半导体芯片制造工四级（中级工·氧化扩散工）模拟练习卷

半导体芯片制造工四级（中级工·氧化扩散工）模拟练习卷一、单项选择题每题只有一个最符合题意的选项。1.

载流子迁移率通常通过（）方法进行测量。A、四探针法B、霍尔效应C、X射线衍射D、扫描电镜正确答案：B解析：霍尔效应是测量半导体材料载流子迁移率和浓度的标准技术。2.

根据反应物和生成物的种类与数量进行分类，化学反应的基本类型不包括（）。A、氧化还原反应B、化合反应C、分解反应D、置换反应正确答案：A解析：化合、分解、置换和复分解是依据反应物和生成物的种类与数量关系划分的四大基本反应类型。氧化还原反应是依据反应过程中有无电子转移（或化合价变化）进行的另一种分类方式，不属于此分类体系下的基本类型。3.

当发生氢氟酸泄漏时，操作人员必须首先穿戴好合适的个人防护装备，其中最关键的是穿戴好（）。A、活性炭防毒口罩B、普通的棉布手套C、防化护目镜和防酸服D、绝缘安全鞋和安全帽正确答案：C解析：氢氟酸具有极强的腐蚀性和渗透性，对皮肤、眼睛及呼吸道黏膜会造成严重灼伤。防化护目镜和防酸服能最直接有效地防止飞溅的酸液接触身体，是首要的防护。4.

材料在剪切作用下，剪切应变γ是一个（）量。A、有量纲B、无量纲C、向量D、张量正确答案：B解析：剪切应变是角度变化，单位为弧度，弧度是无量纲的，因此剪切应变是无量纲量。5.

在光刻工艺中，热应力常由于材料间（）不匹配引起。A、导热率B、比热容C、热膨胀系数D、弹性模量正确答案：C解析：热膨胀系数差异是产生热应力的主要原因，材料力学用于评估和缓解此类应力。6.

光刻胶的光学响应中，敏感波长是指（）。A、吸收最强的波长B、透射最强的波长C、反射最强的波长D、散射最强的波长正确答案：A解析：敏感波长是光刻胶吸收光能并引发光化学反应最有效的波长，通常对应于吸收光谱的峰值区域。7.

静电场中，电势为零的点，电场强度（）。A、一定为零B、一定不为零C、可能为零D、无法确定正确答案：C解析：电势为零的点电场强度不一定为零，例如等量异种电荷连线中点电势为零但电场强度不为零，而等量同种电荷连线中点电势和电场强度可能同时为零或非零，因此可能为零。8.

下列热传递方式中，不需要介质的是（）。A、传导B、对流C、辐射D、扩散正确答案：C解析：热辐射可以在真空中传播，不需要介质；传导和对流需要介质，扩散不是热传递的基本方式。9.

半导体中，费米能级的位置与（）有关。A、载流子浓度B、掺杂类型C、温度D、以上都是正确答案：D解析：费米能级是描述半导体中载流子统计分布的重要参数，其位置受载流子浓度、掺杂类型和温度共同影响。10.

在晶体管的共射极输出特性曲线中，当UCE很小时，集电极电流IC随UCE增大而快速上升的区域称为（）。A、截止区B、线性放大区C、饱和区D、击穿区正确答案：C解析：当UCE较小时，集电结正偏或零偏，晶体管工作在饱和区，此时IC同时受IB和UCE强烈影响，曲线陡峭上升。11.

集成电路按功能分类，不包括（）。A、模拟集成电路B、数字集成电路C、混合信号集成电路D、硅集成电路正确答案：D解析：按功能分类，集成电路分为模拟、数字和混合信号；硅集成电路是按材料分类的术语。12.

光刻工艺的精度对器件性能的影响主要体现在（）。A、机械强度B、热导率C、电学特性D、化学稳定性正确答案：C解析：光刻工艺定义了器件的几何尺寸和图案，这些直接影响器件的电学特性，如电流、电压和电容等参数。13.

洁净室中，保持正压的主要目的是（）。A、节能B、控温C、控湿D、防污染正确答案：D解析：保持正压可确保室内压力高于室外，有效阻挡外部未过滤空气进入，防止污染工艺环境。14.

静电是指（）。A、流动的电荷B、静止的电荷C、交变电流D、恒定电流正确答案：B解析：静电是静止不动的电荷，通常由摩擦、感应等方式产生，与动态电流无关。15.

