06+第四讲+版图绘制及Virtuoso_工具软件.ppt

1、2020年8月7日，共41页，1。版面绘图和Virtuoso工具软件，范，2011年3月17日，2020年8月7日，共41页，2页。主要内容，典型深亚微米工艺流程设计规则介绍，PDK虚拟软件及应用介绍，2020年8月7日，共41页。本文介绍了目前常见的N阱CMOS工艺流程。所使用的晶片是一个P型衬底，因此有必要用N阱来构建一个P沟道器件，并且N型金属氧化物半导体管被构建在P型衬底上。这里以变频器为例，简要介绍其制造的基本工艺流程。2020年8月7日，共41页，第4页。第一个掩模被定义为氮阱(或氮管)掩模。b)扩散：它向四面八方扩散，扩散越深，水平延伸越多。2020年8月7日，共41页，第5页。

2、第二掩模被定义为有源掩模。有源区用于限定管的栅极以及允许注入p型或n型扩散的管的源极和漏极区。2020/8/7，共41页，6。忽略一些不能在布局中体现的掩模：要引入的第三个掩模，例如沟道停止和阈值电压调整，是多晶硅掩模，其包含多晶硅栅极和要蚀刻的形状。2020/8/7，共41页，7。第四个掩模被定义为nmask，用于定义需要注入n的区域。2020年8月7日，共41页，第8页。第五个面具是pmask。p在Nwell中用于定义PMOS管或NMOS体端子引出线；p在Pwell中用作欧姆接触。2020年8月7日，共41页，第9页。第六掩模用于限定接触孔。将二氧化硅蚀刻到待接触层的表面。其次，金属应该能

3、够接触扩散区或多晶硅区。2020年8月7日，共41页，第10页。第七个掩模是金属1。有必要选择性地蚀刻电路所需的连接关系。此时，逆变器的完整版本就完成了。2020/8/7，共41页，11，2，设计规则介绍，图形术语，2020/8/7，共41页，12，2020/8/7，共41页，13，2020/8/7，共41页，14，14。创建布局单元视图文件-新建-单元视图，2020/8/7，41页，16，布局编辑器窗口，2020/8/7，41页，17，层选择窗口(LSW)，2020/8/7，41页，18，2020/8。19.布局编辑器菜单(1)，摘要用于布局提取，德古拉交互用于德古拉工具执行数字版权控制等。

4、验证菜单下的数字版权控制用于Diva工具。2020/8/7，共41页，20页，布局编辑器菜单(2)，2020/8/7，共41页，21页，显示控制窗口，2020/8/7，共41页，22页，使用快捷键22，大师(1)，CtrlA选择所有移位返回。换档切断(切断)。复制，复制一个图形来取消选择。你也可以点击空白处。按住CtrlF键显示上一级平移显示所有的下一级拟合，显示您绘制的所有图形缩放工具平移清除所有的缩放标签工具，移动工具平移合并工具，合并N个倾斜的45对角正交。移动到旋转工具。旋转插入接触孔。CtrlP插入销。Pin ShiftP多边形工具。多边形插入路径q图形对象属性(先选择一个图形)r矩

5、形工具。绘制矩形图形的拉伸工具。您可以拉伸一条边，也可以选择要拉伸的组并一起拉伸。撤销.移位被重复。重做.撤销后的悔过，2020年8月7日，共41页，23页。使用快捷键23下，Virtuoso (2)，V关联连接。子代与父代相关联后，如果父代被移动，子代将随之移动。移动子级，父级不会移动。CtrlW关闭窗口。切换到下一个视图。w上一个视图。y区复制美国佬。与复制不同，复制只能复制完整的图形对象。移动粘贴粘贴。用于美国佬。按住CtrlZ键的视图会放大两次(您也可以单击鼠标右键进行拖动)，按住ShiftZ键的视图会缩小两次，按住Z键的视图会放大两次，按下ESC键会取消Tab键来平移视图。按Tab键

