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文档简介
目 录TOC\o"1-2"\h\z\u一、泛半导体高端备台,双轮驱动成长局立 7(一)耕端备,全光设龙地稳固 7(二)权构晰,管团深绑定 7(三)伏牢心河,导体+示造二曲线 8(四)25年绩光周期动先指预经营点至 9二、全球电力需求持续强海外缺电催生光伏备遇 12(一)球力求保持劲新光装规模望速加 12(二)国力口扩大光或电供首选量 13(三)度力求高增能转催光设备阔遇 15三、光伏技术持续升级,HJT与钙钛矿打开设备期长空间 17(一)HJT电效与本优显,望为一代流术 17(二)钛技迈业化夜具颠性术优势 19(三)业天动光伏求长,HJT钛矿池度益 20(四)司伏备地位固技与户势显著 22四、AI驱动半导体设备高景,国产替代打开长成空间 25(一)球导设业进新轮景周,晶厂备出持位 25(二)道圆造:存扩驱需增,国替空广阔 25(三)司准入替代心节依技复用势局道备 27(四)道装备进封产供缺大芯片货价来长遇 28(五)准入产核心节前突与道放构第增曲线 29五、新型显示行业景气持上行,公司全制程备局抢占先机 31(一)示业术与需扩共,型示设需高增 31(二)示业术与需扩共,型示设需高增 32六、盈利预测与估值 33(一)心设光底企,导第曲加速量 33(二)利力产构优与外量动利修复 34七、风险提示 35图表目录图表1 司展程 7图表2 权构(至2026年10月16日) 7图表3 司理情况 8图表4 司心品 9图表5 司心术局情况 9图表6 2020-2026H1业收及比 10图表7 2020-2026H1母净润同比 10图表8 2020-2026H1利率归净率 10图表9 2024-2026H1行业务入比 10图表10 2020-2026H1售、理财费率 图表2020-2026H1发费与发用率 图表12 2020-2026H1货及比 图表13 2020-2026H1同负及比 图表14 2023-2030E电力求况 12图表15 2020-2030E细分区力求速 12图表16 2019-2030E各类源电规变趋势 12图表17 2019-2030E与其电新发量势 13图表18 2011-2035E光伏机量单:GW) 13图表19 2023-2027E电力耗同比 13图表20 2015-2030E分终电需增情况 13图表21 2028E国中心力求缺(GW) 14图表22 2024-2030E电网量源足与期备率 14图表23 2009-2025年类源LCOE变情况 14图表24 2025年国类电项建周期 15图表25 IRA伏收免结与加则图 15图表26 2016-2027E各类机量况(GW) 15图表27 2021-2027E太阳发量发占比 15图表28 2020-2031E电力求变趋势 16图表29 2020-2031E峰值力求化势 16图表30 2019-2030E各类源电规变趋势 16图表31 2025-2035E电池术线场比化趋势 17图表32 2025-2035E池平转效变趋势 17图表33 2025-2035E型组功变趋(W) 17图表34 公司HJT工艺程对设备 18图表35 2025-2035E类型池人产率化趋(位:MW/(人/年))18图表36 2025-2035E类型池耗化势单位万kWh/MW) 18图表37 2025-2035E类型池耗化势单位:t/MW) 18图表38 2025-2035E结电双低浆消量变趋(位:mg/W) 19图表39 2025-2035E结电银铜料含变化势 19图表40 钙矿/硅结叠电结示图 19图表41 HBC太能池结示图 19图表42 2025-2035E钙钛矿晶叠太能池转效变趋势 20图表43 各光技线极转效变情况 20图表44 2018-2025年球主国航发次统计 20图表45 2025年国载火发量构比 21图表46 2025-2035E光伏场模化势 21图表47 三砷镓示意图 21图表48 海主型箭发成本 21图表49 PERC与HJT构对比 22图表50 不厚度p型HJT池意图 22图表51 钙矿池示意 22图表52 神二三展钙矿池态役验 22图表53 公司HJT设备意图 23图表54 公司HJT技术效变情况 23图表55 2020-2026H1境外收同比 23图表56 公钙矿/硅异结层池率现突破 24图表57 钙矿/硅结叠电整解方设备 24图表58 钙矿/硅结叠电制及备 24图表59 2024-2029E球300nm圆设支情况 25图表60 2021-2026H1球及国陆导设销售情况 25图表61 全晶制备市规模 26图表62 2025年圆造设占情况 26图表63 2025年国导体备产率况 26图表64 主流DRAM货价走势 27图表65 