tanner L-edit 软件基本操作知识幻灯片

1、1、1、Tanner软件简介：Tanner Pro是集成电路设计软件套件，包括S-Edit、T-Spice、W-Edit、L-Edit和LVS，每个软件的主要功能列在表1.1中。2，Tanner软件简介，Tanner Pro的设计过程可以用右侧的1.1表示。3，安装Tanner软件，详细的安装过程是我创建的Tanner13.0安装过程(13.0布局可在windows7上安装，下表列出了PC的Tanner要求)，3，使用L_edit绘制布局(1) L(2)出现以下界面：(3)L-Edit将作业文件命名为Layoutl.sdb，并在窗口的标题栏中显示，如上图所示。(4)文件-保存，保存在选定的目录

2、中，确保不包含中文。其中，选择E:L_edit，然后将其命名为EX1。iii，使用L_edit绘制区域；(5)替代设置：选择“文件-替换设置”，然后在Browse中选择d : program files tanner EDA L-edit and LVS主要使用DRC信息，layers信息。iii，使用L_edit绘制区域，(6)编辑组件L-Edit可以按“组件”(Cell)单位而不是“文件”(File)编辑，每个文件可以有多个Cell，每个Cell可以表示电路布局或说明，以及其中，编辑屏幕的十字形状是坐标原点。第三，使用L_edit绘制布局，(7)首选项：要绘制布局，必须具有准确的大小，因此

3、请在打印前确认或设置坐标和实际长度之间的关系。选择“设置”命令以打开“设计”对话框，其中“技术”选项卡显示使用技术的名称、单位和设置。本示例中的技术单位Technology units是Lambda。可以在“技术设置选项”组中设置Lambda单位与内部单位Internal Unit的关系。将Lambda设置为1，000个Internal Unit，将Lambda设置为1个Micron。iii，使用L_edit绘制布局，(8)选择绘图形状：除了选择要绘制的层外，还从绘图工具栏中选择绘制方法，如图所示。3、使用L_edit绘制布局、(9)选择绘图形状：除了绘制绘图布局、选择要绘制的层外，还从绘图工

4、具栏中选择绘图方法，如图10.9所示。例如，如果您选取工具，然后按住滑鼠左键拖曳，将会绘制矩形。要绘制正方形的多边形图层，请水平占据一个网格(1um)，垂直占据10个网格(10um)，然后绘制在图左下方的形状、图层、宽度(w)、高度(h)、区域(a)和周长(p)按“Home”键显示全屏，使用3，L_edit绘制区域，(10)检查设计规则：绘制用于创建集成回路的遮罩图案的图案，因此必须按照设计规则绘制图层才能确保过程效率。选择“工具”-DRC命令，打开“设计规则检查”对话框(如图所示)，报告最小宽度小于两个lam，使用L_edit绘制布局，(11)检查错误：打开“设置-DRC设置”，查看详细的设

5、计规则，在“规则列表”列表框中，查看3.1 Poly，iii，使用L_edit绘制区域，(12)修改对象：选择“编辑-编辑项目”命令，在Show box表框中选择“bottom left corner and dimensions”选项，将“Width优化”框更改为2.000，然后单击“确定”按钮完成修改您也可以使用Alt键和滑鼠拖曳来修改物件大小。宽度修改为两个格点后，检查设计规则。没有错误，第三，使用L_edit绘制布局(13)修改对象：选择“编辑-编辑项目”(edit-edit items)命令，在Show box表框中选择bottom left corner and dimension

6、s选项，然后将Width优化框更改为2，如下所示单击“确定”按钮完成修改。您也可以使用Alt键和滑鼠拖曳来修改物件大小。宽度修改为两个格点后，检查设计规则。此时，从以下工具栏中选择多边形工具：(无错误)、3、使用L_edit绘制区域、(13)修改对象：无错误、3、使用L_edit绘制区域、(14)绘制多边：矩形Poly旁边1个栅格的Drawing工具栏中的“多边形”(polygons)工具右侧，3，使用L_edit绘制区域，(14)使用设计规则检查DRC错误，查看DRC设置，然后使用L_edit绘制区域(15)更正错误，移动对象：点中的多边形.单击。例如，如果右侧设置x为1.000，则只能向右

7、移动一个栅格，或者选择多边形，然后按住鼠标中键，同时向右移动一个单元。再次进行DRC检查，没有错误。4，使用L_edit绘制PMOS布局，(1)选择层：屏幕左侧是“层”面板，该面板具有下拉列表，用于选择要绘制的层(例如，Poly)，“层”面板选择表示多边形层的红色。L-Edit中的Poly层表示在集成电路中制造多晶硅所需的遮罩图案。在此范例中，(N Well图层)、(Active图层)、(N Select图层)、(P Select图层)、(Poly图层)、(Metal1图层)和(Metal 2图层)第四，使用L_edit绘制PMOS布局，(2)绘制N Well图层：L-Edit编辑环境默认位于