英文词汇"Etching"在半导体芯片制造中的中文对应是（）。A、刻蚀B、沉积C、氧化D、扩散正确答案：A解析：在半导体制造中，"Etching"指的是通过化学或物理方法选择性去除材料的工艺，中文标准术语为“刻蚀”。16.

在半导体芯片制造中，英文缩写“CVD”通常指的是（）。A、化学气相沉积B、物理气相沉积C、等离子体增强化学气相沉积D、低压化学气相沉积正确答案：A解析：CVD是ChemicalVaporDeposition的缩写，中文为化学气相沉积，是半导体制造中常见的薄膜沉积技术。17.

能带理论中，绝缘体的禁带宽度通常（）。A、为零B、很小（小于1eV）C、中等（1-3eV）D、很大（大于3eV）正确答案：D解析：绝缘体的禁带宽度通常较大，一般大于3eV，这使得电子很难从价带激发到导带，从而呈现绝缘性质。18.

元素周期表共有（）个周期。A、6B、7C、8D、9正确答案：B解析：元素周期表目前有7个周期，对应能级组。19.

处理氧化扩散工艺产生的含氟废气时，常用的环保方法是（）。A、直接排放B、燃烧处理C、湿法洗涤D、自然稀释正确答案：C解析：湿法洗涤能通过化学吸收有效去除氟化物，减少大气污染，符合环保标准。20.

下列气体中，在扩散炉中常用作掺杂源的是（）。A、氧气B、磷烷C、氩气D、水蒸气正确答案：B解析：磷烷是常见的n型掺杂源，用于向硅片中引入磷元素，实现半导体材料的掺杂改性。21.

下列氧化物中，属于碱性氧化物的是（）。A、二氧化碳B、氧化钠C、二氧化硅D、氧化铝正确答案：B解析：碱性氧化物能与酸反应生成盐和水，氧化钠是典型的碱性氧化物。22.

光刻工艺中，常用于显影液的化合物是（）。A、丙酮B、异丙醇（IPA）C、四甲基氢氧化铵（TMAH）D、去离子水正确答案：C解析：四甲基氢氧化铵（TMAH）是光刻工艺中常用的显影液，特别适用于正性光刻胶的显影过程。23.

检测高纯硅片中痕量杂质时，常用的高灵敏度方法是（）。A、光学显微镜B、热分析法C、二次离子质谱法D、滴定法正确答案：C解析：二次离子质谱法（SIMS）具有高灵敏度，能够检测硅片中ppb甚至ppt级的痕量杂质，是半导体纯度检测的重要手段。24.

在使用化学试剂时，个人防护装备必不可少。处理氢氟酸时，除常规防护外，还应佩戴（）。A、防毒面具B、耐酸手套C、防护面罩D、特制的含钙凝胶手套正确答案：D解析：氢氟酸具有强烈的渗透性和腐蚀性，能深入组织与钙离子结合，造成深度烧伤甚至骨骼坏死。特制的含钙凝胶手套能在接触时提供钙源，中和氟离子，降低伤害风险。25.

一个四色环电阻的色环顺序为黄、紫、橙、金，其标称阻值为（）。A、47ΩB、4.7kΩC、47kΩD、470kΩ正确答案：B解析：黄色代表4，紫色代表7，橙色代表10^3，因此阻值为47×10^3=47000Ω=47kΩ，金色代表误差±5%。26.

共集电极放大电路的特点是（）。A、电压放大倍数大于1B、输入电阻低C、输出电阻高D、电压跟随正确答案：D解析：共集电极放大电路电压放大倍数略小于1且接近1，输入电阻高，输出电阻低，具有电压跟随特性。27.

测量电气设备绝缘电阻时，通常选用（）。A、万用表B、电流表C、电压表D、兆欧表正确答案：D解析：兆欧表能产生较高测试电压，专门用于测量绝缘电阻，以评估设备的绝缘性能。28.

我国规定在一般场合下，人体可以长期接触而不致发生触电危险的电压称为安全电压，其工频有效值不超过（）。A、36伏B、48伏C、24伏D、12伏正确答案：A解析：我国国家标准规定，安全电压的工频有效值有42V、36V、24V、12V和6V五个等级。其中，在一般场合下，人体可以长期接触的安全电压上限为36V。29.