主规格NANDFlash货格势 27图表66 HJT半体道设技复情况 28图表67 2020-2027E封测备场模 28图表68 2024-2031E封装场模 28图表69 2022-2030E先进装(2.5D/3D)供情况 29图表70 迈半体领域分品 29图表71 迈为3D封套工设解方案 29图表72 公半体产品局况 30图表73 2025-2026E型显设投占比 31图表74 2025-2031E球OLED市规模 31图表75 2025-2035E球Mini/MicroLED场模 31图表76 2025-2035E激光量移备场模 31图表77 公司OLED领各类品 32图表78 公司MLED域部产品 32图表79 公分务预测分 33图表80 公财比率 34图表81 可公估值 34一、泛半导体高端装备平台,双轮驱动成长格局确立(一)深耕高端装备领域,全球光伏设备龙头地位稳固201092018图表1 公司发展历程司官 理(二)股权结构清晰稳定,管理团队深度绑定39.02%的有限公司、吴江东运创业投资有限公司等。产业布局方面,公司目前主要参股控股子公司包括苏州迈展自动化科技有限公司、迈为技术(珠海)有限公司等,各子公司进行专业化分工运营。其中,公司通过宸微设备科技(苏州)有限公司布局半导体前道晶圆制备领域,主要产品包括高选择比刻蚀和原子层沉积(ALD)设备。图表2 股权结构图(至2026年10月16日)FinD20263公司管理团队深耕高端装备领域多年,核心成员任职稳定且与公司发展深度绑定,同时具备技术研发与产业运营双重经验,能够持续推动公司在光伏设备核心赛道巩固领先优势,并稳步推进半导体、显示设备等第二增长曲线的战略落地与技术突破,为公司长期发展提供了稳定且专业的治理支撑。图表3 公司管理层情况姓名职务履职情况周剑董事长20031201512200982012109201645王正根董事、总经理2009820121092012720164520259刘琼董事、董事会秘书兼财务总监201620204202042021127(中国)股份有限公司独立董事;2025年6月至今,任圣晖系统集成集团股份有限公司独立董事。李定勇副总经理200942011882014月4李强副总经理20127201645202042023220259月任苏州迈为科技股份有限公司董事、副总经理、研发总监;20259月至今任苏州迈为科技股份有限公司副总经理、研发总监。司年(三)光伏筑牢核心护城河,半导体+显示打造第二曲线公司主营业务聚焦太阳能光伏设备,并加速拓展显示面板、半导体设备领域。构建了光伏设备为核心基本盘,半导体与显示面板设备为第二成长曲线的全业务矩阵。太阳能光伏设备方面,公司产品主要为HJT异质结高效电池生产线以及适配多工艺的全自动太阳能电池片丝网印刷线。涵盖HJT太阳能电池PECVD/PVD真空镀膜设备、太阳能电池片丝网印刷机等核心单机设备。其产品凭借稳定性能和较高性价比成功实现进口替代,其中HJT半导体制造设备方面,(ALD)2.5D/3D工序。显示面板设备方面,公司布局各类OLEDMiniLEDMicroLEDMLED图表4 公司核心产品 图表5 公司核心技术局情况太阳能光伏显示异质结电池制造整体解决方案-GW级太阳能光伏显示异质结电池制造整体解决方案-GW级OLED设备系列异质结电池制造整体解决方案-HJT3.0ProMini/MicroLED设备系列钙钛矿/硅异质结叠层电池整线解决方案半导体异质结NBB技术及串焊设备3D封装成套工艺设备解决方案太阳能电池丝网印刷整线设备半导体磨划工艺设备太阳能电池激光设备半导体键合工艺设备真空技术激光技术精密装备技术半导体等离子体切割ALD刻蚀晶圆激光开槽晶圆改质切割激光直写晶圆减薄刀轮切割晶圆键合显示PECVDPVD巨量转移高速喷印光伏PECVDPVDALD激光PERC激光SE丝网印刷喷墨打印司官 司官(四)25年业绩受光伏周期扰动,先行指标预示经营拐点将至2020-202322.8580.89202498.321.53%2025202581.5217.07%,2026H1实29.0930.95%。20203.9420249.26CAGR23.81%。20257.2222.06%;2026H12.5235.99%压核心受2025年以来光伏产业下行影响。下游电池环节产能过剩导致厂商扩产意愿低迷,资本开支减少,行业设备需求整体收缩,公司订单规模与交付节奏同步放缓,进而图表6 2020-2026H1营业收入及同比 图表7 2020-2026H1归母净利润及同比12,00010,0008,0006,0004,0002,0000
2020 2021 2022 2023 2024 20252026H1营业收入(百万元,左轴) yoy(%,右轴
120%100%80%60%40%20%0%-20%-40%
