恒压恒流充电器

1、模块性质：非隔离降压恒流、恒压模块（CC CV） 充电模块适用范围：大功率LED恒流驱动,锂电池充电(包括铁电),4V、6V、12V、14V、24V电瓶充电、镍镉镍氢电池（电池组）充电,太阳能电池板,风力发电机输入电压：7-35V如需要更高电压请直接联系我输出电压：（1）连续可调（1.25-30V）（2）固定输出（1.25-30V之间任意选择）,购买时请告诉掌柜。（暂时只针对批量客户，样品全部发可调型）输出电流：额定2A，最大4A (超过15W 请安装散热片)恒流范围：0-3A（可调节）转灯电流：恒流值*（1%100%），转灯电流与恒流值联动，比如恒流值为3A，转灯电流设置为恒流的0.1倍(0

2、.1*3A=0.3A)，当把恒流值调节成2A时候，此时转灯电流为恒流的0.1倍(0.1*2A=0.2A).默认出货时已经调节到 0.1倍最低压差：2V输出功率：自然冷却15W转换效率：92%（最高92%（输出电压越高，效率越高）输出纹波:20M带宽 （仅供参考）输入12V 输出5V 3A 60mV(MAX)工作温度：工业级（-40到 +85）（环境温度超过40度，请降低功率使用，或加强散热）满载温升：45空载电流：典型10mA(12V转4.2V)负载调整率：1%电压调整率：0.5%动态响应速度：5% 200uS电位器调节方向：顺时针（增加），逆时针（减少）指示灯：恒流指示灯红色，充电中指示灯红

3、色，充电完毕指示灯蓝色输出短路保护：有，恒流（当前设置恒流值）输入反接保护：无，请在输入串联二极管。接线方式：焊接，加引脚后可直接焊接在PCB上电池充电 使用方法：1.确定您需要充电电池的 浮充电压和充电电流，模块的输入电压；2.调节恒压电位器使输出电压达到浮充电压；3.用万用表10A电流挡测量输出短路电流，同时调节恒流电位器使输出电流达到预定的充电电流值；4.充电转灯电流默认出货为 0.1倍充电电流（恒流值），如需调整请调节转灯电流电位器；5.接上电池，试充。（1、2、3、4步骤为模块输入接电源，输出空载不接电池。）LED恒流驱动 使用方法：1.确定您需要驱动LED的工作电流和最高工作电压；

4、2.调节恒压电位器使输出电压达到LED最高工作电压；3.用万用表10A电流挡测量输出短路电流，同时调节恒流电位器使输出电流达到预定的LED工作电流；4接上LED，试机。为了方便大家学习，进一步了解锐骏MOS管的应用，我们为大家提供了10种驱动电路供大家选择参考。1. PWM芯片直接驱动MOSFET2. 开通和关断速度分开控制的MOSFET驱动电路3. 带图腾柱扩流的MOSFET驱动电路4. 使用TL494,SG3524内部的输出电路采用的单端集电极和射极开路的驱动电路5. 使用光耦隔离的驱动电路6. 使用光耦隔离的带负压关断驱动电路：7. 采用专用驱动光耦驱动的隔离驱动电路：8. 电动车控制器

5、驱动电路9. P管驱动电路：10. 多管并联驱动电路：MOSFET作为一种新型的功率器件，具有开关速度快，内阻低损耗小等优点，但是如果使用不当也容易损坏。MOSFET损坏的原因主要有过压，过流，短路，静电，过热，机械损坏等。一过压：MOSFET的过压主要分为栅源极过压和漏源极过压。1. 栅源极过压：MOSFET的栅源极之间允许的电压（VGSS）都有一个限制，业界的一般是20V,锐骏半导体大部分MOS管的栅源极耐压是25V,意味着MOSFET的栅源极之间超过这个电压，MOSFET就有可能击穿损坏。为了防止栅源极过压，我们可以采取如下措施：1）.采用12-15V稳定的电压给MOSFET驱动芯片供电

6、；2）.对于无法采用12-15V稳定的电压给MOSFET驱动芯片供电的情况下需要在栅源极之间并联15V的稳压管。2. 漏源极过压MOSFET的漏源极之间允许的电压（BVDSS）都有一个限制，意味着MOSFET的漏源极之间超过这个电压，MOSFET就有可能击穿损坏。因此在选型的时候我们需要根据电路的电压输入范围和拓扑结构来选择MOSFET并留有一定的余量。当然，由于分布参数和变压器漏感的影响，在MOSFET的某个工作瞬间往往会瞬间过压，虽然MOSFET具有抗击这种瞬间过压不被损坏的能力，但也不能超过一定的限度，为了电路的安全，我们还是要做好保护措，一般以下几3种：1）.采用瞬态二极管的尖峰抑制电

