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文档简介

1、晶体管的频率特性,理 学 院,4.3 晶体管的开关特性,一、晶体管的开关作用 二、晶体管的开关过程 三、提高开关晶体管开关速度的途径,一、晶体管的开关作用,1. 晶体管的开关作用,1. 开关管的要求： Vces越小越好，最好0 Iceo越小越好，最好0 BVceo高（使用范围大） 开关时间短, 导通,2. 晶体管的开关区域,3. 截止区和饱和区的少子分布,截止区,Vbe0(A) Vbc0 Vbe=0(B) Vbc0,Iceo,饱和区,（1）饱和的原因,定义：临界饱和状态,放大区饱和区,（2）少子分布,线性放大状态,临界饱和状态,饱和状态（超量储存电荷）,（3）电流传输,过驱动电流,定义饱和深度

2、,二、晶体管的开关过程,二、晶体管的开关过程,二、晶体管的开关过程中的少子分布,1、延迟时间td,缩短延迟时间td的方法： 减小发射结势垒电容 减小集电结势垒电容 增大基极注入电流， 使势垒电容充电进程加快 减小反向脉冲幅度,2、上升时间tr,2、上升阶段基区少子分布,0,请注意这是在线性区阶段的少子分布图,缩短上升时间tr的方法： 减小发射结势垒电容 减小集电结势垒电容 增大基极注入电流， 但要注意深饱和 增大基区少子寿命，减小基区复合电流,3、存储时间ts,抽取基区和集电区超量储存电荷,减小存储时间的途径： 减小基极驱动电流 增大基极抽取电流 缩短基区电子寿命和集电区空穴寿命,4、下降时间tf,减小下降时间的途径： 减小发射结和集电结势垒电容 增大基极抽取电流 缩短基区电子寿命和集电区空穴寿命,三、提高开关晶体管开关速度的途径,1、从晶体管内部考虑,掺金，减小饱和时超量存储电荷，加速集区复合,减小结面积,减小基区宽度，降低tr和tf,2、从晶体管外部考虑,加大IB，缩短td和tr，但避免过大使饱和深度

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