示波器中，用于上下移动波形的旋钮是（）。A、垂直位置旋钮B、水平位置旋钮C、触发电平旋钮D、扫描速度旋钮正确答案：A解析：垂直位置旋钮用于调整波形在屏幕上的垂直位置，实现上下移动。30.

根据GHS，急性毒性类别1的口服LD50范围为（）。A、0-5mg/kgB、5-50mg/kgC、≤5mg/kgD、>50mg/kg正确答案：C解析：急性毒性类别1表示毒性极高，其口服LD50≤5mg/kg，是GHS分类中最严格的级别。31.

在泄漏应急处置中，个人防护装备的最低要求通常包括（）。A、安全眼镜和手套。B、防护服和呼吸器。C、安全鞋和面罩。D、耳塞和头盔。正确答案：A解析：处理小型泄漏时，基本防护如安全眼镜和手套能有效防止化学品溅染眼睛和皮肤，是常见的初始防护要求；根据泄漏规模可能需要升级防护。32.

进行废液收集槽换液操作时，必须（）。A、将旧液直接排入雨水管网B、使用专用容器盛放废液，并转移至指定危废存放点C、在车间通风处静置挥发后再处理D、与其他工序废液混合存放以节省空间正确答案：B解析：废液属于危险废物，必须严格按照危废管理规程操作，使用专用防渗漏容器收集，并转移至指定的危废暂存场所，交由有资质的单位处理。其他选项均为严重违规操作。33.

氧化扩散工作业结束后，对使用过的防护装备应进行（）。A、丢弃B、清洗C、存放D、消毒处理正确答案：D解析：安全操作规程要求对防护装备进行消毒处理，以防止有毒有害物残留和交叉污染，保障卫生安全。34.

处理化学品泄漏事故时，首先应采取的措施是（）。A、疏散可能受影响的人员B、报告上级主管C、使用吸收材料清理D、切断火源正确答案：A解析：在化学品泄漏时，首要任务是确保人员安全，立即疏散可能暴露的人员，防止伤害。35.

作业环境中，电气安全的第一原则是（）。A、预防为主B、事后处理C、忽略风险D、依赖他人正确答案：A解析：电气安全强调“预防为主”，通过事前风险评估和措施防止事故发生，这是保障作业环境安全的基础。36.

消防工作的方针是（）。A、安全第一，预防为主B、谁主管，谁负责C、预防为主，防消结合D、综合治理，标本兼治正确答案：C解析：中国消防工作的基本方针是“预防为主，防消结合”，强调预防火灾和灭火准备相结合。37.

灭火的基本方法中，通过移除可燃物来终止燃烧的方法称为（）。A、冷却法B、窒息法C、隔离法D、抑制法正确答案：C解析：隔离法是将可燃物与着火源或空气隔离开，使燃烧因缺少可燃物而停止，移除可燃物正是该方法的核心。38.

静电放电可能导致栅氧化层发生（），这是芯片制造中一种严重的即时性失效。A、电迁移B、介质击穿C、应力迁移D、晶格损伤正确答案：B解析：静电放电产生的瞬时高电压加在MOS器件的栅极上，极易超过薄栅氧化层的介电强度，导致其被永久性击穿，器件立即失效。39.

防静电记录保存的最低期限通常为（）。A、3个月B、6个月C、1年D、2年正确答案：D解析：行业标准要求防静电检测记录至少保存两年，以便于追溯、审计和符合质量管理体系要求。40.

对于违反《计量法》的行为，由县级以上人民政府计量行政部门责令改正，并可处以罚款。这体现了计量法的（）原则。A、统一管理B、强制检定C、法律责任D、监督处罚正确答案：D解析：《中华人民共和国计量法》第四章规定了计量监督，监督部门有权对违法行为进行处罚，体现了监督处罚原则。41.

对于氧化扩散工序使用的化学品和晶圆，工艺现场管理在物料方面的关键任务是（）。A、防止交叉污染，并确保其流向与状态清晰可控。B、尽可能降低化学品与晶圆的采购单价。C、确保物料在仓库中的存储时间最短。D、保证物料的库存数量始终充足。正确答案：A解析：在半导体洁净室内，不同物料（特别是化学品和晶圆）的混淆或污染会导致灾难性后果。现场管理的重要任务是通过标识、隔离、定置管理、记录追溯等手段，严格防止交叉污染，并确保每种物料在整个流转过程中的状态（如待处理、正在处理、已处理）和位置都是清晰且可追溯的。其他选项是仓储或采购层面的目标。42.