8006004002000
2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026H1归母净利润(百万元,左轴) yoy(%,右轴
80%60%40%20%0%-20%-40%-60%FinD FinD海外收入确认与高附加值产品放量带动利润率提升。2020-2022年公司毛利率与归母净20232024224281,归母净利率降至9.42225年公司毛利率回升至36122H1进一步增加至48.6,HJT28.7935.3%52.54%。2026H119.8468.21%56.45%。20256.62205615图表8 2020-2026H1毛利率与归母净利率 图表9 2024-2026H1各行业业务收入占比60%50%40%30%20%10%
100%80%60%40%20%0%2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026H1
0%2024 2025 2026H1毛率() 归净率() 太阳能光伏行业 半体显行业 其行业FinD FinD2024-20254%20265.61%62026H12025年2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026H1公超50%研支投半导等领设,续推高产战布。图表10 2020-2026H1销售、管理与财务费率 图表2020-2026H1研发费用与研发费用2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026H110%-2%-4%
1,2001,0008006004002000
2020 2021 2022 2023 2024 2025
20%18%16%14%12%10%8%6%4%2%0%销售费用率() 管理费用率() 财务费用率()
研发费用(百万元,左轴) 研发费用率(,右轴)FinD FinD2020-2023年末61.1463.9043.1647.37%2026H12023年202520.1%51.84图表12 2020-2026H1存货及同比 图表13 2020-2026H1合同负债及同比120806040200
2020 2021 2022 2023 2024 2025
120.00%100.00%80.00%60.00%40.00%20.00%0.00%-20.00%-40.00%
90807060504030201002020 2021 2022 2023 2024 2025
120%100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%存货(亿元) yoy(%,右轴) 合同负债(亿元) yoy(%,右轴)FinD FinD二、全球电力需求持续走强,海外缺电催生光伏设备机遇(一)全球电力需求增长保持强劲,新增光伏装机规模有望快速增加2025年全球电力需求为IEA2026-203050%2026-2030203033594TWh,CAGR3.6%(2025)2026-203050%2026-20306.4%5.3%图表14 2023-2030E全球电力需求情况 图表15 2020-2030E全球细分地区电力需增速
EA《Electricity2026Analysisandforecastto2030
EA《Electricity2026Analysisandforecastto2030》2025620TWh,IEA202620306000TWh42026-2030600-670TWh图表162019-2030E全球各类电源发电量规模变化趋势EA《Electricity2026Analysisandforecastto2030》2025502262026升至持续增长态势。CPIA预计全球光伏年度新增装机规模将在2026-2028年显著增加。整体而言,全球光伏市场仍有很大增长空间。图表17 2019-2030E光伏与其他电源新增电走势 图表18 球光伏装机容量(位:GW)
EA《Electricity2026Analysisandforecastto2030
PIA《2025-2026年中国光伏产业发展路线图》(二)美国电力缺口持续扩大,光伏或成电力供应首选增量EIA2023-2027202320272025-2030420TWh50%益于本土制造业回流、电动汽车数量增加等因素,工业与交通运输部门也将对电力需求做出一定贡献。图表19 2023-2027E美国电力消耗及同比 图表20 2015-2030E美国分终端电力需求长4,5004,4004,3004,2004,1004,0003,9003,800
2023 2024 2025 2026E