6、，用鼠标单击视图区域中的一个点，视图将移动到该点作为中心。删除键删除退格键以撤销前一点。这消除了因为路径的一个小错误而删除重画的需要。你可以撤销最后一点。回车键决定图形的最后一点。您也可以双击鼠标左键。Ctrl箭头键移动单元格。移动箭头键移动鼠标。箭头键移动视图。2020年8月7日，共41页，24，4，PDK概论(1)。过去，PMOS管、NMOS管、电容、电阻和接触孔等一系列元件都是手工绘制的，效率不高。因此，为了提高效率，让设计者有一个顺畅的设计环境，减少开发周期，许多工艺制造商都提供了PDK下相应的尺寸工艺。PDK是工艺设计套件的全称，主要由凯登斯的原理图和布局工具组成。它可以看作是一个工

7、作平台，在其上可以加载一些仿真软件和验证软件，形成一个完整的设计平台。这样的设计模式有助于缩短设计人员的开发周期。2020/8/7，共41页，25页，PDK简介(2)，2020/8/7，共41页，26页，PDK简介(3)，PDK不仅为MOS管和接触孔提供布局单元，还为电阻、电容、电感和三极管等各种常用器件提供布局单元，可根据具体要求使用。灵活使用PDK可为布局图带来很大帮助，2020/8/7，共41页，27页，PDK编制，如果您愿意例如，创建库时，需要定义技术文件。此时，应选择“附加到现有技术文件”，并选择“技术库”中使用的PDK，以避免将来出现意外错误。2020年8月7日，共41页，28页，

8、NMOS pdk : PMOS 3360(多晶)(有源)(n加)(psub)(多晶)(有源)(p加)(nwell)，2020年8月7日，共41页，与侧面的MOS管相比，可以看出电容在布局中占有较大的面积比。电容的计算方法与平板电容相同(C=S/4kd)。2020年8月7日，共41页，30页，PNP:一般来说，33页，PDK提供了各种晶体管可供选择，根据晶体管的发射极面积，2020年8月7日，共41页，31页，PNP横截面图，2020年8月7日，共41页，32，电阻：2000不同类型的电阻有不同的取值范围和精度。扩散电阻扩散电阻是源极和漏极扩散时形成的，具有氮扩散电阻和磷扩散电阻。在互补金属氧化

9、物半导体工艺中，氮扩散电阻在PSUB上，磷扩散在氮阱中。这种电阻的阻值估计为RRSL/瓦(RS为薄层电阻，L和W分别为电阻的宽度和长度)，阻值大，平均精度高。2020/8/7，共41页，34，多晶硅电阻多晶硅电阻结构简单，可分为两种类型，一种是用POLY1作为电阻区，另一种是用POLY2作为电阻区。多晶硅电阻的平方电阻最小，但精度最高，并且随工艺、电压和温度的变化很小，因此适用于高精度场合。阱电阻阱电阻是一个氮阱棒(或磷阱棒)，两端被氮(磷)扩散形成接触。它的薄层电阻值一般为1-10K欧姆/立方米，这是高电阻。它的电压系数和温度系数都很大，而且受光照和辐射的影响也很大，但它有很好的匹配性，所以

10、通常可以用在精度要求不高的地方，如上拉电阻或保护电阻。2020/8/7，共41页，35。二极管，在CMOS n阱工艺中一般有两种二极管结构，一种是psub-n阱，另一种是SP-n阱，其中SP掺杂有p，p是源极和漏极扩散时形成的。二极管中存在寄生PNP三极管和大串联电阻。2020/8/7，共41页，36。设计中常见问题，找不到相应的库。原因：文件传输协议主文件夹下的“光盘库”文件中的库路径在此库中不存在。编辑相应的cds.lib文件，共41页，37页。您不能打开单元格视图或编辑单元格视图，有时也不能在库中打开或编辑单元格视图，这意味着您无权访问单元格视图。解决方式：改变你的访问权利库管理器编辑访问权限表单。使用UNIX命令chmod来改变你在该图书馆中的访问权利（用的很少)，2020/8/7，共41页，38，版图中的布局单元消失了cellview通常包含来自其他设计库的单元格实例。如果您打开的单元格视图包含布局编辑器找不到的库中的单元格实例，则会发生以下情况：当您尝试打开单元格视图时，您会看到一个列出布局编辑器找不到的单元格的警告对话框。当您关闭该对话框时，单元格视图会