ALTEX_BP_SEP[1].2008.ppt

1、Altex Technology Corp.,2008/09/09,工廠外觀,黃光室現場,SiC, GaN High Brightness: AlGaInp, InGaN Chip probing, Chip sorter Flip chip, White LED package Flip Chip Back Light Module Altex,Substrate,Epiwafer,Chip,Packaged device,Module / System,Product Application,ALTEX business scope,專利技術CSP,CSP vs Wire Bond,Pro

2、cess Flow (Au Pad),Passivation,Redistribution,Grind,UBM,Au Pad,Silver Paste,Ag,Ni/Au,Photo Resister,Solder ball,Flip Chip Design,Flip Chip把GaN LED晶片粒倒接合於散熱基板上，因沒有金線及P電極的阻礙，可提高其發光效率因為使用覆晶技術的電阻會降低，所以熱產生也相對降低。 同時這樣的接合亦能有效降低其熱阻值，可更有效率地將熱轉至下一層的散熱基板，比起一般GaN LED藍寶石(sapphire)基板的低傳導基材有更佳的導熱特性。,傳統與Altex Flip

3、Chip,光,光,主要發光表面與焊墊形成表面屬於同一表面，因此至少30%的光線被阻擋 一片晶圓先切割成單顆晶片，再一顆一顆晶片進行打線封裝，相當於一片晶圓要做4萬次相同的製程 由於第二點的緣故，一條生產線所需的設備數量相當多,主要發光表面與焊墊形成表面不屬於同一表面，因此無任何光線被阻擋 一次製程即完成一片晶圓之所有4萬顆晶片的封裝，再把該晶圓切割成單顆晶片，生產時間因而縮短，且良率亦提升 同樣產量的一條生產線所需的設備數量計約節省至少90%,Altexs LED CSP,Conventional LED Package,Conventional LED and Altex CSP,Compa

4、rison In Luminance Between,Sample 1 Conventional Structure 0603/SMD Wire Bonding,Sample 2 Altexs Structure 0603 CSP Flip Chip,傳統現存的散熱問題,CSP & traditional 差別20oC 金線導電但導熱度還是不足 LED下方是Sapphire基板，導熱性不佳,Diagram of Flip chip,傳 統 LED 封 裝,Altex Flip Chip,Flip Chip LED Over-driver,Flip chip Thermal Stability,

5、Flip Chip 優點,目前LED封裝多數以打線Wire Bond方式為主。 Flip Chip的方式有助於體積縮小 - 應用於高效率、高功率 LED的終極製程。 Flip Chip技術具有導電性佳、提高亮度、散熱快及封裝尺寸縮小等優點，廣泛應用於高效率產品的封裝製程。 Wafer 整片一次性封裝製程，封裝成本比目前傳統 LED 封裝製程的成本降低約30%。 Wafer 整片一次性封裝製程，確保白光Bin集中。,Diagram of Flip chip,Nichia & Siemens Patents for Lead Frame CHIP,ALTEXs Licenced Patents f

6、or FLIP CHIP Technology,Coated with phosphor,No need to be coated with phosphor,塗佈技術與結構,Normal產品隨機的bin分佈範圍,Side bin (20%),Side bin (20%),Altex可控制bin分佈範圍,CIE Coordination,Bin table,Shorten Process,Die bond,Equipments Investment,Output comparison,Output II,Comparison Conclusion,Difference CSP Strengths,Altex Light Bar,29,Altex Finished Products,CSP LED,CSP Epita