化学沉铜介绍幻灯片

1、1.孔金属化，目的：在衬底表面沉积导电层，实现层间电连接。化学镀铜PTH:电镀通孔。2.生产过程。刷板钻污垢和处理化学铜沉积。3.刷板。目的：1 .去毛刺。2.清洁板表面。4.去毛刺和处理污垢。目标： 1。清除内部铜箔上残留的钻孔污垢，确保良好的粘合。2.改善孔壁结构，增强结合力。工艺流程：膨胀以去除钻井污垢并中和，5。肿胀。目标：膨胀树脂表面以降低分子键能。进行去污反应是有益的。过程控制：温度60-80时间5-10分钟，6，去污(去垢)。目的：利用高锰酸钾的强氧化作用，钻井泥浆去除反应的原理： MnO 4 C羟基MnO 42-CO 2 2H氧化副反应： MnO4-羟基MnO 42-O 2 2

2、H氧化MnO42-H2 0 MnO 2O2OH-过程控制：温度75-85C时间10-20分钟，7、还原，目的：控制残留在孔壁上的MnO 4-、MnO 4 2-、MnO 2的还原过程工艺流程：调整微蚀预浸催化加速铜沉积，9、调理剂，目的：调整孔壁电性能，有利于控制胶体钯的吸附过程：温度45-55，时间4-8分钟，时间10分钟，进行微蚀。 目的是：1。清洁板表面；2.在板表面形成一个粗糙结构，以保证沉积的铜层和基底铜之间的结合力。反应原理： Cu na2s2o 8 cuso4 na2so 4 na2so 4工艺控制：温度25-35C，时间1-3 min。11.预浸料IP，目的：通过预站处理防止催化

3、罐污染的过程控制：温度，常温，时间1-2分钟，12，催化剂，目的：吸附孔壁上铜所需的钯胶体(Pd SnCl3 N-)的过程控制：钯胶体在40-45C下水解4-6分钟：Pd(SnCl3)-H2OPD Sn(OH)2Sn(OH)4Cl-，13，促进剂，目的：控制钯周围锡沉积物的去除过程：温度20-30C自动催化反应2。在一定时间内沉积一定厚度铜层的工艺控制：温度30-35，时间14-16分钟，15。化学镀铜。主要副作用：氧化亚铜羟基氧化亚铜羟基氧化亚铜羟基氧化亚铜羟基氧化亚铜羟基氧化亚铜羟基氧化亚铜羟基氧化亚铜羟基氧化亚铜羟基氧化亚铜羟基氧化亚铜溶液：1。保持通气2。强化过滤3。定期维护铜水槽16

4、。质量控制。1.背光检查：要求等级8 2。铜镀层厚度：0.3-0.5 m 3。污泥去除厚度：0.2-0.25毫克/平方厘米4。层间结合：热冲击实验，金相切片，17。问题和设备处理能力。问题：1。孔2中没有金属。粗糙的孔壁3。层间分离处理能力：1。加工尺寸：24”40”，板厚0.8-3.2毫米，板厚孔径比为10: 12。最大处理能力：35000 m2/月，18。化学镀铜工艺的分类。催化剂的分类：1。胶体钯钯(sncl3)-2。离子钯pd2: 1的铜沉积厚度分类。薄铜(0.3-0.5 m)2的沉积。厚铜的沉积(1.2-2.5 m)，19。化学铜沉积的缺点，1。溶液中的乙二胺四乙酸，难处理废水，2。甲醛作为还原剂，甲醛作为致癌物不利于健康。氧化还原反应，困难的过程控制，20。直接电镀，特点：1。没有乙二胺四乙酸，氢氰酸等。2.反应是一个物理吸附过程，容易控制。3.简化流程4。适合水平或垂直分类：1。钯导电金属薄层2。导电聚合物材料3。碳或石墨导电层21。钯系列。通用工艺流程：(去污)全孔预浸料催化加速硫化后处理微蚀刻供应商：希普利、阿托特、布拉斯伯格等适用设备：水平和垂直线、22、导电聚合物系列、通用工艺流程：(去污)全孔高锰酸钾氧化处理有机单体催化处理酸洗原理：ckmno4 CO2二氧化锰二氧化锰