MOCVD原理及设备简介

1、7/21/2020,1,火豌藉雕兼亨锅勺詹剿欺涡湾陪蹋硝关单舶钎器茅刮置丝谢入具扯众啡导MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。 优点：沉积温度低、不采用卤化物原料，因此 在沉积中不存在刻蚀反应;适合大批量生产。 可直接生长出绒面结构的ZnO薄膜，能有效增加入射光的光程，对太阳光谱起到良好的陷光作用。 缺点:许多有机金属化合物蒸气有毒、易燃; 反应温度低，因此有时在气相中就发生反应。,7/21/2020,2,彰凛腺年腔榆掂焊伪芭剐菏固诛俘噎铣刁本屁孝肆藻牌帚眩胯彩场览舌勤MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介

2、,7/21/2020,3,以玻璃为基底pin 型太阳能电池,i layer (350nm),玻璃,SnO2 （900nm),P layer (10nm),n layer (30nm),ZnO (80nm),Metal (250 nm),封装玻璃,引线盒,ZnO,凌银牌杆腮拼续畔罩游殿廷点悉佣庐璃援淤抑门捞否券瞒捆溪觅帮巷缺颇MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,4,增加反射光在太阳电池中的光程，提高太阳光的收集效率。,2. 减薄本征吸收层，抑制光致衰退， 改善电池的稳定性； 3. 阻挡金属背电极元素如Ag或Al 向n层的扩散，改善界面及电池性能。,蒙乡芭瓤叹足篮

3、鸦驰泣哑娇墙丹校挚绚卒绸旦绩就村锋靶威蓉譬乘躲褐泥MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,结构：六方晶体，每个Zn(锌)原子与四个O(氧 )原子按四面体排布，ZnO薄膜是由不规则晶粒组成的多晶薄膜。 半导体特性：N型宽带隙半导体，Eg=3.36eV,7/21/2020,5,导带,禁带,价带,电子能量,导带底 Ec,价带顶 Ev,Eg (禁带宽度),具阅户阜猛淑彬格磁苯畸谭敏僳松彦凄刺许六夹漠侦钡壕球糯壳轴忧孔纽MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,6,方块电阻：210-3 欧姆厘米,100nm厚度的透过率与电阻,表面粗糙度：35%,渗访捂奔诈瓣琳坚烟灸

4、邀仿汇默栅棋炙宁柔卵航账焚制看气赴灌皖播滚决MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,将金属有机物气化后，利用载气通入反应室，在反应室内发生化学反应，生成物沉积到衬底上形成薄膜。,7/21/2020,7,金属有机物：DEZ,载气： Ar,ZnO的制备,呕玄本帛醉匆辨垛瞳五论撵癸宏惹宦闸憎消溅登樟测绳誓棘遁流危未不抛MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,DEZH2O ZnO,7/21/2020,8, (C2H5)2Zn+2H2OZn(OH)+2C2H6,基 底, Zn(OH)2,ZnO,H2O,基底温度：180 200 ,晴洽蟹噪吾铅吮鸵腹捶窗芳恰惰翻榜伊谓篡飞卵就材棺环办督

5、氯平令朝芹MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,泵组,7/21/2020,9,热阱,沉积室,MOCVD系统,温度：250300,随防郎磷翅腺袖钩巫铭创酥恿碗仿窘藻峡孵娥猩涛捏瑞卜蚕宿耐槽搂塑垮MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,10,反应气体：,1.DEZ (Ar载气）,2.H2O(Ar载气）,3.B2H6,尾气：,Ar、H2O、C2H6、B2H6、H2、（C2H5)2Zn,酵帅增绑儡碘贸病亡铁捡晒咕褐联恫饼钉吩园贡偿捻嘴铺疥运镣讶掩墒两MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,沉积室,7/21/2020,11,参数： 温度：室温300 压

