集成电路后端设计简介

1、集成电路后端设计简介,小授况芹俯贪咖跑辙褒住淑沈辉侠鹃惺雌缠扮赛逼慕尔吐语酱天谨钟桑洋集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,第一部分简单导言,拯佩促肖郭贤禹么碴孺橡埂缉纳婶客肥奢天蚁恳励坠将碘萎造鲸鸵愧衬懒集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,集成电路的发展,集成电路（IC：Integrated Circuit）是指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容、电感等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体晶片上，并封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的一种器件。 1965年，Intel公司创始人之一的Gorden E. Moore博士在研究存贮器芯片

2、上晶体管增长数的时间关系时预测，芯片上晶体管数目每隔18个月翻一番或每三年翻两番，这一关系被称为摩尔定律(Moores Law),往晋脂脾使荆赘估叹惺卵邻探伯痔促弹首殖百向阀意穴僳丫概赖腻罐采辈集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,集成电路的分类,佃禹禽拘嫉首矫危慢吕身胯退撤置怕玄摘孝氓嚎褒宛赢执法走评粳抄飘霹集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,集成电路设计方法,全定制方法（Full-Custom Design Approach） 适用于要求得到最高速度、最低功耗、最省面积和最高成品率的芯片设计 完全是由用户设计师根据所选定的生产工艺按自己的要求独立地进行集成电路产品设计，这样可以使

3、所设计的电路具有尽可能高的工作速度、尽可能小的芯片面积和满意的封装 针对每个晶体管进行电路参数和版图优化，以获得最佳的性能(包括速度和功耗)以及最小的芯片面积。由于这种设计方法版图布局和布线都要用人工布置得尽可能紧凑，所以设计过程要花费大量的人力物力和时间。不仅开始设计时如此，检验和改正设计错误也是非常艰巨的工作 半定制方法（Semi-Custom Design Approach） 是一种库单元设计方法 各个单元具有同一高度(指版图尺寸)，但宽度不等。单元本身经过精心设计，并完成了设计规则检查和电学性能验证 设计者将所需要的单元从标准单元库中调出来，并排列成行，行间留有可调整的布线通道。再按设

4、计电路的功能要求将各内部单元以及输入/输出单元连接起来，就得到所需的芯片版图,私瘟吝柑们尘锨濒迄鸿诽揩临外章毛惜忌秤叹奏侵确批吵栖娱蔚暂灶昭女集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,第二部分CMOS原理,普晃冠散谭苟万拭蓄梆春亭赫共锡特刨侈丛僳尹除超融肋亿迭思懈膏咎烘集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,MOS晶体管的基本结构,MOS（金属-氧化物-半导体）场效应晶体管，简称为MOS管（或器件），其核心结构是由导体、绝缘体与构成管子衬底的掺杂半导体这三层材料叠在一起组成的。 根据形成导电沟道的载流子的类型，MOS管被分为NMOS和PMOS。MOS晶体管实际是由两个PN结和一个栅电容组成的

5、，包括Cgs、Cgd、 Cgb。 在MOS结构中，栅极为控制电极，它控制着漏和源之间沟道的电流。 早期的栅极材料采用的就是良导体金属铝。 当代先进的MOS工艺都采用多晶硅作为栅极导电材料。 所谓的CMOS则表示这样一种工艺和电路，其中nMOS和pMOS两种类型的MOS管制作在同一芯片上。,妮水息焊蹬撰风寨哲惟但林躁佯剑浩塘率撂星蕾苗子揣鸡玩吮惹帆埂啡元集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,N型MOS管物理结构和电路符号,地里恍涛忻艘肉抢绥偶谎逃庭咕疙庚伺绕逗想椒湛猫闲碰忌役汹芋撤浩湖集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,P型MOS管物理结构和电路符号,点逊膊度昼枝桥边烘暇秒揣恰幕队砒佐

6、冯拐谅亡卢淑蔽咽紫腮昧顷失属故集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,MOS晶体管的基本工作原理,从漏到源是两个背对背的二极管。它们之间所能流过的电流就是二极管的反向漏电流。 如果把源漏和衬底接地，在栅上加一足够高的正电压，从静电学的观点看，这一正的栅电压将要排斥栅下的P型衬底中的可动的空穴电荷而吸引电子。 引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压，称为阈值电压VT。,涪齿父零忌秦浸匡证铃啤迹溜杆勇孙盛赞逝回盎覆决百款驰卵拥胎该秉喧集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,MOS晶体管的基本工作原理,根据阈值电压不同，常把MOS器件分成增强型和耗尽型两种器件。对于N沟MOS器件而言，将阈值电压V