现场物料出库时应优先遵循（）原则。A、先进后出B、后进先出C、先进先出D、随机出库正确答案：C解析：先进先出原则确保物料在有效期内使用，避免过期或变质造成的浪费和质量问题。43.

净化级别的划分中，除了粒子浓度，还可能考虑（）。A、空气压力B、照明强度C、噪声水平D、微生物浓度正确答案：D解析：在某些特定行业，如制药或生物技术，净化级别划分还可能考虑微生物浓度，但半导体制造中主要依据粒子浓度。44.

在洁净区风压控制的基本概念中，以下哪项不是直接相关的？A、正压B、负压C、压差D、温度正确答案：D解析：温度控制是洁净室环境控制的一部分，但不是风压控制的基本概念；风压控制的基本概念主要包括正压、负压和压差。45.

日常操作中，风压记录表应保存至少（）。A、一周B、一个月C、三个月D、一年正确答案：D解析：根据质量管理体系，环境监控记录通常需保存一年以上，以便追溯和审核。46.

清洗液的储存温度应按照（）进行控制。A、0°C以下B、常温即可C、30°C以上D、化学品安全数据表的规定正确答案：D解析：不同清洗液的化学性质各异，储存温度需依据其安全数据表中的具体指示，以确保稳定性和安全性，避免分解或反应。47.

有毒、有害器具的清洁要求适用于氧化扩散工艺中的（）。A、所有接触化学品的器具B、仅金属器具C、仅石英器具D、仅大型器具正确答案：A解析：有毒、有害器具的清洁要求主要针对接触化学品的器具，以确保工艺安全和防止污染，不限于特定材料或尺寸。48.

在有毒、有害器具清洁后的检查中，首要目的是确保（）。A、器具表面无可见污染物B、化学残留低于标准C、微生物指标合格D、器具功能完好正确答案：A解析：视觉检查是初步且快速的检查步骤，用于识别表面明显污染，是检查的首要目的。49.

氧化扩散工艺器具放置时，首要原则是（）。A、防止污染B、节省空间C、方便取用D、美观整洁正确答案：A解析：在半导体芯片制造中，防止污染是器具放置的核心要求，以确保工艺质量和产品可靠性。50.

进入洁净区前，人员必须（）。A、穿戴普通工作服B、穿戴洁净服并经过风淋C、直接进入操作区D、仅戴手套即可正确答案：B解析：洁净区对防污染要求严格，进入前必须穿戴专用洁净服并通过风淋去除表面颗粒，以确保环境洁净度。51.

在洁净区内，所有化学品容器都必须（）。A、清晰标识名称和危险特性B、用颜色区分C、放置于高处D、定期清洗正确答案：A解析：根据物料与化学品使用规定，化学品容器必须清晰标识名称、浓度和危险特性等信息，以确保安全使用和防止误操作。52.

使用镊子夹取晶圆时，应确保镊子尖端（）。A、尖锐B、清洁无污染C、磁性D、导电正确答案：B解析：镊子尖端需保持清洁无污染，以防止在夹取过程中污染晶圆，这是洁净区内操作的基本要求。53.

维护记录的审核应在填写后（）进行。A、立即B、当天C、三天内D、一周内正确答案：B解析：维护记录通常要求在填写后当天完成审核，以确保记录的及时性和准确性。54.

在氧化扩散工艺中，温度对氧化速率的影响是（）。A、温度越高，氧化速率越慢B、温度越高，氧化速率越快C、温度对氧化速率无影响D、温度越低，氧化速率越快正确答案：B解析：氧化扩散是热激活过程，温度升高会显著加速化学反应速率，从而提高氧化速率。55.

低湿度环境在洁净区内容易导致（）。A、微生物污染B、静电放电风险C、温度控制失灵D、工艺气体泄漏正确答案：B解析：低湿度环境下，静电容易积累并产生放电风险，可能吸附颗粒或损坏器件，因此控制湿度至关重要。56.

对于氢氟酸（HF），按使用管理要求，它应被归类为（）。A、易燃液体B、氧化性液体C、腐蚀性液体D、有毒液体正确答案：C解析：氢氟酸具有强腐蚀性，能腐蚀玻璃和金属，因此按使用管理要求主要归类为腐蚀性液体，尽管也有毒性，但管理上重点在腐蚀性。57.

