晶体管电流电压方程_第1页
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文档简介

1、3-4晶体管的电流电压方程式，在本节中以缓慢的基极NPN管为例，导出在发射极结和集电极结双方施加任意电压时的晶体管的电流电压方程式。 电流的基准方向和电压的基准极性如下图所示。 在导出、e，b，c，IE，IB，IC，VCE，VBE，VBC，n，n，p，电流电压方程式时，利用扩散方程式的解具有线性重叠的特征：方程式的边界条件1 时的解n1(x )和边界条件2 时的解n2(x 、，3-4晶体管的电流电压方程式，3.4.1电流电压方程式，3.4.2输出特性曲线，3.4.3几个反向电流的总结：3.4.4基极区域宽度变化效应埃尔利效应，1，集电极结短路(VBC=0)时的电流，3 上式中，IES是发射极结

2、反偏置，集电极结零偏置时的发射极电流， 如果相当于由个别的发射极结构构成的PN结二极管，则三个电极的电流为：2，发射接合短路(VBE=0)时的电流，如果将接合部设为“集电部”，将集电部设为“发射部”，则得到反向晶体管，接合短路为反向管的“集电接合短路”，因此，上式相当于释放结零偏压时的集电流、释放结零偏压时的PN结二极管的反向饱和电流。 r表示反向的共享基直流短路电流放大系数，通常更小。 3、电流电压方程式在三个电流之间满足IE=IC IB，因此三个电流中只有两个是独立的。 选择IE和IC，得到共同基极电流的电压方程式，也称为“埃巴斯莫尔方程式”。 如果把上述两个偏置条件下得到的电流相加，就能

3、得到在发射极结和集电极结两者上施加任意电压时晶体管的电流电压方程式。 如果选择IB和IC，则发射极电流电压方程式：正方向管和反方向管之间相互关系：1、基极输出特性、输入端的IE为变量，输出端的IC和VBC有关系。 共用基极电流的电压方程式：e，b，c，IE，IC，VBC，n，n，p，b，VBE消除后得到的：3.4.2输出特性曲线，在VBC=0时，是放大区域，VBC0，此时，ICBO是发射极开路(IE=0 在上式中，共享基极输出特性曲线：输出特性曲线形成了一种物理机制：集电极电流的大小取决于载波基极传输的速度和集电极结的收集速度中较慢的一方。 在集电结电压小的情况下，由于收集速度较慢，电流随着集电极电压的增加稍微增加，之后电压继续增加，载流子在集电结空间的电荷区漂移速度饱和，集电极电流与电压无关，由扩散因素决定。 2、发射极输出特性以输入侧的IB为参数，输出侧的IC和VCE的关系。 发射极电流电压方程式：e，c，b，p，n，IB，

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