3.50%3.00%2.50%2.00%1.50%1.00%0.50%0.00%美国电力消耗(TWh,左轴) yoy(%,右轴)IA官 EA《Electricity2026Analysisandforecastto2030》美国电力缺口将持续扩大。202832GW20292024年的12.4%20292030-1.7%和20252001292024-2030(28.6%快图表21 2028E美国数据中心电力需求与缺(GW)
图表22 2024-2030E美国电网容量资源充率预备用率0
2024 2025 2026E 2027E 2028E 2029E 2030E总求 原缺口 净口2024 2025 2026E 2027E 2028E 2029E 2030E电力需求或缺口
35%30%25%20%15%10%-5%-10%
容量资源足(%) 预期备用(%)organStanley《PoweringAI:RackingUpthePowerShortfall》,转引自TFTC
耐德电气《AssessingtheU.S.PowerSystem’sAbilitytoSupportDataCenterGrowthLazard2025年美国公用事业级光伏LCOE(58/MWh26%/52%/68%6-1535-7图表232009-2025年各类电源LCOE变化情况azards《lazards-lcoeplus-june-2025》光伏多维度特性进一步适配美国电力系统实际需求。部署灵活性层面,光伏可适配大型30%OBBBA图表24 2025年美国类电源项目建设周期 图表25 IRA光伏税抵免结构与叠加规图建设周期(月)90建设周期(月)80706050403020100azards《lazards-lcoeplus-june-2025
IRS《CleanEnergyTaxIncentivesforIndividuals》,转引自GreenEnergyCalculators官网2023-2027CAGR2016-20222027201640.9%(20234.09%20279.30%图表26 2016-2027E美国各类装机容量情(GW) 图表27 2021-2027E美国太阳能发电量及电比1,6001,4001,6001,4001,2001,000020162017201820192020202120222023202420252026E2027E天然气 煤炭 风能 太阳能光伏 核能 水力 其他3503002502001501000
2021 2022 2023 2024 2025 2026E
10.00%9.00%8.00%7.00%6.00%5.00%4.00%3.00%2.00%1.00%0.00%太阳能发电量(TWh,左轴) 太阳能发电占比(%,右轴)IA官 IA官(三)印度电力需求持续高增,能源转型催生光伏设备广阔机遇印度电力需求规模稳步扩张,未来增长动能显著增强,是全球电力需求增长最快的主要经济体。其增长核心为“印度制造”战略下工业用电需求的持续扩容,同时极端高温推动2020-212025-261276TWh1707TWh,CAGR6.0%190GW245GW。从CEA2029-301707TWh2388TWh,CAGR8.8%245GW345GW,CAGR8.9%2024-25温等外部冲击,尖峰时段供电压力将快速凸显。同时印度电网全国平均综合线损率达15.04%图表28 2020-2031E印度电力需求量变化势 图表29 2020-2031E印度峰值电力需求变趋势EA官网,MercomCleanEnergyInsights官网,华创证券 证券
EA官网,MercomCleanEnergyInsights官网,华创58%2026-2030年将50%202610%203018%100GW图表30 2019-2030E印度各类电源发电量模化趋势EA《Electricity2026Analysisandforecastto2030》三、光伏技术持续升级,HJT与钙钛矿打开设备长期成长空间(一)HJT电池效率与成本优势显著,有望成为下一代主流技术HJTHJT、TOPConTOPConHJTHJT术路线。图表31 2025-2035E不同电池技术路线市占变化趋势PIA《2025-2026年中国光伏产业发展路线图》HJT2025PERCTOPCon2.3%0.2%2025-2030TOPCon203527.0%方片HJT2025728W8W,到2035HJT技术图表32 2025-2035E各电池平均转化效率化势 图表33 2025-2035E各类型组件功率变化势(W)29%28%27%26%25%24%23%
2025 2026E 2028E 2030E 2032E 2035EPERCp型单晶电池 TOPCon单晶电池(n型)
