二极管击穿理解的误区_第1页
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二极管击穿理解的误区_第3页
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文档简介

1、其实初学者对于二极管破坏的问题有时有误解，但我经历过这样的情况。 特别是，如果观察二极管破坏电压有可能为1000V以上，则硅二极管的正向导通电压降约为0.60.8V，锗二极管的正向导通电压降约为0.20.3V，可能产生为什么该破坏电压为1000V的疑问关于这个问题，先了解一下二极管的特性吧1 .二极管的正向性当施加顺向电压时，在正向特性的开始部分顺向电压较小，不一盏茶克服PN结电容内的电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，将该段称为死区。 无法使该二极管导通的顺向电压称为死区电压。 当顺向电压大于死区电压时，PN结电容内的电场被克服，二极管正向导通，随着电压变大，电流急速上升。 在正常使用的电流范

2、围内，导通时的二极管的路端电压几乎不变化，但该电压称为二极管的顺向电压。 当二极管两端的顺向电压超过一定值时，内部电场立即减弱，电流急速增加，二极管正向导通。 称为男同性恋吨电压或门限电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。 硅二极管的正向导通电压降约为0.60.8V，锗二极管的正向导通电压降约为0.20.3V。2 .二极管的逆向性施加的反电动势电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是由少数载流子的漂移运动产生的反电流。 由于反向电流小，所以二极管处于关断状态。 该反向电流也称为反向饱和电流或漏电电流，二极管的反向饱和电流受温度的影响很大。 一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的回声饱

3、和电流为nA级，小功率锗管为A级。 温度上升时，半导体被热激发，少数载流子的数量增加，与此相伴逆饱和电流也增加。分类法反电动势超过某个值时，反电流急剧增大的现象称为电击穿。 引起触电沉积的临界电压称为二极管反向耐压。 电击穿时二极管失去单向式导电性。 如果因电击而使二极管不过热，则单向式导电性不一定永久破坏，即使取下施加电压，性能也恢复，否则二极管被破坏。 因此，使用时请注意不要对二极管施加过高的反电动势。二极管是一种具有单向式导电的二端双老虎钳，分为电子二极管和晶体二极管两部分，电子二极管是丝状体的热损失，效率比晶体二极管低，因此现在不常见。 比较常见，常用的是水晶二极管。 二极管的单向式导电特性，几乎在所有的电子电路中，都使用着半导体二极管，它在很多电路中起着重要的作用，它是最早诞生的半导体de老虎钳之一，其应用也非常广泛。二极管的管电压降：硅二极管(非发光型)正向管电压降0.7V、锗管正向管电压降0.3V、发光二极管正向管电压降因发光颜色而异。 主要有三种颜色，具体电压降参考值为：红色发光二极管的电压降为2.0-2.2V，黄色发光二极管的电压降为1.82.0V，绿色发光二极管的电压降为3.03.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。仔细想想，我们很难从二极管的反向性得出结论。 我们通常所说的二极管

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