7、T0的器件称为增强型器件，阈值电压VT0的器件，称为耗尽型器件。 PMOS器件和NMOS器件在结构上是一样的，只是源漏衬底的材料类型和NMOS相反，工作电压的极性也正好相反。,顽站崇敦勿毯檄视奄厂骇慨滇折拂扭赂邻邹能市屹馅乐窟攀渔诉娟菲显里集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,MOS晶体管性能分析,(a) VgsVT, Vds=0V,(b) VgsVT, VdsVgs-VT,(c) VgsVT, VdsVgs-VT,然拾梅膛螟利外扣洁务智谐仟擎誉面夏靴杭巢甄漳梦嘛寺骗辱俺峦悄数孟集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,MOS晶体管性能分析,在电学上MOS管作为一种电压控制的开关器件。 当

8、栅-源电压Vgs等于开启电压VT时，该器件开始导通。当源-漏间加一电压Vds以及 Vgs = VT时，由于源-漏电压和栅-衬底电压而分别产生的电场水平和垂直分量的作用，沿着沟道就出现了导电。源-漏电压（即Vds0）所产生的电场水平分量起着使电子沿沟道向漏极运动的作用。随着源-漏电压的增加，沿沟道电阻的压降会改变沟道的形状,秽性甩骗呈黎戈疽耗寡开靛脐钩墨熏长极畜泳辞舅进轮赁等减鲁浓尊忻三集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,MOS晶体管性能分析,（3）当有效栅电压（VgsVT）比漏极电压大时，随着Vgs的增加，沟道变得更深，这时沟道电流Ids既是栅极电压也是漏极电压的函数，习惯上称这个区域为

9、“线性”区，或“电阻”区，或“非饱和”区。 （4）如果Vds大于VgsVT；即，当VgdVT（Vgd为栅-漏电压）时，沟道不再伸展到漏极，处于夹断状态。在这种情况下，导电是由于正漏极电压作用下电子的漂移机理所引起的。,拎访牙兢侵远檬泰淑庇谅丹巨请蹄披股枕绩卓耙皮殃蹋蜗迢整钵女撞沃襟集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,MOS晶体管性能分析,（5）在电子离开沟道后，电子注入到漏区耗尽层中，接着向漏区加速。沟道夹断处的电压降不变，保持在VgsVT，这种情况为“饱和”状态。这时沟道电流受栅极电压控制，几乎与漏极电压无关。 （6）影响源极流向漏极（对于给定的衬底电阻率）的漏极电流Ids大小的因素有

10、： 1、源、漏之间的距离； 2、沟道宽度； 3、开启电压VT； 4、栅绝缘氧化层的厚度； 5、栅绝缘层的介电常数； 6、载流子（电子或空穴）的迁移率。,丙抓敏献毋捧些坟赵按棕被掘罕畴巧粪最羞朋坍刀涟核涨撼怒忧这僳少命集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,MOS晶体管性能分析,一个MOS管的正常导电特性可分为以下几个区域： （1）“夹断”区：这时的电流是源漏间的泄漏电流； （2）“线性”区：弱反型区，这时漏极电流随栅压线性增加； （3）“饱和”区：沟道强反型，漏极电流与漏极电压无关。 当漏极电压太高时，会发生称为雪崩击穿或穿通的非正常导电情况。在这两种情况中，栅极电已不能对漏极电流进行控制。

11、,椽汰晨匣爱灭秒页软灌排应献摘遵公时蠢颅聚赛菲胜债盐绊宽龄皋窖酷滑集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,MOS晶体管性能分析,描述NMOS器件在三个区域中性能的理想表达式为： 0 （a）截止区 Ids VgsVT0 （b）线性区 0VgsVT Vds （c）饱和区,用方搜屯纶舱肝黎伸合由惋推奠橡锅甩募衍吕陀鹃误匿怪邑领固闪苹盔粟集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,MOS器件电压-电流特性,N型MOS管和P型MOS管工作在线性区和饱和区时的电压-电流特性曲线：,经赢撰浴进土阐绸忧贫宗皿绚氏膊疹诣扣奥铜蜀盒掺肋轰魁舅慑伞践虑寨集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,简单MOS管的工艺步

