Y5V COG,X7R,Y5V,X5R,NPO区别

1、Y5V COG,X7R,Y5V,X5R,NPO 区别 Y5V COG,X7R,Y5V,X5R,NPO 区别 【电容的类别电容的类别】 这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的 MLCC 按温度稳定性分 成三类：超稳定级（工类）的介质材料为 COG 或 NPO；稳定级（II 类）的介质材 料为 X7R；能用级（）的介质材料 Y5V。 X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55到+125时其 容量变化为 15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化 而变化，大约每 10 年变化 1%C，表现为

2、10 年变化了约 5%。 X7R 电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化 是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 COG,X7R,X5R,Y5V 均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次 递减的，不同材质的频率特性也是不同的。 NPO、X7R、Z5U 和 Y5V 的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下 由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损 耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不 同来选用不同的电容器。 一 NPO 电容器 一 NPO 电容器 NPO 是一种最

3、常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是 由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO 电容器是电容量和介质损耗最稳定 的电容器之一。在温度从-55到+125时容量变化为 030ppm/，电容量随 频率的变化小于0.3C。NPO 电容的漂移或滞后小于0.05%， NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容 COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大 减小 LCD 模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的 LCD，如： 手机，PDA 等便携式产品，这种安装方式，在 IC 生产商的推动下，将会是今后 IC 与 LCD 的主要

4、连接方式。 相对大于2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。 其典型的容量相对使用寿命的 变化小于0.1%。NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的 特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了 NPO 电容 器可选取的容量范围。 NPO 电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二 X7R 电容器 二 X7R 电容器 X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55到+125时其容量 变化为 15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变 化，大

5、约每 10 年变化 1%C，表现为 10 年变化了约 5%。 X7R 电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可 以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表 给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。 三 Z5U 电容器 三 Z5U 电容器 Z5U 电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范 围，对于 Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷 单片电 容起来说在相同的体积下 Z5U 电容器有最大的电容量。 但它的电容量受环境和工 作条件影响较大，它的老化率最大可达每 10 年下降 5%。 尽管它的容量不稳

6、定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电 阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路 的应用中。下表给出了 Z5U 电容器的取值范围。 Z5U 电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 +10 - +85 温度特性 +22% - -56% 介质损耗 最大 4% 四 Y5V 电容器 四 Y5V 电容器 Y5V 电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30到 85范围内其容量 变化可达+22%到-82%。 Y5V 的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达 4.7F 电容器。 Y5V 电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30 - +85 温度

7、特性 +22% -82% 介质损耗 最大 5% 五，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容。 五，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容。 COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大减小 LCD 模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的 LCD，如：手机， PDA 等便携式产品， 这种安装方式， 在 IC 生产商的推动下， 将会是今后 IC 与 LCD 的主要连接方式。 X7R 与 X5R 材质的温度系数不同。X5R 材质所能做出来的电容容值会更高一些， 与 X7R 同样容值电压的电容相比，X5R 的价格也要便宜一

8、些。NPO（C0G）具有温 度补偿特性，精度能做到 5%，但是不能做到太高的容值。 X 是最低温度-55 度 7 是最高承受温度 125 度 R 是使用温度内容值变化的范围 +-15% 同理 X5R 只是最高温度为 85 度 和是的代码，表示不同的温度特性，温度变化率相同，都是 ，只是上限工作温度是度，上限是度，从材料上 来说，比较接近，都是作为主烧块的陶瓷材料，的值大点，可以做 更大的容量，一般大容量的都是，不能用做 电容参数 X5R，X7R，Y5V，COG 等代表什么意思呢电容参数 X5R，X7R，Y5V，COG 等代表什么意思呢？ 这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差

9、等参数，不同的 值也对应着一定的电容容量的范围。具体来说，就是： X7R 常用于容量为 3300pF0.33uF 的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合， 电介质常数比较大，当温度从 0C 变化为 70C 时，电容容量的变化为15%； Y5P 与 Y5V 常用于容量为 150pF2nF 的电容，温度范围比较宽，随着温度变化， 电容容量变化范围为10%或者+22%/-82%。 对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考下面的编码原则。例如，X5R 的意思就是该电容的正常工作温度为-55C+85C，对应的电容容量变化为 15%。 电容的温度与容量误差编码 低温：X: -55 C ，Y: -30