780760740720700680660640620
2025 2026E 2028E 2030E 2032E 2035EPERCp型单晶组件(210mm方片) TOPCon单晶组件(n型210mm方片)异质结电池(n型) XBC电池(n型) 异质结组件(n型210mm方片) XBC组件(n型182*210mm)创证券
PIA《2025-2026年中国光伏产业发展路线图》,华
创证券
PIA《2025-2026年中国光伏产业发展路线图》,华HJT技术工艺流程简洁,人均产出高。HJT电池凭借对称结构与低温工艺特性实现工艺流程简化,主要分为清洗制绒、硅基薄膜沉积、TCO薄膜沉积(透明导电薄膜沉积)、电极金属化四道工序,相比于主流TOPCON电池减少8道工序,比XBC结构电池减少5-82025年,n型HJT8.0MW/(人/)TOPCONXBC30%外电池厂的人力成本占比,为迈为海外HJT图表34 公司HJT电工艺流程与对应设备
图表35 2025-2035E不同类型电池线人均出变趋势(单位:MW/(人年)) 司2024年年 理 PIA《2025-2026年中国光伏产业发展路线图》HJTHJTXBCnCPIAnHJT4.3kWh/MWXBC30%XBC57%64%图表36 2025-2035E各种类型电池电耗变趋(位:万kWh/MW)
图表37 2025-2035E不同类型电池水耗变趋(位:t/MW)PIA《2025-2026年中国光伏产业发展路线图》 PIA《2025-2026年中国光伏产业发展路线图》HJTHJT0BB202517.0mg/W11.2mg/W,202543%0BB(HJT)电池在硅片薄片化方面具备显著的技术优势,其适配硅片厚度显著低于TOPCon与XBC电池,为其进一步降低硅料成本提供了更大空间。图表38 2025-2035E异质结电池双面低温料耗变化趋势(单位:mg/W)
图表39 2025-2035E异质结电池银包铜浆银量化趋势 PIA《2025-2026年中国光伏产业发展路线图》 PIA《2025-2026年中国光伏产业发展路线图》HJTHJTHJT33%43%XBCHBC图表40 钙钛矿硅异结叠层电池结构示图 图表41 HBC太阳能池结构示意图司官网 能光伏官网(二)钙钛矿技术迈入产业化前夜,具备颠覆性技术优势可适配BIPV/GW2025-2026行业CA2006G。202635-6%式组合,可进一步提高电池的效率,理论效率远高于传统晶硅电池。目前主流钙钛矿/晶硅叠层(双结层)电池实验室效率已突破33%,理论效率极限预计达43%左右。图表42 2025-2035E国内钙钛矿晶硅叠层太电转换效率变化趋势
图表43 各类光伏技术线极限转换效率变情况39%37%35%33%31%29%27%25%创证券
2025 2026E 2028E 2030E 2032E 2035E小型电池实验室最高转换效率 硅片级电池实验室最高转换效率中试叠层组件最高转换效率 叠层量产组件实验室最高转换效PIA《2025-2026年中国光伏产业发展路线图》,华
NREL钙钛矿叠层电池可以依托现有HJT(三)商业航天拉动太空光伏需求增长,HJT与钙钛矿电池深度受益太空光伏为太空算力数据中心的主要能源来源。基础。202532925.1%1819290%165次发50%图表442018-2025年全球主要国家航天发射次数统计5002018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025美国 中国 其他onathanMcDoWell《Jonathan_Space_ReportAI据中心与太空算力网络,推动太空光伏需求逐步进入规模化阶段。根据GlobalMarketInsights7.120267.9亿2031172035332025-2035CAGR16.6%2025100GW太阳能AIAI";20261SpaceX200GW100GWAI卫星2030100GW图表45 2025年美国载火箭发射量结构比 图表46 2025-2035E太空光伏市场规模变趋势180160140806040200创证券
SPXFalcon9 SPXStarship Others发射数量(次)onathanMcDoWell《Jonathan_Space_Report》,华