8、p基板上，因此读者无需定义基于p的基板范围，在基于p的基板上创建PMOS的第一步是先创建N Well区域也就是说，必须设计遮罩以限制N Well区域。要绘制N Well布局，必须首先使用MOSIS/ORBIT 2.0U SCNA Design Rules了解N Well绘制必须遵守的设计规则。选择Drcsetup命令打开“设置设计规则”对话框(或单击按钮后)，然后在“规则列表”列表框中选择“1.1 Well Minimum Width”选项，您将看到N Well的最小宽度需要10个lamda。第四，使用L_edit绘制PMOS布局，(2)绘制N Well图层(上一步):从Layers面板下拉列

9、表中选择N Well选项以选择工具，然后从Drawing工具栏中选择工具，在“编辑Cell0”窗口中，绘制占据水平24个单元垂直15个单元的方形N Well，如图所示。第四，使用L_edit绘制PMOS布局，(3)观察截面：L-Edit具有观察使用该布局设计的组件的制作过程和结果的功能。选择“工具-截面”命令(或单击按钮)，使用pick选择所需截面，然后单击“确定”即可。process define file位于d 3360 program files tanner EDA l-edit and LVS SPR lights layout lights . xx第四，使用L_edit绘制PMO

10、S布局，(4)绘制活动层。在设计完N Well的布局区域后，必须设计用于定义PMOS或NMOS范围的活动层、用于定义厚氧化层(或称为现场氧化层)范围的活动层、用于限制活动区域的遮罩，但必须在N Well层内绘制PMOS的活动层。您知道Active的最小宽度有三个Lambda要求。其中大小必须与水平10栅格垂直5栅格、4、L_edit绘制PMOS布局、(5)检查设计规则、报告未选定活动错误、查看设计规则、活动图层必须与P Select图层或N Select嵌套，并且不能单独存在。否则，设计规则检查将出错。(6)绘制P Select图层，并注意活动边界与P Select边界之间至少有两个Lambd

11、a距离。这是“动态观察”(Surround)规则。水平绘制18栏，垂直绘制9栏。Active和P Select的交集由pdiff层定义，pdiff和N Well具有动态观察规则，pdiff的边界和N Well的边界必须至少远离5个ram BDA。4，使用L_edit绘制PMOS布局；(7)使用标尺工具：单击90标尺并计算棋盘格时的长度；4，使用L_edit绘制PMOS布局；(8)绘制多边形层：绘制多边形层：同样，要绘制多边形图层，必须首先了解要使用的过程的设计规则，并且多边形的最小宽度有两个lamda要求。水平2栏、垂直7栏、4栏、使用L_edit绘制PMOS配置图、(9)检查设计规则：有两个

12、相同的错误，错误、Poly图层必须延伸以在作用中区域包含至少两个ram BDA，如果此处只有一个，则会增加为2，L_edit每个组件之间的信号传递必须用金属线连接，底部的金属线显示为金属1层。在创建金属层之前，为了使金属接触扩散区域(源极和极地)，金属层与扩散区域接触，金属1和扩散区域之间的接触孔必须用活动连接层表示，并且此绝缘层上的接触孔必须进行蚀刻，以便研究设计规则。发现宽度限制为两个Lambda大小。图中使用水平、垂直、4、L_edit绘制PMOS布局，(11)每个步骤后必须执行DRC的设计规则，按照提示执行操作、修改，4、L_edit绘制PMOS布局，(12) metalun 1NMO

13、S的源极和基极都通过连接电极添加偏移，每个组件之间的信号传递用金属线连接，底部金属线用metalun 1层表示。Metalun 1的宽度限制为至少3 Lambda，在Cell0编辑窗口的Active Contact周围绘制一个矩形(水平4，垂直4个单元格)，在左右两个扩散区域中绘制一个metalun 1块，并使用4，L_edit绘制PMOS布局。(12)重命名：Cell0重命名，单元格可选-重命名命令，打开Rename Cell0对话框，将Cell重命名为PMOS，完成PMOS绘制，使用L_edit绘制PMOS布局，(13)nmms其中活动宽度为14个网格，高度为5个网格。多边形宽度为2个网格，高度为9个网格。N Select宽度为18个网格，高度为9个网格。两个Active Contact宽度都是两个格点，高度是两个格点，两个Metal1宽度都是四个格点，高度是四个格点。4，使用L_edit绘制PMOS布局；(14)转换：将反相器布局结果转换为T-Spice文件；选择工具-extractsetup命令(或单击按钮)；打开Setup Extract对话框；以及输入include e 3360 l _ edit bsim 3 _ sam