氧化剂在储存时，必须特别注意（）。A、避免光照B、保持低温C、远离还原剂D、密封严实正确答案：C解析：氧化剂与还原剂接触可能发生剧烈氧化还原反应，甚至爆炸，因此必须远离还原剂储存。58.

处置过期化学药品的记录要求是（）。A、只需电子记录B、记录后立即删除C、长期保存并可追溯D、无需正式记录正确答案：C解析：长期保存并确保可追溯的记录有助于质量管理和审计，符合行业规范。59.

过期化学药品移交过程中，为防止泄漏，应使用（）。A、普通塑料袋B、纸箱C、专用防漏容器D、开放托盘正确答案：C解析：专用防漏容器能有效防止化学品泄漏，保障移交过程的安全。60.

记录气体流量计读数后，下一步通常应（）。A、关闭气体阀门B、与工艺要求对比C、清洁流量计D、校准流量计正确答案：B解析：记录读数后需与工艺规范对比，验证流量是否在允许范围内，以确保氧化扩散工艺的稳定性和一致性。61.

利用卤素气体作为示踪剂，并使用卤素检测器进行检漏的方法称为（）。A、氦质谱检漏法B、气泡检漏法C、卤素检漏法D、超声波检漏法正确答案：C解析：卤素检漏法通过向管道充入卤素气体，在外部使用卤素检测器扫描，当检测到卤素浓度升高时即可定位泄漏点。62.

原子力显微镜（AFM）适用于检测颗粒的（）。A、化学成分B、表面形貌和尺寸C、电学性质D、光学性质正确答案：B解析：原子力显微镜通过探针扫描表面，能高分辨率测量表面形貌和颗粒尺寸，但不直接提供化学成分或电学性质信息。63.

对于颗粒度检测结果，合格判定后应（）。A、仅记录合格数据B、记录所有数据并存档C、只记录不合格数据D、无需记录正确答案：B解析：所有检测数据都应记录并存档，以便质量追溯、过程分析和持续改进。64.

晶圆片的直径规格通常以（）为单位表示。A、毫米B、英寸C、微米D、厘米正确答案：B解析：在半导体制造中，晶圆片直径的行业标准通常以英寸表示，例如8英寸（约200mm）或12英寸（约300mm），这是设备设计和工艺兼容性的常见要求。65.

在清洗液配制前，必须确保所有容器（）。A、干净无污染B、颜色一致C、大小相同D、温度恒定正确答案：A解析：容器干净无污染是避免引入杂质、保证清洗液纯度的基本要求。66.

清洗液配制前，应首先查阅（）。A、材料安全数据表B、操作手册C、生产指令D、设备说明书正确答案：A解析：材料安全数据表（MSDS）提供化学品的危害信息和安全防护措施，是配制前必须查阅的关键文件。67.

在典型的RCA标准清洗工艺中，SC-1溶液的主要成分是氨水、过氧化氢和（）。A、盐酸B、氢氟酸C、去离子水D、硫酸正确答案：C解析：SC-1标准清洗液（又称APM）的典型配比为NH₄OH:H₂O₂:H₂O=1:1:5~1:2:7，因此其主要成分是氨水、过氧化氢和去离子水。68.

在MOS晶体管制造中，氧化层常被用作（）。A、源极接触材料B、栅极电介质C、漏极引出层D、衬底导电通道正确答案：B解析：氧化生成的二氧化硅层在MOS器件中作为栅极电介质，隔离栅极与沟道，是器件工作的关键部分。69.

扩散系数与温度的关系遵循（）方程。A、线性B、阿伦尼乌斯C、对数D、幂律正确答案：B解析：扩散系数D与温度T的关系为D=D0*exp(-Ea/kT)，称为阿伦尼乌斯方程，表明扩散系数随温度升高呈指数增大。70.

扩散工艺中，用于衡量扩散层与衬底形成PN结深度的关键指标是（）。A、表面浓度B、结深C、均匀性D、扩散系数正确答案：B解析：结深是扩散层与衬底形成的PN结的深度，它影响器件的击穿电压和开关特性，是扩散质量的核心指标之一。71.

扩散系数与温度的关系符合（）。A、线性关系B、指数关系C、对数关系D、平方关系正确答案：B解析：扩散系数与温度呈指数关系，通常用阿伦尼乌斯方程D=D0exp(-Ea/kT)描述。72.