lobalMarketInsights官HJT、钙钛矿电池凭借综合技术优势,有望成为太空光伏技术迭代的核心受益者。国内传统航天领域以军工与科研任务为主,对成本敏感性较低,目前采用三结砷化镓作为太空光伏主流技术方案。三结砷化镓抗辐射性能优异且转换效率较高,但制备成本高昂,无法支撑商业航天大规模部署,随着国内商业航天产业化提速,项目盈利性与成本管控成为核心考量,亟需低成本替代方案。PERC技1.23.6%,PERC150SpaceX1520/kg2940/kgPERC图表47 三结砷化镓电示意图 图表48 海外主要型号箭发射成本NASA paceNexus官在中短期,P型HJT电池凭借多重核心优势,有望成为太空光伏商业化过渡期的最优选择。其一,成本优势显著。HJT电池制备成本仅为三结砷化镓电池的1/10,且可实现规HJTPHJTPERC2/350μmPHJT50-70umP型HJT率衰减幅度低于CHT电池量产转换效率已达5.9,显著PERC23.6%图表49 PERC与HJT结构对比 图表50 不同厚度p型HJT电池示意图国能源部官网 海市国资委官网长期来看,钙钛矿/晶硅叠层电池有望主导未来太空光伏市场。33%HTRC图表51 钙钛矿电池结示意 图表52 神州二十三号展钙钛矿电池动态役验国能源部官网
视新闻《9项科学实验将随神州二十三号上行中国空间站,将开展钙钛矿太阳能电池空间科学研究》(四)公司光伏设备龙头地位稳固,技术与客户优势显著HJTHJT异质TCOPECVDPVDHJTGW级别。图表53 公司HJT整设备示意图司官网公司持续推进大片化、薄片化、双面微晶化等降本路径。30%PVD20261HJT26.92%HJTHJT20252026H1海外务现发增,营达28.79元/19.84元同增长320.19%/140.64%。图表54 公司HJT电技术及效率变化情况 图表55 2020-2026H1年境外营收及同比3,5003,0002,5002,0001,5001,0005000
2020 2021 2022 2023 2024 2025
350%300%250%200%150%100%50%0%-50%境外收入(百万元,左轴) yoy(%,右轴)司官网 FinD公司前瞻布局下一代钙钛矿叠层电池技术。20264/效率到32.5%,于球领水,分证整线备能工先性。图表56 公司钙钛矿硅异质结叠层电池率现突破司官网202512202633520266/图表57 钙钛矿硅异结叠层电池整线解方设备 图表58 钙钛矿硅异结叠层电池制程及备司官网 司官网四、AI驱动半导体设备高景气,国产替代打开长期成长空间(一)全球半导体设备行业进入新一轮高景气周期,晶圆厂设备支出维持高位AI全球半导体设备行业正处于由AISEMI300mm2268至1302071002028-2029202420251350.515.3%;2026770.818.4%2025493.1229图表59 2024-2029E全球300nm晶圆厂设备支情况
图表60 2021-2026H1全球及中国大陆半导设售额情况4540353025201510502021-032021-092022-032022-092023-032023-092024-032024-092025-032025-092026-03全球半导体设备销售额(十亿美元)中国大陆半导体设备销售额(十亿美元)EMI大半导体产业网《预测全球300mm晶圆厂设备支出2026年和2027年将实现两位数增长》
FinD(二)前道晶圆制造设备:存储扩产驱动需求增长,国产替代空间广阔2025产业链的85%20206122025CAGR13.6%。SEMI预计到2027年将持续扩容至1352亿美元,行业需求具备坚实长期支撑。图表61 全球晶圆制造备市场规模 图表62 2025年晶圆造设备占比情况1,4001,2001,00080060040020002020 2021 2022 2023 2024 2025 2026E2027E全球晶圆制造设备市场规模(亿美元)EM 2025全球刻蚀设备与薄膜沉积设备市场均呈现寡头垄断格局,国产替代空间广阔。2023LAMTEL3nm83.95%CVDALD路线大部分市场份额均由TELLAMASMIPVD15-20%10%,CVD与ALD5-10%图表63 2025年我国导体设备国产化率况设备种类国产化率PVD15-20(成熟制程);<10(先进制程)CVD/ALD5-10去胶75-90(中低端);<30(高端)清洗50-60刻蚀50-60(成熟制程);<15(先进制程)热处理30-40CMP15-25(成熟制程);<10(先进制程)涂胶显影10-15(成熟制程);<10(先进制程)离子注入10-20(成熟制程);<5(先进制程)量测10-15(成熟制程);<5(先进制程)光刻10-15(成熟制程);<1(先进制程)研天下《全球薄膜沉积设备行业长期趋势向好显著垄断格局下国产差异化突破进行时》华创证券AI2026年全球DRAMAINANDFlash20264%-5%2027NAND2025DDR4DDR5MLCNANDDDR416Gb2Gx8)2666Mbps202692480.25202562026200%。存储芯片的持续缺货涨价提升国内与全球头部厂商盈利能力与扩产意愿。20Fab32026Fab4、Fab510万片/当前DRAM28-30402026年DDR5LPDDR5X20282026-202889万、10万片/ALD图表64 主流DRAM现货价格走势 图表65 主流规格NANDFlash现货价格走势353025353025201510507060504030201002024-03-012024-07-012024-11-012025-03-012025-07-012025-11-012026-03-012026-07-01
