L3第三章 逻辑门电路.ppt

1、第三章逻辑语句电路、2，1、分离组件门电路、2、TTL集成逻辑语句电路、4、MOS逻辑语句、3、其他类型TTL语句电路、1、简单逻辑语句电路、实现和、或三种基本运算以外的门电路称为简单语句电路、F、2、复合逻辑语句电路、复合语句是逻辑功能简单逻辑语句的组合，并提高了实际性能。常用的复合句有碑文、碑文、碑文、铭文、易文等。数字电路是二进制逻辑电路。将高低级别表示为“1”、“0”。正逻辑： 1 :表示高层次。0:表示行层。负逻辑：“0”:表示高级别。“1”:表示行级别。开关电路(逻辑电路)中的开关K由二极管或晶体管电路组成。在输入电压Vi的作用下，使二极管或三极管电路通过或关闭。输出电压：如果打开

2、K，则0 K分离，则VCC，通常为正逻辑关系，3.1概述，1，晶体二极管的开关特性，二极管传导时短路二极管关闭时打开，Vi=VCC二极管关闭，Vo=VCC Vi=0二极管传导2，郑秀晶三极管的开关特性，如果三极管关闭，则等于C，E之间开放，B，E之间，B，C之间也开放。1 .二极管和门，菜单，硅二极管，3.3分离原始逻辑门电路，真值表，优点：简单，缺点： ()输出水平偏移()负载电阻的变化影响输出的高平，A，B，菜单，2 3。三极管非图电路，例如：已知RC=1K，R1=3.3K，R2=10K，=2，VCE(sat)=0.1v，输入的高低平面分别为VIH=5V，VI=VIH=V时，三极管关闭，V

3、0=5V时，VI=VIH=5V，满足，晶体管饱和，V0=VCE(sat)=0。因此，电路参数的设计是合理的。、R1、D、R2、F、12V、3V、三极管郑智薰门、二极管门、4、郑智薰门、2、其他，3，各种语句输入，输出级别不匹配。3.4 TTL逻辑门电路、电位内置于2.1V、完全半偏转、1V、1、TTL和碑文的电路结构和工作原理中。结论：在输入部A. B. C中，全部为高平日时，输出端为低电平，B1点电位1V，5V，结论：输入端A。b .如果C中至少有一个是低工作日，则输出为高电平，2，TTL和非文字的电压传输特性和抗干扰能力，1)，电压传输特性，2)，抗干扰能力，3，TTL和非文字的输入输出特

4、性和负载能力，123。TTL和碑文的输入，(2)输出高工作日时的输出特性，4 .负载容量，拉力电流负载：增加会降低碑文的输出和高评，降低电流负载。增加使碑文的输出和评价上升。4、TTL、碑文的动态特性、3.5其他类型的TTL语句电路、1、集电极、应用时输出侧的负载电阻RL、1)、oc语句可以实现“线和”功能。F=F1F2F3，RL，N个OC语句的输出直接并行连接后，收集器负载电阻和电源可以共享。F=F1F2F3？F=F1F2F3？所以：F=F1F2F3！2)、负载电阻RL和电源UCC可以根据需要选择。3.OC语句的应用，(1)实现和非逻辑，(2)水平转换，(3)用作驱动器，输出高电平可以是10

5、v、2、3状态语句，E。用途：E1、E2、E3分时访问高级别，2。双向传输，3.6 MOS逻辑语句，1，NMOS语句电路，0，UDS，ID，b .低级()时管道闭合，输出到高级()非饱和NMOS反射器，负载管道工作非饱和区域，提高电路工作速度，(2) NMOS，例如，a低、b高、门传导，(6) NMOS三态门，E=1:高电阻e=0: f a、F、E TL7400四个输入和郑智薰栅极集成电路T、TTL7420两个4输入和郑智薰栅极集成电路、GND、VCC、NC、7404 6逆变郑智薰栅极、GND、VCC、另一个：逻辑函数实现、函数表示形式和，1)，使用“and not”语句实现逻辑函数，第一步是

6、查找函数最简单的“and or”表达式。第二步将转换为“郑智薰到郑智薰”表达式。第三步绘制与函数表达式相对应的逻辑电路图。解决方案：第一阶段：第二阶段：第三阶段：此电路是第二阶段“郑智薰”电路。如果不限制系列，则可以进一步简化电路。2)，使用“或郑智薰”语句实现逻辑函数，第一步查找函数最简单的“or and”表达式。第二步将转换为“或郑智薰”表达式。第三步绘制与函数表达式相对应的逻辑电路图。解释：第一步：第二步：第三步：3)，使用 and 或 not 语句实现逻辑函数，第一步查找函数最简单的 and or 表达式。第二步，将其转换为and或not表达式。第三步绘制与函数表达式相对应的逻辑电路图。示例：使用“and或郑智薰”语句实现逻辑回路。F(A，B，C，D)=m(1，3，4，5，6，7，12，14)，解释：步骤1 3360，步骤2:第二步是将其转换为