在氧化扩散工艺中，控制扩散时间主要用于调节（）。A、掺杂浓度B、结深C、表面粗糙度D、氧化速率正确答案：B解析：扩散时间决定掺杂剂扩散的深度，时间越长结深越大，从而影响基区宽度，基区宽度变化会调节放大系数。73.

在推结工艺中，若发现掺杂气体流量计显示异常波动，最可能导致（）。A、结深不均匀B、方块电阻值重复性差C、氧化层颜色异常D、硅片表面出现雾斑正确答案：B解析：掺杂气体流量直接影响进入硅片的杂质总量，从而决定掺杂浓度和方块电阻。流量波动会导致不同批次甚至同批次硅片的掺杂浓度不一致，直接表现为方块电阻测量值重复性差。74.

为了降低方块电阻，应该（）。A、增加表面浓度B、减少表面浓度C、增加结深D、减少结深正确答案：A解析：方块电阻与表面浓度成反比关系，增加表面浓度可以降低方块电阻。75.

在扩散工艺中，检验扩散均匀性的目的是（）。A、优化扩散时间B、提高晶圆利用率C、保证掺杂分布一致D、减少污染物正确答案：C解析：检验扩散均匀性是为了保证掺杂分布一致，从而确保器件电学特性的均匀性和稳定性。76.

对于可重新加工的不合格品，处理方式是（）。A、返修B、降级使用C、重新加工D、让步接收正确答案：C解析：可重新加工的不合格品应依据工艺规范进行重新加工，以恢复其符合性。77.

四探针测试仪测量时，探针间距应（）。A、尽可能小B、尽可能大C、根据样品尺寸调整D、固定不变正确答案：D解析：四探针测试仪的探针间距由仪器设计固定，测量时需保持间距不变以确保薄层电阻计算公式的有效性和结果一致性。78.

氧化扩散检验记录的时间戳记录，通常要求精确到（）。A、日期B、小时C、分钟D、秒正确答案：C解析：工艺记录中时间记录一般精确到分钟，以准确反映工艺操作的时间节点，便于过程控制。79.

记录保存管理要求中，最重要的原则是（）。A、节约空间B、方便查阅C、保密性D、可追溯性正确答案：D解析：保存记录的核心目的是支持工艺质量分析和问题追踪，可追溯性是确保产品可靠性和合规性的基础。80.

异常数据处理完成后，必须进行（）。A、数据备份B、设备校准C、人员培训D、记录更新正确答案：D解析：异常数据处理后，应更新相关记录，以确保信息准确、可追溯，并支持持续改进。三、判断题正确的选A，错误的选B。81.

有机化合物一定含有碳元素，但并非所有含碳化合物都是有机物（）。正确答案：A（正确）解析：有机物通常指碳氢化合物及其衍生物，但一些含碳化合物如二氧化碳、碳酸盐等被视为无机物。82.

科勒照明系统只能用于透射照明（）。正确答案：B（错误）解析：科勒照明系统既可用于透射照明，也可用于反射照明，广泛应用于显微镜和光刻机，适应不同检测需求。83.

掺杂浓度越高，半导体的导电性总是越强（）。正确答案：B（错误）解析：在一定范围内，掺杂浓度增加会提高导电性，但极高掺杂时可能因载流子散射增强或其他效应导致导电性趋于饱和或退化，因此“总是”不准确。84.

在光刻岗位中，净化基础知识要求所有工具和设备都必须经过清洁才能带入洁净室（）。正确答案：A（正确）解析：工具和设备清洁是防止交叉污染的基本措施，确保光刻区域洁净度符合工艺标准。85.

硅和锗都是第14族元素，它们的化学性质完全相同（）。正确答案：B（错误）解析：硅和锗化学性质相似，但由于原子半径和电子结构差异，在反应活性和具体性质上有所不同。86.

操作光刻化学品时，必须佩戴防护眼镜和防护手套（）。正确答案：A（正确）解析：为防止化学品溅洒造成伤害，操作时必须佩戴适当的个人防护装备，如防护眼镜和防护手套。87.

功率放大电路的主要任务是在不失真的前提下，向负载提供足够大的交流功率（）。正确答案：A（正确）解析：功率放大电路位于多级放大电路的末级，其核心任务是高效地输出大功率信号以驱动负载，同时要尽量减少非线性失真。88.

化学品泄漏后，应立即用抹布擦拭干净（）。正确答案：B（错误）