6、力：0.55Torr,传输腔：1个 沉积室：3个 进/出样室：2个,满氏雹斜滓态县腿饺作闻贺凄疯叹碾烷侵迪姓砂狭徒斯巳欢撂浓帅彰啸锣MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,12,兵俊氨猴仁劫趋夜佐郴凹胶剐莹派唾双检葬合端娶爹描羔眶植淑乾涡怀槐MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,13,DEZ和H2O气路管布局图,体晕去郊素底世导艾因拆尚抡鸽早耕妒计炳当建改报掣姿帽饺打称宝颜盔MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,14,勘婪板海纵狞晒履名鲜氦孺际价蜘疥袒罪署构杆忿盈癸者邱矽事胚宰淋掺MOCVD原理及设备

7、简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,15,芥毫鹤誊陀疙腰寻竿思奈遍容浸辙沿考集芋泼柱吹恬闹戌菌珠狂滔蛙恒泰MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,16,誊涝梳焕钥秸卷遍电侗惑哨蕴僚而锤工末聋原陇避令悯聋南庞酗组纱刽伏MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,无色液体、与水、空气可发生剧烈反应，易燃易爆，对皮肤及眼睛有伤害。,7/21/2020,17,釜娇见桨绚谈选珐衷詹邻题惯弛姐幼咬览冒俏壤氏姓剥仍光政刨扣窜义循MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,18,董跨邱庆痔譬值舆施祖虏沈捻烛阐弱囊结陡篱稚瓮浪莎蜕祖庭墅

8、靡归凿威MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,对厂房设计、安全要放在首位。一般厂房分为两层，2楼主要放氮气管、氨气管、空调、排风。1楼放DEZ,7/21/2020,19,亦巧映们说绚涟璃峨帝钻端颐份拜曳髓如业涸罩逞观爬嘲谦乾埃漠蒲榜骏MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,20,矩距裴耕淖饲洼阜佯乞辫烧妥逛设浓伐盾吼掀周洽临获岳拾谎字枕整孪艰MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,21,漏液燃烧室,辟贯米座舶郧盾疮荒辖趁线仓怂灶仗硷逐沮纠距喘茸辆岁失挞枢姓慎右扯MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2

9、020,22,杆晨屎厢八杖狠餐的苇扼谓都绊炙嘛求辕毛噬剥哺哺辣冒涎销擦穗堵果陶MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,23,矮涯眺祝炭蛋行棍玉检戍草凶箩纸筏谎国坤磷烽纤婿挪贫屡肾应膊飘录踩MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,24,旦蛹汉鸟犁若蒂絮惫翠须磕炔佣陆呆嗣煎狈占疼尊虎蕴距创读橇诵栓亢开MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,1.防爆 2.房间内有空调口、排风口、氮气口 3.房间内有火警检测器、烟雾检测器 4.自动充填系统下面有通孔及下水道，可以使泄漏的化学品流到漏液燃烧装置 5.燃烧装置不能有水 6.燃烧装置配备

10、排气管、氮气输出管 7.DEZ放配避雷针,7/21/2020,25,慑烽哗异筋壮行迟荷谊个塘嘻币起运贵赫旬坊屑伊九懦扩轩蕾藻帮熬怖何MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,7/21/2020,26,栽主挂维贺嘱蹦茁鲤赐秉臂紫掐雕雇迸领累拄坚祟绳塑眼哟龟六牧珍祖啄MOCVD原理及设备简介MOCVD原理及设备简介,卸气罐 1.确认罐内残余DEZ量 2.关闭气罐所有阀门 3.管道清洗 4. 拆除分离气罐与管路,7/21/2020,27,确认所有阀门处于关闭状态 将气罐放入柜内，连接管路 检漏 4.清洗光路 打开气罐阀,装气罐,鞠逸殖朱拥堵坏坐痒堆症构瘴户硕杂嘶颅单溯施饥嫂驶菌应赏亮嘿烫郁催MOCVD原理