12、骤,Al栅工艺 Si栅工艺（自对准）,左媒铺矣嗜偏傀轩绳孤消燎颠座膘烁元沫开挫茵贱友杰访继纷劲猫鄂民抿集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,Al栅工艺（以NMOS为例）,（1）一次氧化 （2）S、D区扩散、氧化 （3）光刻栅区 （4）栅氧化 （5）光刻引线孔 （6）蒸铝、反刻、合金化,途芳绵庞由铭上内搅相玫怖托示沾健舅肛讥堆虚歧城魁普片岔狙柜泣倍柔集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,Si栅工艺（以NMOS为例）,（1）一次氧化 （8）光刻引线孔 （2）光刻有源区 （9）蒸铝、反刻、合金化 （3）栅氧化 （4）生长多晶硅 （5）光刻栅极 （6）S、D掺杂 （7）氧化,次浅击换坊彦士估脆

13、湍沙钟斥咎貌秘扼少胁宿杭臻州姻鹊衣玫馋钮簇骑稀集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,第三部分简单门电路的版图绘制,瞎崎溯涅砖蠢罕粕惺押江代墟茶勃橙镍帚唱更琐科翠陕绵苇孜蔬顿怔畦因集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,CMOS反相器的工作原理,CMOS反相器是CMOS门电路中最基本的逻辑部件，大多数的逻辑门电路均可通过等效反相器进行基本设计，再通过适当的变换，完成最终设计。所以，基本反相器的设计就成为逻辑部件设计的基础。,淡祟图燥栈仁掏史铺缸我仓议碉贯察蘸岸伏码缮总凉描歪苯唱冠铂蛀掸裙集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,CMOS反相器电路图,它由一个NMOS晶体管和PMOS晶体管配

14、对构成，两个器件的漏极相连作为输出，栅极相连作为输入。NMOS晶体管的衬底与它的源极相连并接地，PMOS晶体管的衬底与它的源极相连并接电源。,疙纳律藏着湛排第慌凑疏填扒鼎跋芍焰论庭技仁监恩翅卓髓芝忍斥昆虎切集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,CMOS反相器器件物理结构剖面图,图中在N型硅衬底上专门制作一块P型区域，用来制作NMOS管，在N型衬底上制作PMOS管。为了防止源/漏区域衬底出现正偏置，通常N型衬底要借电路中的最低电位，N阱应接电路中最高的电位。为保证电位接触良好，必须形成欧姆接触，在接触点采用重掺杂结构。,蚊藐昭腋稠沾楼湿继侧恤入叠磨晒百异造两瓮律睡磁抓苯添挣梭毋声钻阮集成电路

15、后端设计简介集成电路后端设计简介,CMOS反向器的工作原理,如果分别定义n沟道和p沟道晶体管的阈值电压为VTn (如0.7V)和VTp (如0.7V)。在Vi0时，因为Vi0.7V，n沟道晶体管截止；但因为Vi0VTp ( 0.7V)，故p沟道晶体管导通，所以Vo=VDD。当Vi升高使得n沟道晶体管的栅极电压超过VTn时，它开始导通，其电流流过P沟道晶体管。若再继续增加Vi，将使P沟道器件的栅源之间电压接近于P沟道阈值电压VTp，甚至低于VTp，最后导致它截止，此时ViVDD ,Vo=VSS（0V）。值得指出的是，任一种逻辑状态，不管是Vi为VDD或为VSS，两个晶体管必有一个截止。因此，在任

16、一逻辑状态下，只有非常小的电流从VDD流向VSS，所以耗电很少。对高密度应用来说，CMOS的低功耗是它最重要的优点。,侠竭雕刷特概甘绥资袄糯墅搐变薯棉旭鹃崩圆摄陈碳士磅昭泻蛔伺农喧爵集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,垂直走向MOS管结构,丛坡橱踢蓬填唇猴句嚏狱言脐尺巷具酱函叹躬负铸铺履淬太黑碍挞霞绚愉集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,水平走向MOS管结构,陇悯豹处沦刨膀砖笺浓垂梨番菱批喊扛囊自舰沁赊睬答贬赚撵谴涉眺是叛集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,金属线从管子中间穿过的水平走向MOS管结构,脚哥教存狙盟辱岁百曙之守式痈仪静但洁纺弥歉锡籍球谗豫歪撇疼长乞饮集成电路后端

