表同样构建了存储容量与第二参数值的对应关芯片的特性，其计算EMI值的方式也是围绕着优化此容量范围下的数据传输和电磁兼容性[0039]在一些可选的实施例中，所述根据所述第一EMI值和所述第二EMI值确定LPDDR芯一Rank和第二Rank）各自的电磁特性以及它们对整个LPDDR芯片电磁兼容性和数据传输性能的影响，通过获取对应的加权系数，并利用这些系数进行计算来确定整个LPDDR芯片的了第一Rank和第二Rank在整个LPDDR芯片中的相对重要性或影响力。这些相对重要性是由[0042]如果第一Rank的存储容量相对较大，在整个芯片存储体量因素考虑，第一Rank的第一加权系数会被设定得比第二Rank的第二加权系数要高一些，储操作系统核心文件以及经常被访问的应用程序数据，数据读写操作非常频繁，而第二所预先配置好的参数组合设定为第一参数值。这些第一参数值与芯片的电磁特性以及数据这个容量区间内芯片为实现良好的电磁兼容性和高效数据传输所需要的外部存储器接口保数据在读写过程中的准确性和稳定性。同时，地址映射方式也会影响数据的访问效及电磁干扰情况。所以这些参数作为一个整体的第一参数值，全面地反映了在相应表格范围内芯片所需的电磁特性和数据传输相关的配置信息。为第二参数值，其原理和作用与第一参数值类似。这些第二参数值同样指示着相应的EMI间内芯片的最佳EMI配置相关参数，为芯片在相对低容量状态下稳定且高效的数据传输提[0049]在一些可选的实施例中，所述根据所述第一EMI值和所述第二EMI值确定LPDDR芯和所述第二Rank之间的干扰系数；根据所述干扰系数修正所述第一EMI值和所述第二EMI有所不同，所以首先需要明确芯片当前所处的工作模式，以便后续做出针对性的EMI值调选择的特定引脚电平状态等方式来判断工作模式，为后续进一步处理各Rank的EMI值提供影响，所以从准确反映芯片实际电磁特性和数据传输情况的角度出发，需要将不工作的味着在后续确定整个芯片EMI值的计算过程中，不工作的第一Rank不会对最终结果产生贡[0054]干扰系数的获取通常是通过大量的实验测试以及芯片设计阶段的电磁兼容性业的电磁干扰检测设备对双通道同时工作的两个Ra