MOS管知识PPT课件

1、第三章 场效应管及其放大电路,内容： 1.介绍场效应管的结构、工作原理、伏安特性及主要参数。 2.介绍基本放大电路。 教学基本要求： 1.了解场效应管的基本结构，熟练掌握场效应管的伏安特性及主要参数。 2. 理解放大电路的工作原理，熟练掌握放大电路的分析方法。,3.1 绝缘栅型场效应管,3.2 场效应管放大电路,第三章 场效应管及其放大电路,一.场效应管的分类,场效应管 (FET),增强型,绝缘栅型 (MOSFET),结 型 (JFET),耗尽型,概 述,场效应管是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件。,MOSFET与JFET的主要区别 JFET：利用外加电场来控制半导体内的电场效应。通

2、过改变PN结耗尽层的宽度，改变导电沟道的宽窄来控制输出电流。 MOSFET：利用外加电场来控制半导体表面的电场效应。通过改变感生沟道的宽窄来控制输出电流。,耗尽型与增强型的主要区别 耗尽型：场效应管没有外加栅极电压时，已存在导电沟道。 增强型：场效应管在外加栅极电压超过一定时，才有导电沟道。,1. 基本结构 图3.1是N 沟道增强型绝缘栅场效应管的结构示意图。,图3.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管 (a) 基本结构 (b)表示符号,一. N 沟道增强型绝缘场效应管,3.1 绝缘栅型场效应管,利用栅源电压uGS的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流 iD的大小。 分析：主要讨论

3、 uGS 对iD 的控制作用。 (1)当uGS = 0 时(见图3. 2a),不论所加电压uDS 的极性如何，其中总有一个PN 结是反向偏置的，反向电阻很高，则漏极电流iD0。 (2) 当栅源极之间加正向电压uGS (见图3.2b) ，,在 uGS的作用下，产生了垂直于衬底表面的电场，P 型硅中少数载流子(自由电子)被吸到表面层填补空穴形成负离子的耗尽层。,2. 工作原理,(3) 当栅极与源极之间加正向电压uGSUT时(见图3.2c)，被吸到表面层中的自由电子较多，填补空穴后还有剩余，在表面层中形成一个N型层，通常称为反型层；它就是沟通源区和漏区的N 型导电沟道。形成导电沟道后，在漏极电源uD

4、S的作用下，将产生漏极电流 iD ，MOS 管即导通。场效应管是利用场效应原理工作的。,(4) 形成反型层的导电沟道后， uGS正值愈高，导电沟道愈宽，即 改变uGS 改变沟道宽度改变iD uGS沟道宽度iD 综述：当0uGSUT 时，漏、源极间沟道尚未联通，iD0；当uGSUT时，随uGS变化 iD随之变化。达到uGS 对iD 的控制，故称MOS管为电压控制元件。,3. 特性曲线,(1) 转移特性 表述：当漏源电压uDS 为某一固定值时，栅源电压uGS 和漏极电流 iD 之间的关系曲线，称为转移特性。也就是栅源电压uGS 对漏极电流 iD 的控制特性 。 表达式：,输出特性曲线见图3.3(b

5、),(2) 输出特性,表述：当栅源电压uGS 一定的情况下，漏极电流 iD 与漏源电压uDS 之间的关系曲线，称为输出特性。 表达式：,区,(1) 开启电压UT 表述： 在一定的漏源电压UDS作用下，使管子由截止变为导通的临界栅源电压uGS ，称为开启电压UT 。 表达式：,(2) 互导gm 表述： 在漏源电压uDS 为某一常数时，漏极电流的微变量iD 和引起这一变化的栅源电压uGS之比值，称为互导gm 。 表达式：,(a)转移特性,4. 主要参数,(3) 饱和漏极电流IDSS 表述：在一定的漏源电压uDS(通常为10V)作用下，当uGS =0 时的漏极电流 ，称为饱和漏极电流IDSS 。 表

6、达式：,(4)直流输入电阻RGS 表述： 在漏源之间短路的条件下，栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻，即为直流输入电阻RGS 。,1. 基本结构 图3.5是N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构示意图。制造时在二氧化硅绝缘层中渗入大量的正离子，在它的作用下，即使uGS =0 时，在两个N型区之间形成原始N型导电沟道。,图3.5 N沟道耗尽型 绝缘栅场效应管 (a)结构示意图 (b) 表示符号,二. N沟道耗尽型绝缘场效应管,2. 工作原理 1) 在uDS 为常数的条件下，当uGS =0 时，漏源极间已导通， iD0 ； 2) 在uDS 为常数， uGS0 时，沟道变宽，iD ； 3) 在uDS 为

7、常数， uGS0 时，沟道变窄，iD； 4) 当uGS 达到一定负值时，沟道被夹断， iD0 ；MOS管截止， UGS值称为夹断电压。,3. 特性曲线 如图3.6所示,图3.6 N沟道耗尽型绝缘栅场效 应管的转移特性和输出特性,(1) 输入端: 由于场效应管是利用场效应原理工作的，不向信号源取用电流，故输入端呈开路状态。 (2) 输出端: 由伏安特性可知,场效应管的微变等效电路见图3.4,三. 场效应管的微变等效电路,输出特性,图3. 4 FET的微变等效电路及高频模型,(a) 低频模型,(c) 高频模型,(b) 低频模型,3.2 场效应管放大电路,一.放大电路的组成 组成： 以N 沟道增强型绝缘栅场效应管组成的分压式偏压电路为例，电路如图3.8所示。,图3.8 分压式场效 应管放大电路,二.静态分析,图3.9 直流通路,根据图3.8 有图3.9所示的直流通路,由图3.9得其分压式场效应管放大电路的交流通路和微变等效电路，如图3.10和图3.11,图3.9 分压式场效应 管放大电路,图3.11 放大