NANDFlash:128Gb16Gx8MLC(美元) NANDFlash:64Gb8Gx8MLC(美元) NANDFlash:32Gb4Gx8MLC(美元)FinD FinD(三)公司精准切入国产替代核心环节,依托技术复用优势布局前道设备公司精准卡位半导体前道核心设备关键环节。ICP司原子层沉积(ALD)2026PEALDSiN公司前道设备已实现国内主流存储厂与逻辑厂的双重覆盖。HJT(ALD)并形成光伏与半导体业务之间的技术协同。伴随国内存储产线集中落地,公司前道设备订单有望持续释放。图表66 HJT与半导体前道设备技术复用况司官 理(四)后道封装设备:先进封装产能供需缺口大,芯片缺货涨价带来增长机遇AI2025年17236.6%2026-2027190.96亿、204.39AI2024168.62025年178.5SEMI2031·2612025-2031CAGR6.5%。AIHBM图表67 2020-2027E全球封测设备市场规模 图表68 2024-2031E先进封装市场规模2502001501005002020 2021 2022 2023 2024 2025 2026E2027E全球封测设备市场规模(亿美元)EM YResearch官全球2.5D/3D2025(2022202812027图表69 2022-2030E全球先进封装(2.5D/3D封装)供需情况智咨询《预计2026年全球先进封装市场规模将达587亿美元,同比增长约97%》(五)精准切入国产替代核心环节,前道突破与后道放量构筑第二增长曲线公司构建完整产品矩阵,后道业务行业领先地位稳固。2.5D/3D+图表70 迈为半导体后领域部分产品 图表71 迈为3D封装套工艺设备解决方案司官 理 司官网公司产品技术成熟度与市场认可度持续提升,多款装备已实现规模化量产交付。D2WTCB磨划设备优势持续巩固,多款半导体装备已交付头部客户并实现稳定量产。其中晶圆激光开槽设备、晶圆研抛一体机在国内市场占有率稳居行业首位。公司后道封装设备已批量进入国内头部封测企业供应链,进入业绩兑现期。AI芯片、2.5D/3D+图表72 公司半导体后产品布局情况工艺流程对应产品晶圆减薄与边缘修整环形减薄设备、晶圆边缘修型设备晶圆切割/划片12英寸晶圆激光开槽设备、FrameHandling激光改质切割设备、WaferHandling激光改质切割设备、12英寸晶圆刀轮切割设备、12英寸晶圆等离子体切割设备、12英寸晶圆扩片设备晶圆研磨与抛光8英寸晶圆研磨设备、12英寸晶圆研磨设备、8英寸碳化硅研磨设备、12英寸晶圆研抛一体设备临时键合与解键合12英寸晶圆临时键合设备、12英寸晶圆激光解键合设备、6/8英寸半自动热滑移解键合设备键合前处理(清洗/活化/对准/预处理)6/8英寸半自动晶圆清洗设备、6/8英寸半自动晶圆活化设备、8/12英寸半自动晶圆对准设备、8/12英寸全自动晶圆预处理设备永久键合(混合键合/晶圆键合)12英寸晶圆混合键合设备、8/12英寸半自动晶圆键合设备芯片贴装与倒装键合半自动超高精度D2D贴装设备、全自动高精度倒装键合设备基板切割分选基板切割分选设备(JigSaw)Find,公司官五、新型显示行业景气度持续上行,公司全制程设备布局抢占先机(一)显示行业技术升级与需求扩容共振,新型显示设备需求高增显示行业正处于技术升级与需求扩容的双重共振阶段AR/VR盛。OLEDCounterpoint数据显202653OED设备投入同比大增77,2023230年OED762026OLED346.82031551.92026-2031CAGR9.74%OLED渗透率持续提升。OLED核心设备需求进入高速释放期。图表73 2025-2026E各类型显示设备投资比 图表74 2025-2031E全球OLED市场规模ounterpoint官 ordorIntelligence官Mini/MicroLEDMini/MicroLED2025336.8Globalgrowthinsights2026480.62035年1180.9CAGR13.37%MicroLED20251.382035年5.5814.99%图表75 2025-2035E全球Mini/MicroLED市场规模 图表76 2025-2035E全球激光巨量转移设市规模lobalgrowthinsights官 arketResearchIntellect官(二)显示行业技术升级与需求扩容共振,新型显示设备需求高增攻克OLED激光切割核心技术,实现国产替代并跻身国际领先水平。