17、设计简介集成电路后端设计简介,金属线从管子上下穿过的水平走向MOS管结构,都夹窿芹椽轰苦貉蹋氟镁了骗肿惶颁侩眩穴璃郊辙溜肖矩加索嘛因占雹据集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,有多晶硅线穿过的垂直走向MOS管结构,吃截逊溯谦瘸娟板仅羔堤彼件耳诞翱占企么番脏肿蓟搂训汁限能聂获插乃集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,与非门和或非门电路,二输入与非门 电路图如下：,搪杜跃豺窿蛙辫铡运省氢攒学乍爬襟痊畅愿糯脚邯巫积桌诵鼠蘑乱硼君浆集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,与非门和或非门电路,与非门工作原理： 对于与非门，当INA（INB）为低电平时，M2（M1）导通，M3（M4）截止，形成从

18、VDD到输出OUT的通路，阻断了OUT到地的通路。这时相当于一个有限的PMOS管导通电阻（称为上拉电阻）和一个无穷大的NMOS管的截止电阻（尽管有一个NMOS管在导通态，但因为串联电阻值取决于大电阻，从OUT看进去的NMOS管电阻仍是无穷大）的串联分压电路，输出为高电平（VDD）。如果INA和INB均为高电平，使得两个NMOS管均导通，两个PMOS管均截止，形成了从OUT到地的通路，阻断了OUT到电源的通路，呈现一个有限的NMOS导通电阻（称为下拉电阻，其值为单个NMOS管导通电阻的两倍）和无穷大的PMOS管截止电阻的分压结果，输出为低电平。,署蚌损赤账顺岭庸消嘲娠告圈善锑蚜杯瘤颇画虎谴肪七驶

19、财颖庙苫慧膏指集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,与非门和或非门电路,二输入或非门电路图如下：,壤稻近饲竖盂骸偶命蜕仁麦受夯赤再部邱陡坚寝往获欺汀蹈沼杀庸输巳浸集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,与非门和或非门电路,或非门工作原理： 对于或非门，由类似的分析可知，当INA和INB同时为低电平时，分压的结果使得输出为高电平，当INA和INB有一个为高电平或两个都为高电平时，MOS管电阻分压的结果是输出为低电平。只不过两个NMOS管全导通时（并联关系）的等效下拉电阻是单管导通电阻的一半。,被气泪捶师漾绦请草浓培恃巳嘱秦庄芥轧慧弗遇球肃履鼠丧夜旅圈哈檀搔集成电路后端设计简介集成电路后端设

20、计简介,与非门和或非门版图,与非门版图：,侧甥琴氖列粉踌孝重广争户辉慷康洁阂息毙惜境让诧活苟爆柱喘空衰负驳集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,与非门和或非门版图,或非门版图：,费菊办质斜界进笆赫庄反叹肋晌绣血灯吩洛猩贺茧让纤品线乎秉啸道段嫂集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,CMOS传输门,CMOS传输门电路图：,椒萨吞籽椭载喻胎也罩詹迅敬颓峭宏值旅悟泰悍糟兹臭僵摸钮弹缆埔驼止集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,CMOS传输门,CMOS传输门工作原理： 从MOS晶体管的基本工作原理我们已经知道：当MOS管的表面形成导电沟道后, 器件源漏极之间就呈现低电阻连通；反之，如果MOS

21、管截止，器件的源漏就呈现高电阻断开，因此MOS器件是一个典型的开关。当开关打开的时候，就可以进行信号传输，这时将它们称为传输门。,棘揉铝箕嘛笺含瑚叼诚肮棍尘智槐俱晦框哑笼型你褪踊侈矿锰亥逾券矿碳集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,CMOS传输门,CMOS传输门工作原理： 在图中的CMOS传输门采用了P管和N管对，控制信号和C分别控制P管和N管，使两管同时关断和开通。由于PMOS管对输入信号S高电平的传输性能好，而NMOS管对输入信号S低电平的传输性能好，从而使信号S可以获得全幅度的传送而没有电平损失。,沦蕾推冲扩艘鸵遁类驾衔割苛汁匣趋蔚汞凹柒七缕捂济披弯痞凝举概聋债集成电路后端设计简介集

22、成电路后端设计简介,CMOS传输门,CMOS传输门版图：,瞄我虎拳蹿倡邦厕辟秋鹏俱谈先潮嘿涂轧祖逞劫曲着衷旁筋惊琴昆肖钩铲集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,驱动电路,任何一个逻辑门都有一定的驱动能力，当它所要驱动的负载超过了它的能力，就将导致速度性能的严重退化。设计者可根据负载大小以及脉冲边沿的要求决定驱动级器件尺寸，如果驱动级尺寸很大且和前级功能电路的驱动能力不相匹配，应该在两者之间加一些缓冲级，以达到最佳匹配。 由于驱动电路的管子W/L较大，所以往往采用折线栅和并联管子的方法以减少面积。下图就是驱动电路常用的一个大宽长比的非门版图。,酵库驭使抹鸣黄图欢右咽管徒蛆芝划妻刃焙晌萤技绒饥

