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文档简介

，1，第3节CMOS门电路，CMOS反相器的工作原理，CMOS反相器的静态输入和输出特性，CMOS反相器的动态特性，其它类型的CMOS门电路和金属氧化物半导体晶体管的开关特性，CMOS电路的正确使用，下一页，总目录，简介，2，下一页，返回，上一页，1。金属氧化物半导体晶体管的开关特性，金属氧化物半导体晶体管的结构和工作原理，当vDS 0和vgsvgs (th)(金属氧化物半导体管的导通电压)时，在栅极下面的衬底表面上形成一个N型反型层。这个反型层构成了一个D-S之间的导电通道，电流从中流过。3，下一页，后一页，2。金属氧化物半导体晶体管的输入特性和输出特性，以及共源极连接下的输出特性曲线也称为金属氧化物半导体晶体管的漏极特性曲线。一条代表内径和可变增益系数之间关系的曲线被称为金属氧化物半导体管的传输特性曲线。4、下一页、后一页、恒流区、截止区和漏极特性曲线分为三个工作区。5，下一页，后一页，3。金属氧化物半导体管的基本开关电路。如果参数选择合理，当输入低电平时，金属氧化物半导体管关断，输出高电平。当输入高电平时，金属氧化物半导体管导通，输出低电平。当vI=vGS时

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