通过深入钻研激2019OLEDG6halfOLED20248.6代AMOLED产线项目,是国内极少数提供Cell图表77 公司OLED域各类产品司官 理MLED公司针对MiniLEDMicroLEDMLEDMicroLEDMLEDMLED图表78公司MLED领域部分产品司官 理六、盈利预测与估值(一)核心假设:光伏筑底企稳,半导体第二曲线加速放量公司是全球少数具备HJT异HJT2026–202853.5/61.2/66.824.2/27.1/29.9半导体及显示设备业务:前道切入国产替代核心环节,后道与显示放量兑现业绩。体前道领域,公司高选择比刻蚀设备、原子层沉积设备已完成多品种国产替代、进入芯片厂产线验证,部分产品获得重复订单;后道领域,公司聚焦泛切割与2.5D/3D晶圆激光开槽设备、研抛一体机市占率稳居首位,先进封装多款设备已导入长电科技、通富微电、华天科技等头部封测厂商。受益于存储扩产与先进封装供需缺口扩大,公司OLEDG6half2026–2028+51%/+140%/+90%,45%10/24/45.54.5/10.8/20.5其他业务:占比较低,预计平稳增长。2026-202815300460.0.610.14.160.18亿元。图表79 公司分业务收预测拆分司官 测(二)盈利能力:产品结构优化与海外放量驱动盈利修复202438.6%2026–2028年毛利率分别为45.1%/44.4%/44.8%。费用率:随着海外业务持续扩展、半导体业务放量及收入规模扩大,公司销售与管理费用短期保持一定投入强度;但随着规模效应逐步释放、产品与渠道日趋成熟,销售费用率与管理费用率均有望逐步下降。我们预计2026–2028年销售费用率分别为5.4%/5.1%/4.8%,管理费用率分别为4.8%/4.2%/4.0%。图表80 公司财务比率2023202420252026E2027E2028E毛利率30.528.138.645.144.444.8销售费用率8.34.24.35.45.14.8管理费用率2.42.53.24.84.24.0Find 测投资建议:公司是光伏HJT2026–20285.52/13.52/19.82PE202722/54PE165.56图表81 可比公司估值司官 测注:捷佳伟创、帝尔激光、拉普拉斯、微导纳米、拓荆科技、中微公司均为iFind一致预期,迈为股份为华创证券预测,数据更新时间为2026年10月26日七、风险提示光伏行业景气度降低风险:HJT异质结电池整线生产设备均属于高端制造装备,具有单价较高、安装调试复杂、验收周期长等特性。公司于客户端产品验收后确认收入,验收条件受客户新建项目进度、丝网设备市场竞争加剧风险:太阳能电池生产设备行业良好的市场前景及投资收益预期将吸引众多投资者进入该行业,加剧行业内企业间的竞争。若公司不能持续开展技术创新,不能洞察行业发展趋势、适应市场需求、不断研发推出具有差异化特征的产品以提升附加值,公司可能失去领先优势,进而面临市场份额下降甚至被市场淘汰的风险。技术替代风险:N毛利率下滑风险:附录:财务预测表资产负债表利润表单位:百万元2025A2026E2027E2028E单位:百万元2025A2026E2027E2028E货币资金4,5776,0857,52210,877营业总收入8,1526,3968,57611,292应收票据108510408434营业成本5,0043,5144,7666,233应收账款4,0823,1873,4733,359税金及附加43313951预付账款97121236402销售费用347345437542存货6,1144,1915,5487,081管理费用264307360452合同资产0000研发费用1,0821,0871,2861,694其他流动资产1,3541,1711,2471,391财务费用83135115120流动资产合计16,33115,26418,43323,544信用减值损失-615-535-214-169其他长期投资0000资产减值损失-100-52-57-58长期股权投资6969696953535353固定资产3,1423,3943,9754,661投资收益-95152535在建工程2889381,1381,038其他收益16890110130无形资产302331369387营业利润7405471,4872,191其他非流动资产1,4141,4371,4611,479营业外收入16121414非流动资产合计5,2156,1687,0117,633营业外
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