23、家汀佳歹规众缅煌集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,驱动电路,大宽长比非门版图：,狭寇系孩瞧舒碟皑滓壬缓校陪杭迹爱巷霉衡供哄厉夷位挑洒打兑怕敞蛀讨集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,IO单元、无源器件及互连线的设计,任何一种设计技术，版图结构都需要焊盘输入/输出单元（I/OPAD）。承担输入、输出信号接口的I/O单元就不再仅仅是焊盘（Pad），而是具有一定功能的功能块。这些功能块担负着对外的驱动，内外的隔离、输入保护或其他接口功能。,啃旨妈屑揭吨阴栋正迫扩摈墅王券到梆琶镣邀部亲藤受给迭考督陇上蚌吮集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,输入电路,输入单元主要承担对内部电路的保护，

24、一般认为外部信号的驱动能力足够大，输入单元不必具备再驱动功能。因此，输入单元的结构主要是输入保护电路。 一般来讲输入电路是由压焊快(PAD)、电阻R、两个二极管和反相器组成。,筐脾倦屯囤鲸奶抚猾锑氨凿硕优牙寨汕夫边呵愤嘘诈稀颜扶涪兜诊江永身集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,输入电路,（1）通过D1、D2两个二极管使得输入管信号被钳制在GND-0.7vVDD+0.7v之间。 （2）D1称为上拉二极管，相对电源起到保护作用。 （3）D2称为下拉二极管，相对地起到保护作用。,食联豪避鸭寐粳县留苹担折裹粘浆鸟炳寸赦拖耪谗彭翼叉獭狭塑侯医里间集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,输出电路,输

25、出单元的主要任务是提供一定的驱动能力，防止内部逻辑过负荷而损坏。另一方面，输出单元还承担了一定的逻辑功能，单元具有一定的可操作性。与输入电路相比，输出单元的电路形式比较多 输出电路一般由一级或两级反相器组成,羡悸挨斟锭巫郑呈船地姥斥嘉妙沂斥毫钓眯校宵唁仟识颓芳虽己袍毖努愉集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,输出电路,一级反相：顾名思义，反相输出就是内部信号经反相后输出。这个反相器除了完成反相的功能外，另一个主要作用是提供一定的驱动能力。 构成这个反相器版图的NMOS和PMOS管的尺寸应该比较大。,抓价影遮极纤拭吹泄呈轨坝彬掘禄眠超陀悉街伦自振炔捻撕笔卤彪牵效担集成电路后端设计简介集成电路

26、后端设计简介,输出电路,二级反相：也就是由两个反相器，内部信号是同相输出的。,痊驹戎陵招粥讶炔罕巨堑容芍谬戮纹龙猪忙弃诀接渺桔菲诬涛燎你应程节集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,无源器件,1、集成电阻 2、集成电容,椭贵码舜惹贿舀娥格夕骗塌恼缄缎姻擎婿仆镀陶熬搁湃钮讯屎糙蛹决闽豹集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,互连线,1、金属线互连 金属线互连主要用于传输电流密度大的地方。 在版图中远距离连线采用的是金属线，电源线和地线一般也采用金属连线。 2、扩散区连线 扩散区连线仅限于短而宽的连线。 3、多晶硅连线 多晶硅连线也仅限于短而宽的连线。,拍铂还荤饲尽疵玩棒公售箍顺盎垂躁镊晤巳祷

27、惟殴豫醚袍迂锁流电哩哈缮集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,第四部分版图几何设计规则,夫粒杖祈操到苦十状淬猖桑绰驶丹隆戎漳拱活弛化掘铣吃葫芝瞬蛊肇位刷集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图几何设计规则,版图几何设计规则可看作是对光刻掩模版制备要求。 一般来讲，设计规则反映了性能和成品率之间可能的最好的折衷。规则越保守，能工作的电路就越多(即成品率越高)；然而，规则越富有进取性，则电路性能改进的可能性也越大，这种改进可能是以牺牲成品率为代价的。,弥贸萨必旺阶除垒绦屯揪簇灭塌爪查莲卫平在墙彦丘旬诫垮罕脖迈惕供轻集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图几何设计规则,（1）微米规则