10、C，Z: +10 C， 高温： 4: +65 C，5: +85 C，6: +105 C，7: +125 C，8: +150 C， 9: +200 C， 容量变化： A: 1.0%， B: 1.5%， C: 2.2%， D: 3.3%， E: 4.7%， F: 7.5%， P: 10%， R: 15%，S: 22%，T: +22% -33%，U: +22% -56%， V: +22% -82% 在我们选择无极性电容式， 不知道大家是否有注意到电容的 X5R， X7R， Y5V， COG 等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文 献，现在翻译出来奉献给大家。 这类参数描述

11、了电容采用的电介质材料类别， 温度特性以及误差等参数， 不同的值也对应着一定的电容容量的范围。 具体来说， 就是： X7R 常用于容量为 3300pF0.33uF 的电容，这类电容适用于滤波，耦合 等场合，电介质常数比较大，当温度从 0C 变化为 70C 时，电容容量的变化 为15%； Y5P 与 Y5V 常用于容量为 150pF2nF 的电容，温度范围比较宽，随着 温度变化，电容容量变化范围为10%或者+22%/-82%。对于其他的编码与温度特 性的关系，大家可以参考表 4-1。例如，X5R 的意思就是该电容的正常工作温度 为-55C+85C，对应的电容容量变化为15%。表 4-1 电容的温

12、度与容量误 差编码 下面我们仅就常用的 NPO、X7R、Z5U 和 Y5V 来介绍一下它们的性能和 应用 以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不 同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是 AVX 公司的命名方 法，其他公 司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U 和 Y5V 的主要 区别是它们的填充介质不同。 在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器 的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在 使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一 NPO 电 容器 NPO 是一种最常用的具有温度补

13、偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质 是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO 电容器是电容量和介质损耗最稳 定的电容器之一。在温度从-55到+125时容量变化为 030ppm/，电容量 随频率的变化小于0.3C。NPO 电容的漂移或滞后小于0.05%， 相对大于 2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。 其典型的容量相对使用寿命的变化小于 0.1%。NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不 同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了 NPO 电容器可选取 的容量范围。 NPO 电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路 中的耦合电容。 二 X7

14、R 电容器 X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当 温度在-55到+125时其容量变化为 15%，需要注意的是此时电容器容量变化 是非线性的。 X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随 时间的变化而变化，大约每 10 年变化 1%C，表现为 10 年变化了约 5%。 X7R 电容器主要应用于要求不高的工业应用， 而且当电压变化时其容量变化是可以接 受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出 了 X7R 电容器可选取的容量范围。 三 Z5U 电容器 Z5U 电容器称为”通用”陶瓷 单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于 Z5U

15、电容器主要的是它 的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷 单片电容起来说在相同的体积下 Z5U 电 容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最 大可达每 10 年下降 5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电 感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范 围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了 Z5U 电容器的取值范围。 Z5U 电 容器的其他技术指标如下:工作温度范围 +10 - +85 温度特性 +22% - -56% 介质损耗 最大 4% 四 Y5V 电容器 Y5V 电容器是一种有一定温度限制的通 用电容器，在-30

16、到 85范围内其容量变化可达+22%到-82%。 Y5V 的高介电常 数允许在较小的物理尺寸下制造出高达 4.7F 电容器。 Y5V 电容器的取值范围 如下表所示 Y5V 电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30 - +85 温度特性 +22% - -82% 介质损耗 最大 5% 贴片电容器命名方法可到 AVX 网 站上找到。 NPO,X7R 及 Y5V 电容的特性及主要用途 NPO 的特性及主要用途 属 1 类陶瓷介质，电气性能稳定，基本上不随时间、温度、电压变化，适用于高 可靠、高稳定的高额、特高频场合。 特性： 电容范围 1pF0.1uF (10.2V rms 1MHz) 环境温度

17、： -55+125 组别：CG 温度特性： 030ppm/ 损耗角正切值： 15x10-4 绝缘电阻： 10G 抗电强度：2.5 倍额定电压 5 秒 浪涌电流：50 毫安 X7R 的特性及主要用途 属 2 类陶瓷介质，电气性能较稳定，随时间、温度、电压的变化，其特性变化不 明显，适用于要求较高的耦合、旁路、源波电路以及 10 兆周以下的频率场合。 特性： 电容范围 300pF3.3uF (1.00.2V rms 1KHz) 环境温度： -55+125 组别：2X1 温度特性： 15% 损耗角正切值： 100Volts: 2.5% max 50Volts: 2.5% max 25Volts: 3.0% max 16Volts: 3.5% max 10Volts: 5.0% max 绝缘电阻： 4G 或 100S/C (单位：M) 抗电强度：2.5 倍额定