传感器复习资料

1、第二章应变传感器1、应变传感器1、应变效果(P22)2、工作原理、数学关系、(注：微应变=1=110-6mm/mm)、3、金属导体、半导体材料中的任何变化都将导致电阻变化1)应变后材料的几何尺寸变化，即1 2；2)应变后材料的电阻率变化(d/)/。对于金属材料：1 2(d/)/(P23)半导体材料：(d/)/1 2，电阻应变计测量电路1，平衡桥测量电路(P30)2，不平衡桥测量电路(P32) 3，以及(P39)半导体气体传感器利用正在测试的气体接触半导体表面时发生的电导率等物理特性变化来检测气体。第四，湿度传感器湿度传感器是利用湿度敏感材料吸收空气中的水分，改变自电阻值的原理制造的。1负特性湿

2、度敏感半导电陶瓷及导电机理(P48)电阻率随着湿度的增加，负特性湿度敏感半导体税。2.静态特性湿度敏感性半导电陶瓷及导电机制电阻率随着湿度的增加，这被称为静态特性湿度敏感性半导体税。第三章感应传感器1、磁传感器1、感应传感器的物理基础(P59)2、感应传感器类型(P61)(1)可变间隔模式()，(2)可变截面类型(S)LS0，l和S0之间的线性关系。(3)筒管(和s)实际L=f(，S0)为非线性。第二，差动变压器(互感)传感器1，结构(P64)2，基础物理基础3，涡流传感器1，基础物理原理(P66)2，有效电感和位移关系，l和非线性关系。第四章电容式传感器1，电容式传感器1，电容式传感器转换成

3、什么样的量？(P76)2，电容量计算(P76)，2，电容传感器类型1，可变区域类型(P77)，2，可变范围(P76)(1)单个容量，近似(线性化)处理：这种现象称为压电效应。1、正压电效应2、逆压电效应3、测量电路1、电压放大器(P98)、ua=Q/Ca、压电元件受正弦力F=Fmsint影响时，其电压为：格式：Um压电元件输出电压幅度，Um=DFM/ca；d压电系数。2，如果忽略电荷放大器(P99)电阻Ra、Ri和Rf的影响，则输入到放大器中的电荷量为3360Qi=Q-Qf，电荷放大器等效电路，表达式中的a是开环放大系数。因此，放大器的输出电压为A1，cfci cc ca (1 a)时，放大器

4、输出电压为6章霍尔传感器1，霍尔传感器工作原理1，霍尔传感器是什么样的传感器？(P106)2、霍尔效应(P106)3、霍尔电压的数学表示(P107)、2、霍尔传感器的基本测量电路3、霍尔微位移检测、第7章光电传感器1、光电效应和光电设备1。光电效果(P116)(1)内部光电效果光电效果(2)外部光电效果2。光电器件(1)感光电阻和主要参数(P144)暗电阻*感光电阻在发光时称为暗电流，此时电流称为暗电流。光电阻*光电阻称为光电阻，此时流动的电流称为光电流。光电流*光电流和暗电流的区别称为光电流。，(2)感光电阻的基本特性(P121)电压电流特性在特定照度下通过感光电阻的电流与感光电阻两端的电压

5、的关系称为感光电阻的电压电流特性。照明特性感光电阻的照明特性描述了光电流I和发光强度的关系，不同材质的照明特性不同，大多数光敏电阻照明特性是非线性的。光谱特性光敏电阻对入射光的光谱有选择作用。也就是说，感光电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光敏电阻的光谱特性，也称为光谱响应。第8章温度传感器1，热电偶温度测量原理(P135)1，接触电动势形成和标记符号EAB(T)，EAB(T0)，2，温差电动势形成和标记符号EA(T，T0)，EB(TEAB(t，t0)=EAB(t，0)-EAB(t0，0)=f(t)-C，2，修正方法(1)修正布线方法：延伸修正类型(已知冷触点温度t0=15，热电势EAB(t，t0)为5.339mV，用于查找反应器温度。解决方案：镍铬镍硅热电偶P265索引表EAB(15，0)=0.597mV .可回收EAB(t，0)=eab (t，t0) eab (t0，t0)，5，金属热阻传感器1，物理基础(149)2，热阻类型和零时电阻值(1)铜热阻测量范围为-5050。百分度号为Cu50(R0=50)、Cu100(R0