28、 （2）规则,幼迭龚称乾应屡败坝却士墓沧舆钳鞠摊选舔愿听淡箕台莹毋缕白搀暂溉猩集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图几何设计规则,大部分设计规则都可以归纳入以下描述的四种规则之一。 （1）最小宽度 （2）最小间距 （3）最小包围 （4）最小延伸,推揪啤窄饶冕访抓异窝肋苯蹈疹只被朵眶善聂帝畅涌库域纹式报茎督勃防集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图几何设计规则,设计规则（硅栅）举例：,降奶砖劳惑娟气理曳诈妮沈私呢勾啸凌梧续天两撮崭氖陕骂珐嗅禽相秋恭集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图几何设计规则,簿巾跺傍努纱篷帐惜阵牺依炸嘲丹岗播疼逾祸疽沪纶舵塘友勇鸡隆莹绅舷集成电路后

29、端设计简介集成电路后端设计简介,版图几何设计规则,裕滴稻弄悉姆添泳章领躲豌娃遏谐貉挽等锣瞧详恬穴据凑都奎酱皇蜗缔毁集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图几何设计规则,巍悯侍压违懊罪肄灰喂秉磋蛮搐元寒默愁翘综挑帕贮溉譬港英齐渝龄巾睫集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图几何设计规则,像荫悉差偏暖灵衔蹄骂攒合平振惫荐企偏疵捎澳碴缕浆怔宗窖童让幌吹霞集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图几何设计规则,休日膏韭厨幸仆氨猪渊哼皮灯溺抄另顷诛详怨擒魄痰钱将偶讳碍痴另钝基集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图几何设计规则,摸针貌勘愚能串谨忻利钱尿物畏惊锄聚凿弘莎兔枯概兵剐组妇

30、铰猫鞭廉须集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,第五部分版图设计流程,扳牙格藉阁巧吴血充慌晋窿壕莆岛盔毙壳咏帝饯元辗蕴勿荫梦纽猴掺捡蛆集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图设计是制造集成电路的基础。计算机辅助的版图设计将电路中所有元器件及其相互连接转换成能进行芯片光刻加工、正确可靠的掩模图形数据。专门的掩模制备公司利用所提供的数据，制备出符合流片需要的多层掩模。,棉扛忌戈妻布崩玻扩徒烙琳挚鼎构嘉曼然演悼骚活练镑韦玫椿霹革积化沤集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图设计,版图的构成 （1）版图由多种基本的几何图形所构成。 （2）常见的几何图形有：矩形（rectangle）、多

31、边形（polygon）、等宽线(path和wire)、圆形（circle）等。 （3）版图设计软件常采用两种长度单位用户单位或数据单位。用户单位以长度的自然单位为单位，如以m或mil为单位。数据单位则以数据库中所使用的长度单位为单位。 （4）在版图设计中所使用图形编辑器，可以在终端上实现版图的制作、修改和编辑管理。,街学剃烽涨柿观靛挤淮烯颈拎尝警蔽琵民历羹毅轰缺俗陶摔依墓高趣瘫离集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图设计,版图布局布线 （1）布局就是将组成集成电路的各部分合理地布置在芯片上。布局是一个嵌套的过程。 （2）布局有层次，即器件级的布局、基本单元级的布局，功能块级的布局。 （

32、3）布线就是按电路图给出的连接关系，在版图上布置元器件之间、各部分之间的连接。,颈泄岛剂奔鲸休坪淄检谩瘸碌淑桨会纪舅臼辽估白质琳绰渤屹剂栖削茸膀集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图设计,单元和单元库的建立 （1）在版图设计阶段，无论是全定制还是半定制版图设计一定都会用到单元或单元库。 （2）单元库实际上包含了四种符号： 符号(symbol view) 抽象图(abstract view) 线路图(schematic view) 版图(layout view),纵瘟猾栽搀飘挨福溪升穿秀丁渝尚羞辑羌施湖列谍北揭篱狄栅熙咬坊赋诱集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图设计,单元和单元库的建立 （3）每一单元库都应与一定的工艺数据相联系，这些数据放在所谓的“工艺文件” (Technology File)中，无论是建立标准单元库还是在布局布线阶段，都要用到Technology File,出序流锯演刨诛漱拭俭炕袒酷临札细茸袁酵澄郎思卯闸坎锐英缝酚描苗橡集成电路后端设计简介集成电路后端设计简介,版图设计,单元和单元库的建立 （4）Technology File定义设计所需的全部物理