7、路：2）.采用RC吸收回路：3）.采用RCD吸收回路：二 过流MOSFET能承受的的电流和芯片，时间，结温和电流都有关系，例如锐骏半导体的RU190N08R,芯片在25度时允许通过的电流为ID=190A, 在100度许通过的电流为ID=140A,但是这个只是芯片能承受的电流，当然还受封装的限制，对于TO-220封装来说，只允许通过75A的电流。如果是瞬间呢，在25度时，在300微秒（没有超过安全区域）的脉冲宽度可以通过700A的IDP(峰值电流)。在设计选型时我们要根据的上述电流参数选择合适的MOSFET并留有一定的余量，MOSFET过流一般都是由于过流后引起结温过高而损坏，或者是超过了安全区

8、域导致耗散功率过大损坏。常规的过流保护电路有：1）.采用源极串联电流取样电阻的过流保护电路:由图中可以看出，U1的电流比较基准是1V,只要R3两端的压降超过了1V,U1就关断PWM停止输出，从而保护了MOSFET.2）.采用电流互感器取样的过流保护电路:互感器取样的特点是能过很大的电流而损耗小，但体积比较大。三短路短路也可以理解为严重的过流，以锐骏半导体的RU190N08为例，我们来看下MOS管的安全区域：从曲线上可以看出，当VDS=13V时，300A的电流只有1MS的时间耐量。还有规格书上标明了300US的耐电流是700A,这些都是我们设计短路保护的重要依据。比如我们设计一个24V的系统采用

9、的就是单颗这个型号的MOSFET，经过计算和测量MOSFET回路（包含供电电源的内阻）是20 m，如果不限制短路电流的话，那么短路电流将达到24/20 m=1200A,这个电流有可能使MOSFET在很短的时间内烧毁。所以我们需要快速地检测MOSFET的电流比如达到300A,快速（几十到几百微妙）地关断它。从而保护了MOSFET的安全。一种典型的过流短路保护电路如下图：四. 静电MOSFET由于输入阻抗极高，属于容性负载，因而对静电非常敏感，当输入电容感应静电到一定电压时就有可能损坏。防静电的一般措施有：1）.包装,采用防静电袋，管脚套短路环；2）.储存环境的湿度控制，保持相对比较高的湿度可以防

10、静电；3）.接地,所有接触MOSFET的设备都要有妥善的接地措施；4）.电路加入防静电措施，如栅极并联稳压管；5）.操作人员的防静电，如穿防静电服，带静电环等。五. 过热 当MOSFET超过允许的结温时很容易缩短使用寿命，甚至很快烧毁，所以在选型时需要预留值比较大，并设计过热保护电路。 一般的过热保护电路由热敏电阻做温度检测，如PTC,超过一定温度，PTC的电阻会上升很多，如果在PTC上通过一个电流，其两端的电压也会上升很多，我们可以用比较器设定一个基准电平，超过这个基准电平，比较器就会发出一个高或地电平关断MOSFET,这就是典型的温度保护的原理，其典型的电路如下：六 机械损坏由于芯片和管壳

11、的弹性系数不同，虽然在管壳螺丝孔和芯片之间加了机械应力缓冲措施，当它们封装成一个整体后，还是不能超过一定的机械应力，比如对于TO-220封装在打螺丝时，（电动）螺丝刀的扭力不应超过6KG.在大功率产品的实际应用中，单颗MOS管往往达不到需要的电流，此时我们需要把多颗MOS管并联起来应用，这样很大的电流由多颗MOS管来分担，单颗MOS管承担的电流就比较小了，确保了器件安全稳定地工作。但是如果应用不当，也会使多颗并联的MOS管电流不均衡，甚至损坏某颗MOS管使系统崩溃。1. MOS管并联的可行性分析由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过

12、程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热比较严重，内阻会升高比较多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。2. MOS管的并联电路理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。并联的一般电路图如下上图中，R1-4为栅极驱动电阻，每个MOS管都由独立的栅极驱动电阻隔离驱动，主要是可以防止各个MOS管的寄生振荡，起到阻尼的作用。R1-4的取值怎么取呢？如果取值过小，可能就起不到防止各个MOS管的寄生

13、振荡的作用，如果取值大了，开关速度会变慢，由于每个MOS管的结电容会有细微的不同，结果取值过大还会导致各个MOS管的导通速度相差比较大，所以R1-4在能够防止各个MOS管的寄生振荡的情况下尽量小到可以满足开关速度。关于R5-R8的栅极下拉电阻，主要作用是在驱动IC损坏开路的情况下可以防止MOS管的误导通。在某些特殊的应用场合下，比如对待机电流有限制的电池保护板，这个电阻往往取值很大甚至没有，这样栅极的阻抗会比较高，极易感应比较高的静电损坏MOS管的栅极。这种应用最好在栅源极之间并联一个15V左右的稳压管。3. MOS管的并联对布线的要求大家知道，多个MOS管并联，漏极和源极的走线都需要通过多个MOS管的总